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公开(公告)号：CN115939113A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211174505.0
申请日：2022-09-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到能够提高控制性而不使可靠性下降的半导体装置。在绝缘基板(3)之上多个功率半导体元件(1a～1f)配置为一列。多个控制半导体元件(2a～2f)以与多个功率半导体元件(1a～1f)分别相对的方式在绝缘基板(3)之上配置为一列，对多个功率半导体元件(1a～1f)分别进行驱动。配置为一列的多个控制半导体元件(2a～2f)中的两端的控制半导体元件(2a、2f)与两端以外的控制半导体元件(2b～2e)相比配置于更靠近所对应的功率半导体元件处。
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公开(公告)号：CN114121837A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110959167.0
申请日：2021-08-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供能够高精度地对晶体管部的温度和二极管部的温度进行检测，实现过热保护功能的提高的半导体装置。半导体装置(100)具有：半导体芯片(50)，其具有由多个单元(3)构成的单元区域(1)，多个单元包含与晶体管部(4)及二极管部(5)各自对应的单元(3)；温度检测部(6)，其对晶体管部(4)的温度进行检测；以及温度检测部(7)，其对二极管部(5)的温度进行检测，温度检测部(6)配置于与晶体管部(4)对应的单元(3)，温度检测部(7)配置于与二极管部(5)对应的单元(3)。
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公开(公告)号：CN112750811A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011147320.1
申请日：2020-10-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供抑制阻尼振荡的半导体装置。实施方式1的半导体装置(101)具有：IGBT(3)；SBD(2)，其与IGBT(3)串联连接；PND(1)，其与IGBT(3)串联连接，与SBD(2)并联连接；以及输出电极，其连接于IGBT(3)与SBD(2)以及PND(1)之间，PND(1)的阳极电极通过导线(8)经由SBD(2)的阳极电极而与输出电极连接。
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公开(公告)号：CN111863743A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010316374.X
申请日：2020-04-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L29/06 , H01L27/02 , H01L27/06
Abstract: 本发明的目的在于，提供对骤回动作进行抑制且散热性优异的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、表面电极、外部配线、多个晶体管部及多个二极管部。多个晶体管部和多个二极管部设置于半导体基板，且配置于与半导体基板的表面平行的一个方向。外部配线的接合部与表面电极接合。多个晶体管部和多个二极管部设置于半导体基板的俯视观察时的第1区域和第2区域。晶体管部和二极管部交替地配置于一个方向。第1区域处的第1晶体管宽度和第1二极管宽度比外部配线的接合部的宽度小。第2区域处的第2晶体管宽度和第2二极管宽度比外部配线的接合部的宽度大。
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公开(公告)号：CN115206928B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202210299597.9
申请日：2022-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供能够同时实现装置的长寿命化及小型化的具有多个半导体芯片的半导体装置。在RC‑IGBT芯片(1～3)之间，作为在X方向上具有相邻关系的一对RC‑IGBT芯片，是RC‑IGBT芯片(1)及(2)和RC‑IGBT芯片(2)及(3)。RC‑IGBT芯片(1)及(2)满足在Y方向上以打点区域(61)和打点区域(62)彼此不重复的方式分离配置的第1配置条件和在Y方向上以除了打点区域(61)及打点区域(62)之外的发射极电极的一部分重复的方式一部分重复配置的第2配置条件。RC‑IGBT芯片(2)及(3)也满足上述第1及第2配置条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117153835A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310605636.8
申请日：2023-05-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/492 , H01L23/49
Abstract: 目的在于提供能够通过缩短导线的配线长度而使半导体装置的制造性提高的技术。半导体装置(100)具有：半导体元件(1)；以及控制IC(2)，其对半导体元件(1)进行控制，半导体元件(1)具有由多个信号焊盘(10a、10b、10c、10d)构成的信号焊盘组(11a、11b)的对，控制IC(2)具有多个信号焊盘，控制IC(2)的多个信号焊盘与半导体元件(1)的信号焊盘组(11a、11b)的对中的距离控制IC(2)的多个信号焊盘近的信号焊盘组(11a、11b)进行导线键合连接。
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公开(公告)号：CN110880859B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201910815710.2
申请日：2019-08-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体模块及电力转换装置。本发明的目在于提供能够进行在启动过程中成为过电流等通电异常时的保护的转换器模块。半导体模块(101)具备：二极管桥接电路(11)；传感器(17)，其对二极管桥接电路(11)的电流值进行测量；电流限制电路(16)，其具有与二极管桥接电路(11)连接的IGBT(161)；以及保护电路(18)，其与由传感器(17)测量的二极管桥接电路(11)的电流值对应地对IGBT(161)的接通和断开进行切换。
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公开(公告)号：CN113179038A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110002052.2
申请日：2021-01-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 江口佳佑
IPC: H02M7/5387 , H02M1/32 , H01L25/18
Abstract: 本发明的目的在于在半导体装置中抑制传导噪声。半导体装置(101)具有续流部(12)和全桥逆变器即逆变器部(11)，该续流部(12)将逆变器部(11)的输出端子(U‑V)之间短路，在上桥臂的各续流二极管(31、32)与输出端子(U、V)之间、以及下桥臂的各续流二极管(33、34)与逆变器部(11)的输入端子(N)之间具有阻抗(51‑54)，阻抗(51‑54)比假设仅通过配线将IGBT(21‑24)与输出端子(U、V)或者输入端子(N)连接的情况下的配线的寄生阻抗大。
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公开(公告)号：CN110890881A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910837996.4
申请日：2019-09-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/16 , H03K17/567 , H03K17/687 , H01L25/18
Abstract: 提供可对施加于半导体元件两端的电压的时间变化率(dv/dt)进行调整，进行导通时的控制性和导通损耗的调整的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具备：第一开关区域，其具有第一栅极电极，沟道电流与通过输入至第一栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制；第二开关区域，其具有第二栅极电极，沟道电流与通过输入至第二栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制，与第一开关区域并联连接；以及控制部，其向第一、第二栅极电极输出用于使第一、第二开关区域导通的控制信号，控制部在输出第一、第二控制信号而经过了第一规定期间后使第二控制信号的输出停止，在使第二控制信号的输出停止而经过了第二规定期间后输出所述第二控制信号。
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公开(公告)号：CN110880859A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910815710.2
申请日：2019-08-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体模块及电力转换装置。本发明的目在于提供能够进行在启动过程中成为过电流等通电异常时的保护的转换器模块。半导体模块(101)具备：二极管桥接电路(11)；传感器(17)，其对二极管桥接电路(11)的电流值进行测量；电流限制电路(16)，其具有与二极管桥接电路(11)连接的IGBT(161)；以及保护电路(18)，其与由传感器(17)测量的二极管桥接电路(11)的电流值对应地对IGBT(161)的接通和断开进行切换。
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