公开(公告)号：CN119213646A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202280096016.X

申请日：2022-05-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 前原宏昭 ,  平聪 ,  渊田步 ,  铃木凉子 ,  宫越亮辅

IPC: H01S5/223 ,  H01S5/227

Abstract: 半导体激光器(100)具备：形成于n型半导体基板(1)的脊(5)、和以覆盖与脊的延伸方向亦即y方向垂直的x方向的两侧的方式埋入的埋入层(25)。在脊突出的方向亦即z方向的正侧以及埋入层的z方向的正侧具备：p型第二包覆层(9)、p型接触层(10)、与p型接触层连接的表面侧电极(12)、以及形成于沿x方向从脊离开的外缘的半绝缘性层(11)，在该半导体激光器(100)的x方向的端部(29a、29b)侧的z方向的正侧，形成有半绝缘性层或者表面侧电极。

公开(公告)号：CN107039356B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201611007713.6

申请日：2016-11-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫下美代 ,  山本和也 ,  前原宏昭

IPC: H01L23/043 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/481 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/00014

Abstract: 实现本发明所涉及的微米波段及毫米波段封装体的宽频带化。本发明所涉及的微米波段及毫米波段封装体具有：导体基座板(1)，在上表面固定有半导体元件(5)；侧壁(2)，在导体基座板之上以包围半导体元件的方式设置，具有与导体基座板电连接的导体部分(2e)；电介体帽(3)，设置于侧壁之上，以与导体基座板和侧壁一起形成内部空间；表面金属膜(9)，设置于电介体帽的外侧的面之上；第1背面金属膜(10b)，设置于电介体帽的内侧的面之上，相对于电介体帽的与导体基座板相向的面，中心大致一致；多个通路孔(11)，以贯通电介体帽的方式设置，对表面金属膜和第1背面金属膜间及表面金属膜和侧壁的导体部分(2e)间分别进行电连接。

公开(公告)号：CN107046030A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201710071184.4

申请日：2017-02-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 前原宏昭 ,  宫下美代 ,  山本和也

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L27/0266 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/872 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明涉及在微米波频带、毫米波频带使用的场效应晶体管(FET)的静电放电耐性的改善。本发明所涉及的带静电保护二极管的场效应晶体管具有：第1 FET；以及2端子静电保护电路，其连接于第1 FET的第1栅极和第1源极之间，2端子静电保护电路包含：第1二极管，其位于在对第1栅极施加了比第1源极的电位低的电压时被反向偏置侧，具有比第1 FET的第1栅极和第1源极间的反向耐压低的反向耐压；第2二极管，其位于在对第1栅极施加了比前述第1源极的电位低的电压时被正向偏置侧，与第1二极管反向串联连接；以及电阻，其与由第1二极管和第2二极管构成的二极管对串联连接，是使用与第1 FET相同的沟道层而形成的。

公开(公告)号：CN102790591B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201210155265.X

申请日：2012-05-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边晋太郎 ,  弥政和宏 ,  前原宏昭 ,  高相纯

IPC: H03F3/20 ,  H03F3/189

CPC classification number: H03F1/56 ,  H03F1/0277 ,  H03F3/19 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/411 ,  H03F2203/7215 ,  H03F2203/7221 ,  H03F2203/7236 ,  H03F2203/7239 ,  H03G3/3042

Abstract: 本发明涉及高频功率放大器。获得一种能够同时进行阻抗匹配的切换和路径的切换，能够使电路设计的自由度提高的高频功率放大器。晶体管（Tr1）对从外部输入的高频信号进行放大。晶体管（Tr2）对晶体管（Tr1）的输出信号进行放大。晶体管（Tr3）与晶体管（Tr1）并联连接，并对从外部输入的高频信号进行放大。在晶体管（Tr1）的输出和晶体管（Tr2）的输入之间连接有切换元件（SW1）。在晶体管（Tr3）的输出和切换元件（SW1）之间连接有切换元件（SW2）。在晶体管（Tr1）的输出及切换元件（SW2）和晶体管（Tr2）的输出之间串联连接有切换元件（SW3、SW4）。在切换元件（SW3）和切换元件（SW4）之间连接有电容器（C1）。