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公开(公告)号：CN102185597A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010592533.5
申请日：2010-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/72
CPC classification number: F02P3/0554 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种点火器用功率半导体装置，既可在异常高温时保护半导体开关元件，也没有伴随电流切断时的不恰当定时上的误点火。点火器用功率半导体装置(5)包括：对点火线圈(6)的初级电流进行通电/切断的半导体开关元件(4)；对所述述半导体开关元件进行驱动控制的集成电路(3)；检测所述半导体开关元件(4)的动作时温度的测温元件(43)，其中具有过热保护电路，该过热保护电路于所述测温元件(43)检测出的温度在既定的设定温度以上时，按照检测温度限制所述半导体开关元件(4)中所流的电流至比正常动作时低的值。
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公开(公告)号：CN102170284A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010609297.3
申请日：2010-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: F02P3/0442 , F02D2041/2048 , F02D2041/2051 , F02P3/0554
Abstract: 本发明提供一种不妨碍整个装置的小型化或精简化而以简单的结构实现电源的过电压保护，且可靠性高的点火器用功率半导体装置。对点火线圈(6)的初级电流进行通电/切断的第一半导体开关元件(4)并联连接，使搭载于集成电路(3)上的第二半导体开关元件(35)先通电而使第三半导体开关元件(300)导通，从而监视电源的过电压，并保护所述第一半导体开关元件(4)免受过电压。
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公开(公告)号：CN113678261B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201980095117.3
申请日：2019-04-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置，其具有：半导体基板，其具有流过主电流的有源区域、有源区域的周围的末端区域；聚酰亚胺膜，其设置于有源区域之上及末端区域之上；以及钝化膜，其是作为聚酰亚胺膜的下层膜而设置的，末端区域包含从有源区域侧依次设置的耐压保持区域及最外周区域，聚酰亚胺膜是将最外周区域的切割残留部排除在外而设置的，钝化膜至少在设置有聚酰亚胺膜的区域被设置作为下层膜。
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公开(公告)号：CN106463537B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201480080154.4
申请日：2014-06-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/739
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够消除面内的电流分布的偏差的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置是具有晶体管单元区域(37)的半导体装置(1)，该晶体管单元区域(37)是在半导体衬底(9)之上配置有多个晶体管的单元的区域，该半导体装置的特征在于，具有电极焊盘(2)，该电极焊盘(2)避开晶体管单元区域(37)而配置在半导体衬底(9)之上，且与各单元的一个电流电极电连接，晶体管单元区域(37)由电流驱动能力依赖于与电极焊盘(2)相距的距离而不同的多个区域(6、7、8)构成。
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公开(公告)号：CN109155302A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201680086053.7
申请日：2016-05-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 高压电极(5)的一端与半导体元件(1)的高压端子连接。低压电极(6)的一端与半导体元件(1)的低压端子连接。树脂(15)对半导体元件(1)、高压电极(5)的一端及低压电极(6)的一端进行封装。第1放电电极(16)及第2放电电极(17)分别设置于高压电极(5)及低压电极(6)的未被树脂(15)覆盖的部分，以彼此相对的方式凸出。
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公开(公告)号：CN106463537A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480080154.4
申请日：2014-06-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/739
CPC classification number: H01L24/05 , F02P3/055 , F02P3/0552 , H01L23/4824 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L27/04 , H01L27/0629 , H01L27/0664 , H01L29/06 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/1095 , H01L29/12 , H01L29/1608 , H01L29/40 , H01L29/402 , H01L29/417 , H01L29/739 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L2224/04042 , H01L2224/05013 , H01L2224/05015 , H01L2224/0502 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/0556 , H01L2224/45124 , H01L2224/4847 , H01L2224/85205 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够消除面内的电流分布的偏差的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置是具有晶体管单元区域(37)的半导体装置(1)，该晶体管单元区域(37)是在半导体衬底(9)之上配置有多个晶体管的单元的区域，该半导体装置的特征在于，具有电极焊盘配置在半导体衬底(9)之上，且与各单元的一个电流电极电连接，晶体管单元区域(37)由电流驱动能力依赖于与电极焊盘(2)相距的距离而不同的多个区域(6、7、8)构成。(2)，该电极焊盘(2)避开晶体管单元区域(37)而
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公开(公告)号：CN102810852B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210066405.6
申请日：2012-03-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02H9/04
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0688 , H01L29/0619 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/32145 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/4846 , H01L2224/49111 , H01L2924/00014 , H01L2924/12035 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02M2001/344 , H01L2924/00 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及半导体装置，目的在于提供能有效利用浪涌电压的能量的技术。半导体装置具有：并联连接体(1)，包括在第一和第二连接点(71、72)间并联连接的IGBT(1a)及恢复二极管(1b)；第一缓冲器件(SD1)，具有IGBT(1a)的耐压以下的钳位电平；第二缓冲器件(SD2)，具有向IGBT(1a)的驱动电路(53)提供电力的电力提供部(54)的输出电压以上的钳位电平。第一缓冲器件(SD1)的一个端子经第一连接点(71)与并联连接体(1)的一端连接，第一缓冲器件(SD1)的另一个端子经第三连接点(73)与第二缓冲器件(SD2)的一个端子连接，第二缓冲器件(SD2)的另一个端子经第二连接点(72)与并联连接体(1)的另一端连接。半导体装置经第二及第三连接点(72、73)向电力提供部(54)反馈电力。
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