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公开(公告)号：CN101411050A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011440.5
申请日：2007-03-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M7/003 , H01L2924/0002 , H02M7/487 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种电力变换装置，其降低主电路电感，抑制浪涌电压，并且构成为元件被恰当地冷却，同时使装置整体小型、轻量化，进而使制造时、维修时的操作性好。由IGBT模块(1)、(2)以及耦合二极管模块(5)、安装这些模块的冷却板(9)、连接到各模块上的层叠母线(11)构成正侧臂单元(100)，由IGBT模块(3)、(4)以及耦合二极管模块(6)、安装这些模块的冷却板(10)、连接到各模块上的层叠母线(12)构成负侧臂单元(101)，利用层叠母线(13)将两层叠母线(11)、(12)和电容器(7)、(8)进行连接。两冷却板(9)、(10)配置成平行地、使安装面方向相同。
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公开(公告)号：CN109166833B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201810998767.6
申请日：2011-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电力用半导体模块。为了得到将由Si半导体制作的开关元件的温度上升抑制为较低且能够提高模块的冷却效率的电力用半导体模块，具备由Si半导体制作的开关元件(4)和由宽禁带半导体制作的二极管(5)，二极管(5)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域，开关元件(4)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域的两侧或周边。
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公开(公告)号：CN102511123B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201080035951.2
申请日：2010-05-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M7/49
CPC classification number: H02M7/49 , Y02B70/1483
Abstract: 对于具有高电压的直流电源(5)且使用超过600V的高耐压Vx的SiC-MOSFET(3)并以低频动作的主逆变器(1)、和具有低电压的电容器(8)且使用低耐压Vy的Si-MOSFET(6)并以高频PWM动作的副逆变器(2)，将交流侧串联连接而构成电力转换装置，按照主逆变器(1)以及副逆变器(2)的各产生电压之和输出规定的电压波形的交流电力。即，通过只在要求高的元件耐压的主逆变器(1)中使用SiC-MOSFET(3)，在要求的元件耐压比较低的副逆变器(2)中使用Si-MOSFET(6)，从而用廉价的电路结构降低接通损耗。
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公开(公告)号：CN102511123A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201080035951.2
申请日：2010-05-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M7/49
CPC classification number: H02M7/49 , Y02B70/1483
Abstract: 对于具有高电压的直流电源(5)且使用超过600V的高耐压Vx的SiC-MOSFET(3)并以低频动作的主逆变器(1)、和具有低电压的电容器(8)且使用低耐压Vy的Si-MOSFET(6)并以高频PWM动作的副逆变器(2)，将交流侧串联连接而构成电力转换装置，按照主逆变器(1)以及副逆变器(2)的各产生电压之和输出规定的电压波形的交流电力。即，通过只在要求高的元件耐压的主逆变器(1)中使用SiC-MOSFET(3)，在要求的元件耐压比较低的副逆变器(2)中使用Si-MOSFET(6)，从而用廉价的电路结构降低接通损耗。
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公开(公告)号：CN102237347A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110099131.6
申请日：2011-04-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/49 , H01L23/3121 , H01L24/32 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/40225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/4943 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的目的在提供一种在使用无铅焊料和传递模塑树脂的情况下在与未使这些的功率块之间确保互换性的功率块以及使用该功率块的功率半导体模块。本发明的功率块具有：绝缘基板；导体图形，形成在该绝缘基板上；功率半导体芯片，利用无铅焊料固定在该导体图形上；多个电极，与该功率半导体芯片电连接并且向该绝缘基板的上方延伸；传递模塑树脂，以覆盖该导体图形、该无铅焊料、该功率半导体芯片以及该多个电极的方式形成。并且，该多个电极在与该传递模塑树脂的外表面中的导体图形正上方方向的外表面相同的平面上露出。
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公开(公告)号：CN101978588A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109705.4
申请日：2009-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M7/49 , H02M7/501 , H02M2001/0077 , Y02B70/1483 , Y10T307/707
Abstract: 针对具有高电压的第一直流电源(5)并使用超过1000V的高耐压Vx的Si-IGBT(3)而低频地动作的第一逆变器电路(1)、和具有低电压的电容器(8)并使用低耐压Vy的SiC-MOSFET(6)而通过高频PWM动作的第二逆变器电路(2)，对交流侧进行串联连接而构成电力变换装置，通过第一、第二逆变器电路(1)、(2)的各产生电压之和来输出规定的电压波形的交流电力。
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公开(公告)号：CN101421910A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780010820.7
申请日：2007-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种当在半导体元件(1)的栅电压未下降完毕的状态下，栅开启的命令来到时，防止半导体元件(1)异常的误检测的装置，仅在与向控制电路(2)输入了开启信号时的半导体元件(1)的控制量Qon相对应的期间内允许对半导体元件(1)的控制量(栅电压)进行检测处理，将在该期间内检测的检测控制量Qt和根据上述控制量Qon设定的控制量比较值Qs进行比较来输出异常信号，并以比正常遮断时的速度慢的速度遮断半导体元件(1)。
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公开(公告)号：CN1314201C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN03101711.8
申请日：2003-01-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03K17/168 , H01L2924/0002 , H03K17/08128 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种能抑制过电流状态下、在关断时发生的浪涌电压的功率半导体元件的驱动电路。该电路包括：检测输入控制信号指示了断开，在IGBT10的密勒期间的开始时刻输出取样信号的取样信号发生电路7；按输入取样信号的定时分配检测IGBT10的密勒电压、在其为阈值以上时输出过电流检测信号的栅极电压检测电路9；接收该过电流检测信号、控制IGBT10的栅极电压使IGBT10以比平常慢的速度断开的栅极电压控制电路8。
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