发明公开
- 专利标题: 半导体装置
- 专利标题(英): Semiconductor device
-
申请号: CN201380078314.7申请日: 2013-07-16
-
公开(公告)号: CN105393354A公开(公告)日: 2016-03-09
- 发明人: 荒木慎太郎 , 爱甲光德 , 白泽敬昭 , 哈利德·哈桑·候赛因
- 申请人: 三菱电机株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 何立波; 张天舒
- 国际申请: PCT/JP2013/069311 2013.07.16
- 国际公布: WO2015/008333 JA 2015.01.22
- 进入国家日期: 2016-01-18
- 主分类号: H01L25/07
- IPC分类号: H01L25/07 ; H01L25/18 ; H01L23/48 ; H02M7/00
摘要:
具有:由导电体形成的第1基板;第1二极管,其具有第1阴极电极和第1阳极电极,该第1阴极电极与该第1基板电连接;由导电体形成的第2基板;第1开关元件,其具有第1发射极电极以及第1集电极电极,该第1集电极电极与该第2基板电连接;第2开关元件,其具有第2发射极电极以及第2集电极电极,该第2集电极电极与该第2基板电连接;第1端子,其与该第2基板电连接;第2端子,其与该第1阳极电极电连接;第3端子,其与该第1发射极电极、该第2发射极电极以及该第1基板电连接;以及模塑树脂,其使该第1端子、该第2端子以及该第3端子的一部分露出在外部,并将该第1二极管、该第1开关元件以及该第2开关元件覆盖。
公开/授权文献
- CN105393354B 半导体装置 公开/授权日:2018-05-25
IPC分类: