公开(公告)号：CN110476224A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201780089207.2

申请日：2017-04-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大佐贺毅 ,  阿多保夫

IPC: H01L21/301

Abstract: 在晶片(W1)的背面(W1b)形成有环状的凸起部(X1)。在背面(W1b)朝上的晶片(W1)的凸起部(X1)得到了支撑的状态下，通过刀片(BL1)从该晶片(W1)的表面(W1a)侧切断该晶片(W1)。

公开(公告)号：CN117242580A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202180097332.4

申请日：2021-04-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大佐贺毅 ,  阿多保夫 ,  秦佑贵

IPC: H01L29/78

Abstract: 半导体基板(1)具有漂移层(8)。IGBT区域(2)及二极管区域(3)设置于半导体基板(1)，在半导体基板(1)的表面具有发射极电极(16)。感测IGBT区域(4)设置于半导体基板(1)，与IGBT区域(2)相比面积小，在半导体基板(1)的表面具有与发射极电极(16)分离的感测发射极电极(20)。感测二极管区域(5)设置于半导体基板(1)，与二极管区域(3)相比面积小，在半导体基板(1)的表面具有与发射极电极(16)分离的感测阳极电极(21)。感测二极管区域(5)以大于或等于漂移层(8)的厚度的量与IGBT区域(2)分离。

公开(公告)号：CN113039630A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201880099521.3

申请日：2018-11-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小川和也 ,  大佐贺毅

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/301 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 目的在于提供使对碎裂或者裂纹等进行检测的检查用配线的面积缩小的半导体装置。半导体装置包含：半导体基板，其在表面包含含有半导体元件的有效区域和在有效区域的周围设置的无效区域，在背面包含背面电极；以及检查用配线，其以将有效区域的外周包围的方式设置于半导体基板的表面的无效区域。检查用配线的一端与在半导体基板的表面的无效区域设置且与背面电极电连接的半导体层接触，从而检查用配线与背面电极电连接。

公开(公告)号：CN111066148A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201780094516.9

申请日：2017-09-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大佐贺毅 ,  阿多保夫

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置(10)在N—型漂移层(1)的上表面侧具有P型阱层(2)、N型发射极层(3)、栅极绝缘膜(4)以及栅极电极(5a、5b)，在N—型漂移层(1)的下表面侧具有N型缓冲层(6)、P型集电极层(7)、N++型层(8)。N++型层(8)在N型缓冲层(6)内局部地形成。N++型层(8)的杂质浓度高于N型缓冲层(6)的杂质浓度，并且N++型层(8)具有大于或等于P型集电极层(7)的杂质浓度的杂质浓度。

公开(公告)号：CN105518865A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201380079189.1

申请日：2013-08-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大佐贺毅 ,  石原三纪夫 ,  日山一明 ,  川濑达也

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够实现组装性的提高以及小型化的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置(1)具有：IGBT，其形成在Si衬底(13)；温度传感二极管(2)，其形成在Si衬底(13)；IGBT的发射极电极焊盘(6)，其配设在Si衬底(13)之上；以及阴极－发射极连接用配线(19)，其配设在Si衬底(13)之上，将发射极电极焊盘(6)与温度传感二极管(2)的阴极电极焊盘(3)电连接。

公开(公告)号：CN105474543A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201380079050.7

申请日：2013-08-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石原三纪夫 ,  日山一明 ,  川濑达也 ,  大佐贺毅

IPC: H03K17/08 ,  H01L21/60 ,  H01L29/78 ,  H03K17/00

CPC classification number: H01L27/0251 ,  H01L23/34 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48132 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H03K17/0828 ,  H03K2017/0806 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 在半导体衬底(8)之上设置有晶体管(2)。对半导体衬底(8)的上表面的温度进行监测的温度检测用二极管(4)设置在半导体衬底(8)之上。外部电极(7)与晶体管(2)的发射极(E)、温度检测用二极管(4)的阴极(K)共同地连接。由此，能够省略温度检测用二极管(4)的阴极(K)用的外部电极，因此能够使装置小型化、提高组装性。

公开(公告)号：CN209591978U

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201690001686.9

申请日：2016-06-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木翔 ,  大佐贺毅

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 半导体基板(1)具有彼此相对的表面以及背面。第1金属层(2)形成在半导体基板(1)的表面。焊料接合用第2金属层(3)形成在第1金属层(2)之上。第3金属层(5)形成在半导体基板(1)的背面。焊料接合用第4金属层(6)形成在第3金属层(5)之上。第2金属层(3)的厚度比第4金属层(6)的厚度厚。第1、第3及第4金属层(2、5、6)未被图案分割。第2金属层(3)被图案分割，具有经由第1金属层(2)而彼此电连接的多个金属层。