公开(公告)号：CN101611345A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880004975.4

申请日：2008-02-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中畑匠 ,  井上和式 ,  小田耕治 ,  中川直纪 ,  石贺展昭

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13439 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/40 ,  G02F2202/06 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明的显示装置(1B)包括：在衬底(3)上形成的金属导电层(21)；在同一衬底上形成的与上述金属导电层接合的透明导电膜(39)；把金属导电层(21)与透明导电膜(39)隔离的层间绝缘膜(25)。金属导电层(21)具有：由铝或铝合金构成的下层铝层(40a)；由含有杂质的铝或铝合金构成的、在下层铝层(40a)的上表面的大致整个表面上形成的中间杂质含有层(41a)；由铝或铝合金构成的、在中间杂质含有层(40a)上形成的上层铝层(42a)，在层间绝缘膜(25)和上层铝层(42a)中以局部地露出中间杂质含有层(41a)的方式贯通设置接触孔(27)，透明电极膜(39)通过从接触孔(27)露出的中间杂质含有层(41a)与金属导电层(21)接合。

公开(公告)号：CN100573885C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200710106375.6

申请日：2007-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  河濑和雅

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供一种能够不经由高熔点金属膜地使以Al为主要成分的电极、布线与透明电极层直接接触的半导体器件和制造方法。本发明的半导体器件是在绝缘基板上至少具备半导体层、与上述半导体层电连接的Al合金膜、以及与上述Al合金膜直接接触的透明电极层的半导体器件，其中，上述Al合金膜含有合计0.5～10mol%的从Fe、Co、Ni中选出的一种以上的元素，剩余部分实质上由Al构成。

公开(公告)号：CN101393905A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810160924.2

申请日：2008-09-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  津村直树 ,  中畑匠

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L23/53219 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/12438 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及Al合金膜、电子器件以及光电显示装置用有源矩阵衬底。提供一种防止与ITO或Si的界面扩散并且能够应用于要求低温工艺的各种电子器件中的低电阻的电极膜用Al合金膜。本发明一个实施方式的Al合金膜包含由Ni构成的第一添加元素和由属于元素周期表的第二周期或第三周期的2a族的碱土金属、3b、4b族的半金属中选择的至少一种以上的第二添加元素。并且，第一添加元素的组成比是0.5～5at％，第二添加元素的组成比是0.1～3at％。

公开(公告)号：CN101257032A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810092037.6

申请日：2008-02-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 矢野伸一 ,  井上和式 ,  石贺展昭

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明提供不增加光刻步骤数就能够容易地控制TFT的沟道长度的薄膜晶体管阵列衬底、其制造方法以及显示装置。本发明的薄膜晶体管阵列衬底具有：形成在绝缘衬底(1)上的栅电极(2)；形成在上述栅极(2)上的栅极绝缘膜(6)；包括透明导电膜(7)和形成在该透明导电膜(7)上的第2金属膜(8)并且形成在上述栅极绝缘膜(6)上的源极(11)以及漏极(9)；半导体膜(21)，形成在上述源极(11)以及上述漏极(9)上，与源极(11)以及漏极(9)电连接；从上述漏极(9)延伸形成的透射像素电极(10a)。

公开(公告)号：CN101093848A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710126225.1

申请日：2007-06-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 矢野伸一 ,  中堀正树 ,  石贺展昭

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明目的在于得到一种在源、漏电极的界面上接触特性较好的TFT阵列衬底及其制造方法。本发明的TFT阵列衬底具有TFT(108)，其包括欧姆接触膜(8)和形成在欧姆接触膜(8)上的源电极(9)以及漏电极(11)。还具有与漏电极(11)电连接的像素电极(18)。此外，源电极(9)以及漏电极(11)由含有Ni作为添加元素的Al合金形成。

公开(公告)号：CN101388371B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200810173789.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  津村直树 ,  中畑匠 ,  河濑和雅

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  C23C14/14

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件、显示装置及半导体器件的制造方法。提供一种Al合金膜，无需采用高熔点金属形成阻挡层，实现了与Si膜或以Si为主成分的膜的良好接触特性。半导体器件包括：以硅为主成分的膜；以及与以硅为主成分的膜、例如欧姆性低电阻Si膜(8)直接连接、并在连接界面附近至少含有Al、Ni和N的铝合金膜，例如源电极(9)或漏电极(10)。铝合金膜无需采用高熔点金属形成为阻挡层，与以硅为主成分的膜直接连接，并具有良好的接触特性。

公开(公告)号：CN100517734C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200710126225.1

申请日：2007-06-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 矢野伸一 ,  中堀正树 ,  石贺展昭

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明目的在于得到一种在源、漏电极的界面上接触特性较好的TFT阵列衬底及其制造方法。本发明的TFT阵列衬底具有TFT(108)，其包括欧姆接触膜(8)和形成在欧姆接触膜(8)上的源电极(9)以及漏电极(11)。还具有与漏电极(11)电连接的像素电极(18)。此外，源电极(9)以及漏电极(11)由含有Ni作为添加元素的Al合金形成。

公开(公告)号：CN100451793C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200610139957.X

申请日：2006-09-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  村上春美 ,  荒木利夫 ,  石贺展昭

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  G09F9/00

CPC classification number: G02F1/1341 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136213 ,  G02F2201/121 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明的目的在于提供一种防止由于层间绝缘膜的针孔或缺陷而引起的电极间的短路不良、并具有高可靠性的液晶显示装置。本发明的一个实施形态的液晶显示装置具有TFT阵列基板(101)、对置配置在TFT阵列基板(101)上的滤色器基板(102)、和粘合两基板的密封图形(40)，滤色器基板(102)具有对置电极(42)，TFT阵列基板(101)具有栅极布线(4)、在栅极布线(4)上形成的栅极绝缘膜(6)、通过栅极布线(4)和栅极绝缘膜(6)交叉配置的源极布线(11)、在源极布线(11)上形成为两层的层间绝缘膜(14、18)、和在密封图形(40)的下面设置的、通过该密封图形(40)与对置电极(42)导通的共同电极布线(37)，密封图形(40)通过层间绝缘膜(14、18)和源极布线(11)重叠。

公开(公告)号：CN101097948A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710127331.1

申请日：2007-07-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  竹口彻 ,  河濑和雅

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01B1/00 ,  H01B1/08

CPC classification number: H01J29/28 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/13458 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5234 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供一种能够使由Al或者Al合金膜形成的电极或布线与透明电极层直接接触、且可靠性、生产率优越的半导体器件。本发明的透明导电膜是实质上由In2O3、SnO2以及ZnO构成的透明导电膜，摩尔比In/(In+Sn+Zn)为0.65～0.8，且摩尔比Sn/Zn为1以下。该透明导电膜具有与由Al或者Al合金膜形成的电极或布线良好的接触特性。另外，具有该透明导电膜和由Al或者Al合金膜形成的电极或布线的半导体器件可靠性、生产率优越。

公开(公告)号：CN1323319C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200410058684.7

申请日：2004-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 后藤文弘 ,  石贺展昭 ,  荒木利夫 ,  井上和式 ,  伊藤宽泰 ,  柴田英次 ,  锅岛正直

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种可以高生产率地制造没有点缺陷和显示模糊等的高品质的薄膜晶体管阵列衬底的液晶显示装置用薄膜晶体管阵列衬底的制造方法。包含从第1金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成栅极配线以及栅极电极的工序A；形成栅极绝缘膜后用照相制版和蚀刻形成半导体膜和欧姆接触膜的工序B；从第2金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成源极配线、源极电极以及漏极电极的工序C；在形成层间绝缘膜厚后用照相制版和蚀刻形成接触孔的工序D；从透明导电膜通过照相制版和蚀刻形成象素电极的工序E，上述第2金属薄膜由以Mo为主的合金构成。上述工序B以及C也可以是在形成栅极膜和第2金属薄膜后、用第1次照相制版和蚀刻形成薄膜晶体管的工序。