公开(公告)号：CN111463140B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202010031002.2

申请日：2020-01-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 河本启辅

IPC: H01L21/58 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明涉及功率用半导体装置的制造方法、功率用半导体装置及电力转换装置。提高功率用半导体装置的散热性能。隔着中间构造(71B)将功率用半导体元件(70)和支撑部件(10)层叠。中间构造(71B)包含第一金属膏层(21)、至少一个第一贯穿部件(31)。第一金属膏层(21)包含多个第一金属颗粒。第一贯穿部件(31)贯穿第一金属膏层(21)。使安装于将第一金属膏层(21)贯穿的至少一个第一贯穿部件(31)的至少一个第一振动件(51)振动。对第一金属膏层(21)进行加热，以使得多个第一金属颗粒烧结或熔解。

公开(公告)号：CN117153835A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310605636.8

申请日：2023-05-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 河本启辅 ,  江口佳佑

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49

Abstract: 目的在于提供能够通过缩短导线的配线长度而使半导体装置的制造性提高的技术。半导体装置(100)具有：半导体元件(1)；以及控制IC(2)，其对半导体元件(1)进行控制，半导体元件(1)具有由多个信号焊盘(10a、10b、10c、10d)构成的信号焊盘组(11a、11b)的对，控制IC(2)具有多个信号焊盘，控制IC(2)的多个信号焊盘与半导体元件(1)的信号焊盘组(11a、11b)的对中的距离控制IC(2)的多个信号焊盘近的信号焊盘组(11a、11b)进行导线键合连接。

公开(公告)号：CN111463140A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010031002.2

申请日：2020-01-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 河本启辅

IPC: H01L21/58 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明涉及功率用半导体装置的制造方法、功率用半导体装置及电力转换装置。提高功率用半导体装置的散热性能。隔着中间构造(71B)将功率用半导体元件(70)和支撑部件(10)层叠。中间构造(71B)包含第一金属膏层(21)、至少一个第一贯穿部件(31)。第一金属膏层(21)包含多个第一金属颗粒。第一贯穿部件(31)贯穿第一金属膏层(21)。使安装于将第一金属膏层(21)贯穿的至少一个第一贯穿部件(31)的至少一个第一振动件(51)振动。对第一金属膏层(21)进行加热，以使得多个第一金属颗粒烧结或熔解。