半导体装置、电力变换装置

    公开(公告)号:CN110476235B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN201780088769.5

    申请日:2017-03-27

    IPC分类号: H01L21/60 H01L23/48 H01L23/50

    摘要: 目的在于提供能够抑制工时的增加,且缓和在半导体元件的电极处的引线框的接合部的周缘部产生的应力的技术。半导体装置(30)具备:半导体元件(3),其搭载于散热器(1)之上;引线框(6),其经由作为接合材料的焊料(2b)而与半导体元件(3)的发射极电极(3a)接合;金属膜化膜(5),其形成于金属膜(4)的表面。金属膜(4)的周缘部在整周均从防氧化膜(5)露出。(4),其形成于发射极电极(3a)的表面;以及防氧

    半导体装置的制造方法、半导体装置

    公开(公告)号:CN105359262B

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201380078021.9

    申请日:2013-07-04

    摘要: 将半导体元件(14、16)固定于基板(12),将具有框体、信号端子(T4-T7)、宽度比该信号端子宽的主端子(T2、B5)、以及虚设端子(T1、T3、T8、T9、R1-R18、L1-L18、B 1-B4、B6-B8)的端子集合体的该信号端子和该主端子与该半导体元件电连接,形成该基板、该半导体元件、以及该端子集合体进行了一体化的被封装体。将在下模具形成的多个块体与该信号端子、该主端子、以及该虚设端子以无间隙的方式啮合,将该被封装体载置于该下模具。然后,将上模具的下表面无间隙地重叠在该多个块体的上表面、该信号端子的上表面、该主端子的上表面、以及该虚设端子的上表面,形成对该基板和该半导体元件进行收容的空腔,将模塑树脂注入至该空腔。

    半导体装置
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108496247A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201680079943.5

    申请日:2016-01-29

    IPC分类号: H01L23/34

    CPC分类号: H01L23/34

    摘要: 本说明书所公开的技术涉及不使产品尺寸大型化,就能够提高半导体元件的散热性和引线电极的散热性的技术。本技术涉及的半导体装置具有:半导体元件(100):作为外部端子的引线电极(102),其一端的下表面与半导体元件(100)的上表面连接;冷却机构(109),其配置于半导体元件(100)的下表面侧;以及散热机构,其热耦合地配置于引线电极(102)的相对于一端而言的另一端侧的下表面与冷却机构(109)之间,且包含至少1个绝缘层(104)。

    半导体装置
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112335025B

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN201880095124.9

    申请日:2018-06-29

    IPC分类号: H01L21/60 H01L23/48

    摘要: 目的在于半导体装置的寿命的均一化。半导体装置(101)具有:半导体元件(1),其具有正面金属(11);引线框(2),其具有第1部分(21);接合层(5),其具有第1层(51)以及第2层(52);以及焊料(31),其比接合层厚。正面金属、第1部分分别以第1金属、第2金属为材料。第1层、第2层分别是第1金属与锡的合金、第2金属与锡的合金。接合层位于第1部分与正面金属之间。第1层、第2层分别位于正面金属侧、第1部分侧。在第1部分,多个孔避开正面金属的外轮廓而贯通。焊料位于多个孔的内部,与接合层相邻。多个孔包含将第1部分沿其厚度方向贯通的多个第1孔(211)。在与正面金属的外轮廓相比更靠内侧的环状区域(213)存在第1孔。

    电力用半导体装置以及电力用半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN117957648A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202180102427.0

    申请日:2021-09-21

    IPC分类号: H01L23/36

    摘要: 提供一种从半导体元件进行散热的散热性高的电力用半导体装置。电力用半导体装置具有半导体装置、散热片、油脂、粘结剂和端子座,半导体装置具有半导体元件、对半导体元件进行封装的封装材料以及与半导体元件电连接的电力端子,半导体装置的下表面的选择性的区域即第1区域与散热片通过粘结剂而粘结,半导体装置在半导体装置的下表面中的除选择性的区域之外的区域即第2区域处经由油脂而与散热片相接,端子座在上表面具有电极,半导体装置的电力端子与端子座相固定并且与端子座的电极电连接。

    半导体装置及逆变器单元
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117836930A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202180101335.0

    申请日:2021-08-10

    IPC分类号: H01L23/29

    摘要: 在散热器(1)之上安装有半导体芯片(2、3)。框架(4)与半导体芯片(2、3)的上表面接合。在将散热器(1)、半导体芯片(2、3)及框架(4)封装的模塑树脂(9)的上表面设置有凹部(10)。在凹部(10)隔着导热率比模塑树脂(9)高的导热材料(11)而外置安装有散热板(12)。散热板(12)通过模塑树脂(9)与半导体芯片(2、3)及框架(4)绝缘。散热板(12)为彼此相对的上表面和下表面分别平坦的平板。

    半导体装置
    19.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN114008770A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN201980097696.5

    申请日:2019-06-25

    IPC分类号: H01L23/40

    摘要: 目的在于提供能够抑制半导体模块的表面处的凸出部分的高度的技术。半导体装置具有:半导体模块,其具有第1槽部;碟形弹簧,其在外表面具有凹部,在内表面具有凸部;以及螺钉,其穿过碟形弹簧的孔和半导体模块的第1槽部而将半导体模块与被安装体螺合。螺钉的头部被收容于碟形弹簧的凹部,碟形弹簧的凸部的至少一部分被收容于半导体模块的第1槽部。

    半导体装置
    20.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN112335025A

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN201880095124.9

    申请日:2018-06-29

    IPC分类号: H01L21/60 H01L23/48

    摘要: 目的在于半导体装置的寿命的均一化。半导体装置(101)具有:半导体元件(1),其具有正面金属(11);引线框(2),其具有第1部分(21);接合层(5),其具有第1层(51)以及第2层(52);以及焊料(31),其比接合层厚。正面金属、第1部分分别以第1金属、第2金属为材料。第1层、第2层分别是第1金属与锡的合金、第2金属与锡的合金。接合层位于第1部分与正面金属之间。第1层、第2层分别位于正面金属侧、第1部分侧。在第1部分,多个孔避开正面金属的外轮廓而贯通。焊料位于多个孔的内部,与接合层相邻。多个孔包含将第1部分沿其厚度方向贯通的多个第1孔(211)。在与正面金属的外轮廓相比更靠内侧的环状区域(213)存在第1孔。