公开(公告)号：CN1940688A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610139957.X

申请日：2006-09-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  村上春美 ,  荒木利夫 ,  石贺展昭

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  G09F9/00

CPC classification number: G02F1/1341 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136213 ,  G02F2201/121 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明的目的在于提供一种防止由于层间绝缘膜的针孔或缺陷而引起的电极间的短路不良、并具有高可靠性的液晶显示装置。本发明的一个实施形态的液晶显示装置具有TFT阵列基板(101)、对置配置在TFT阵列基板(101)上的滤色器基板(102)、和粘合两基板的密封图形(40)，滤色器基板(102)具有对置电极(42)，TFT阵列基板(101)具有栅极布线(4)、在栅极布线(4)上形成的栅极绝缘膜(6)、通过栅极布线(4)和栅极绝缘膜(6)交叉配置的源极布线(11)、在源极布线(11)上形成为两层的层间绝缘膜(14、18)、和在密封图形(40)的下面设置的、通过该密封图形(40)与对置电极(42)导通的共同电极布线(37)，密封图形(40)通过层间绝缘膜(14、18)和源极布线(11)重叠。

公开(公告)号：CN101436569B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200810173892.X

申请日：2008-11-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 伊藤康悦 ,  荒木利夫

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明的标题是“薄膜晶体管阵列基板的制造方法及显示装置”，其中包括如下工序：形成由第1导电膜(10)构成的图案；依次层叠栅绝缘膜(2)、半导体层(4)及光刻胶层；形成沿厚度方向具有台阶构造的光刻胶图案(41)；利用光刻胶图案(41)形成第1导电膜(10)的露出区及半导体层(4)的图案；在第1导电膜的露出区中形成由与第1导电膜(10)接触的第2导电膜(20)构成的图案；用上层膜覆盖第2导电膜(20)；以及在上述第2导电膜(20)的上层形成第3导电膜(30)。薄膜晶体管的栅电极(16)用第1导电膜(10)形成，源电极(25)及漏电极(26)用第2导电膜(20)形成，像素电极用第3导电膜(30)形成，第2导电膜(20)用上层膜覆盖。

公开(公告)号：CN100479172C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200610073741.8

申请日：2006-04-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 荒木利夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/136227 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供防止上层像素电极和下层TFT漏电极之间断线引起的点缺陷的电光显示装置及其制造方法。像素电极(16)配置成覆盖贯通第三绝缘膜(12)及第二绝缘膜(11)达到漏电极(9)上面的像素漏极接触孔(CH)内壁，在像素漏极接触孔(CH)底部，经由接触导电膜(15)电连接到漏电极(9)。像素漏极接触孔(CH)将贯通第二绝缘膜(11)的接触孔(13)和贯通第三绝缘膜(12)的接触孔(14)连通而构成，接触孔(14)的内壁不陡地倾斜而剖面呈研钵状，使得开口端尺寸大于其底部尺寸。

公开(公告)号：CN101251693A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810080545.2

申请日：2008-02-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中堀正树 ,  木村初美 ,  后藤文弘 ,  荒木利夫

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/0657 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供一种可靠性、生产性优良并且高分辨率的有源矩阵型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置具有形成在透明绝缘衬底(1)上的栅电极布线(2)、覆盖所述栅电极布线(2)的栅极绝缘膜(3)、形成在所述栅极绝缘膜(3)上的半导体层(10)、形成在所述半导体层(10)上的源电极(6b)、源极布线(6a)以及漏电极(7)、与所述漏电极(7)连接的像素电极(9)。在所述半导体层(10)中，构成TFT的TFT部(10b)、形成在所述源极布线(6a)与所述栅电极布线(2)交叉的区域的源极栅极交叉部(10a)、连接所述TFT部(10b)与源极栅极交叉部的连接部(10a)一体地形成，由所述源电极(6b)以及源极布线(6a)覆盖所述半导体层的连接部(10c)的全部以及源极栅极交叉部(10a)连接部(10c)侧的一部分。

公开(公告)号：CN1912738A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610107794.7

申请日：2006-07-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田卓司 ,  木村初美 ,  石贺展昭 ,  山部贵人 ,  荒木利夫

IPC: G03F1/08 ,  G02B5/20 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明提供即使在使用具有氧化铬膜的遮光膜时也具有良好蚀刻剖面的带遮光膜基板、彩色滤光片基板及显示装置以及它们的制造方法。本发明一实施方式涉及的带遮光膜基板是具有在基板1上形成的遮光膜10图案的带遮光膜基板，遮光膜10具备含有铬氧化物的第1膜2和含有铬的设置于第1膜2上的第2膜3，遮光膜10的剖面形状具有正锥形。遮光膜10的蚀刻可以使用在硝酸铈铵中至少含有硝酸2.5摩尔/升以上浓度的药液来进行。

公开(公告)号：CN1577017A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410058684.7

申请日：2004-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 后藤文弘 ,  石贺展昭 ,  荒木利夫 ,  井上和式 ,  伊藤宽泰 ,  柴田英次 ,  锅岛正直

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种可以高生产率地制造没有点缺陷和显示模糊等的高品质的TFT阵列衬底的液晶显示装置用TFT阵列衬底的制造方法。包含从第1金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成栅极配线以及栅极电极的工序A；形成栅极绝缘膜后用照相制版和蚀刻形成半导体膜和欧姆接触膜的工序B；从第2金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成源极配线、源极电极以及漏极电极的工序C；在形成层间绝缘膜厚后用照相制版和蚀刻形成接触孔的工序D；从透明导电膜通过照相制版和蚀刻形成象素电极的工序E，上述第2金属薄膜由以Mo为主的合金构成。上述工序B以及C也可以是在形成栅极膜和第2金属薄膜后、用第1次照相制版和蚀刻形成TFT的工序。