公开(公告)号：CN100517734C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200710126225.1

申请日：2007-06-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 矢野伸一 ,  中堀正树 ,  石贺展昭

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明目的在于得到一种在源、漏电极的界面上接触特性较好的TFT阵列衬底及其制造方法。本发明的TFT阵列衬底具有TFT(108)，其包括欧姆接触膜(8)和形成在欧姆接触膜(8)上的源电极(9)以及漏电极(11)。还具有与漏电极(11)电连接的像素电极(18)。此外，源电极(9)以及漏电极(11)由含有Ni作为添加元素的Al合金形成。

公开(公告)号：CN101257032A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810092037.6

申请日：2008-02-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 矢野伸一 ,  井上和式 ,  石贺展昭

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明提供不增加光刻步骤数就能够容易地控制TFT的沟道长度的薄膜晶体管阵列衬底、其制造方法以及显示装置。本发明的薄膜晶体管阵列衬底具有：形成在绝缘衬底(1)上的栅电极(2)；形成在上述栅极(2)上的栅极绝缘膜(6)；包括透明导电膜(7)和形成在该透明导电膜(7)上的第2金属膜(8)并且形成在上述栅极绝缘膜(6)上的源极(11)以及漏极(9)；半导体膜(21)，形成在上述源极(11)以及上述漏极(9)上，与源极(11)以及漏极(9)电连接；从上述漏极(9)延伸形成的透射像素电极(10a)。

公开(公告)号：CN101093848A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710126225.1

申请日：2007-06-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 矢野伸一 ,  中堀正树 ,  石贺展昭

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明目的在于得到一种在源、漏电极的界面上接触特性较好的TFT阵列衬底及其制造方法。本发明的TFT阵列衬底具有TFT(108)，其包括欧姆接触膜(8)和形成在欧姆接触膜(8)上的源电极(9)以及漏电极(11)。还具有与漏电极(11)电连接的像素电极(18)。此外，源电极(9)以及漏电极(11)由含有Ni作为添加元素的Al合金形成。