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    薄膜形成装置以及半导体膜制造方法
    11.
    发明授权
    薄膜形成装置以及半导体膜制造方法 失效

    公开(公告)号：CN102047385B

    公开(公告)日：2012-10-10

    申请号：CN200980119459.0

    申请日：2009-05-14

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 津田睦 ,  泷正和

    IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  H01L31/04

    CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: 具备：真空容器(10)，具有保持基板(100)的基板载置台(12)以及与基板(100)对置地设置的等离子体电极(13)；H2气体供给部件，在成膜时以恒定流量向真空容器(10)供给H2气体；SiH4气体供给部件，在成膜时通过气阀(25)的开闭来打开/关断向真空容器(10)的SiH4气体的供给；高频电源(40)，向等离子体电极(13)施加高频电压；屏蔽盒(20)，在真空容器(10)的外部以包围等离子体电极(13)的方式被接地；以及控制部(60)，控制阀(25)的开闭使得将SiH4气体周期性地供给到真空容器(10)，并且与气阀(25)的开闭同步地对施加于等离子体电极(13)的高频功率进行调幅，其中，气阀(25)配置在屏蔽盒(20)内。

    热电转换模块及其制造方法
    12.
    发明公开
    热电转换模块及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN108604870A

    公开(公告)日：2018-09-28

    申请号：CN201680081655.3

    申请日：2016-12-09

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 山下彰 ,  时冈秀忠 ,  森冈孝之 ,  西村邦彦 ,  西村慎也 ,  津田睦

    IPC: H02N11/00 ,  H01L35/30 ,  F02G5/04

    Abstract: 提供一种能够充分地增大热接点与冷接点之间的温度差的热电转换模块。具备形成在内管(1)的第一主面上的多个热电转换元件(3)和形成在外管(2)的第二主面上的多个突起部(4)。热电转换元件包括配线(8)(冷接点)、在第二方向(B)上从第二主面隔开第一距离(L1)地形成的电极(7)(热接点)以及位于电极与配线之间的第一侧面(5E)及第二侧面(6E)。多个突起部包括在从第一方向(A)观察时在第三方向(C)上相互隔开间隔地形成的第一突起部(41)和第二突起部(42)。第一侧面与第一突起部的顶部的最短距离(L2)及第二侧面与第二突起部的顶部的最短距离(L3)比第一距离(L1)短。

    微晶半导体薄膜制造方法
    13.
    发明授权
    微晶半导体薄膜制造方法 失效

    公开(公告)号：CN103250233B

    公开(公告)日：2016-01-20

    申请号：CN201180058658.2

    申请日：2011-07-12

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 津田睦 ,  今村谦 ,  滝正和 ,  池田知弘 ,  藤原伸夫

    IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505

    CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/50

    Abstract: 包括微晶半导体薄膜形成工序，在该微晶半导体薄膜形成工序中，对具备等离子体电极和基板的真空容器内一边连续地供给主成分中包含氢的气体，一边断续地供给至少包含硅或者锗的半导体材料气体，并且与供给所述半导体材料气体的期间和不供给所述半导体材料气体的期间同步地对所述等离子体电极供给不同的高频电力，在所述等离子体电极与所述基板之间的等离子体生成空间中生成等离子体，由此形成微晶半导体薄膜，在所述微晶半导体薄膜形成工序中，对所述半导体材料气体的供给进行接通/关断调制而周期性地供给所述半导体材料气体，将接通所述半导体材料气体的供给时的所述高频电力设为比关断所述半导体材料气体的供给时的所述高频电力小，使所述接通/关断调制的调制频率或者所述接通/关断调制的占空比随着时间的推移而变化。

    等离子体CVD装置、等离子体电极以及半导体膜的制造方法
    14.
    发明公开
    等离子体CVD装置、等离子体电极以及半导体膜的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN102473612A

    公开(公告)日：2012-05-23

    申请号：CN201080035372.8

    申请日：2010-04-26

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 滝正和 ,  津田睦 ,  新谷贤治 ,  今村谦

    IPC: H01L21/205 ,  C23C16/509

    CPC classification number: C23C16/5096 ,  C23C16/45565

    Abstract: 在构成等离子体CVD装置(40)的等离子体电极(30)时，设置：设置有工艺气体导入孔(第2工艺气体导入孔(21a))的主电极部(21)、和安装于主电极部的端部并在与该主电极部之间形成气体扩散空间(DS)的气体喷板部(23)，在气体喷板部中形成用于吐出工艺气体的多个气体吐出孔(23a)，在气体扩散空间内，配置具有用于工艺气体流通的多个气体流通孔(25a)的气体扩散板(25)、和穿过气体扩散板的气体流通孔并将气体喷板部和主电极部热连接的多个传热柱部(27)，在气体流通孔的内壁与穿过该气体流通孔的传热柱部的周面之间形成空隙。

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