公开(公告)号：CN100592587C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200510062896.7

申请日：2005-04-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 堀江淳一

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01S5/028 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425

Abstract: 本发明的目的在于获得在进行端面涂敷时不使用虚设条即可防止激光条彼此发生热压接的半导体激光元件。包括具有通过镀金形成的表面电极，通过镀金形成的背面电极，仅在表面电极上形成的、由不与Au反应的材料构成的防附着膜，和覆盖发光侧端面及其相反侧端面上涂覆的涂敷膜。而且，防附着膜形成在表面电极的四角。

公开(公告)号：CN101556906A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200810178028.9

申请日：2008-12-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 堀江淳一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明涉及薄膜形成方法和半导体装置的制造方法，其目的在于提供一种能够使蚀刻后的残余膜为一定厚度的残余膜控制性优良的薄膜形成方法。该薄膜形成方法为形成具有第一膜厚的第一部分和比第一膜厚薄的第二膜厚的第二部分的薄膜的方法，其特征在于，包括：在基板上成膜该第一膜厚的该薄膜的工序；向成膜时的该薄膜进行激光照射，取得作为反射波的干涉波形的成膜时干涉波形的工序；对该薄膜的该第二部分进行蚀刻的工序；向该蚀刻时的该第二部分进行激光照射，取得蚀刻时干涉波形的工序；和根据该成膜时干涉波形，对作为该第二部分成为该第二膜厚的状态下的该蚀刻时干涉波形的目标蚀刻时干涉波形进行运算的工序，在该蚀刻时干涉波形成为该目标蚀刻时干涉波形的时刻停止蚀刻。

公开(公告)号：CN100411262C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200610055079.3

申请日：2004-03-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松冈裕益 ,  国次恭宏 ,  西口晴美 ,  八木哲哉 ,  中川康幸 ,  堀江淳一

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S5/028 ,  H01S5/0287

Abstract: 低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al2O3、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO2、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta2O5。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。