公开(公告)号：CN117859192A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202180100928.5

申请日：2021-09-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上晃 ,  弓削政郎 ,  太田幸治 ,  野村亚加音

IPC: H01J65/04

Abstract: 本申请的微波激发光源装置(1)具备：中心导体(2)，其沿轴向延伸；环状导体(3)，其具有透光性，相对于中心导体(2)同心配置；发光管(4)，其在内部封入发光物质，且配置为在形成于中心导体(2)与环状导体(3)之间的环状空间沿着轴向延伸；以及支承部(5)，其支承中心导体(2)、环状导体(3)以及发光管(4)，并且形成用于对中心导体(2)和环状导体(3)施加微波的电连接路径，发光管(4)构成为在与轴向垂直的面内，沿着管壁(4w)引出的一根闭曲线相对于从中心导体(2)朝向环状导体(3)引出的线交叉零次或偶数次。

公开(公告)号：CN101466307A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021554.8

申请日：2007-06-08

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  尼普洛株式会社

Inventor： 渡边伸介 ,  井上晃 ,  吉田博

IPC: A61B5/145 ,  G01N22/00

CPC classification number: A61B5/0507 ,  A61B5/14532

Abstract: 本发明的测量受检物中包含的预定成分的浓度的系统的特征在于包括：将具有5GHz～300GHz的相互不同频率的电磁波朝向受检物振荡的振荡部；检测由受检物反射的多个电磁波的检测部；测量多个电磁波各自的反射系数和复介电常数中至少任一方，并根据所测出的多个电磁波的反射系数和复介电常数中至少任一方算出受检物中包含的预定成分的浓度的运算处理部。从而，可以精细地测量血液等流体受检物中包含的葡萄糖等的预定成分的浓度。

公开(公告)号：CN1531194A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410028735.1

申请日：2004-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上晃 ,  太田彰 ,  后藤清毅

IPC: H03F3/60 ,  H01L23/50 ,  H01L23/525 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H03F1/565 ,  H03F3/602 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明的课题是，提供一种不受接地用导线的离散性影响、实现了小型－轻量化及低成本化的半导体装置，该半导体装置配备平衡型匹配电路。放大用半导体芯片(FET4)被连接在输入匹配电路(12)与输出匹配电路(15)之间，各匹配电路被设置在配备了从输入信号产生的信号的相位相差180度的平衡型电路的IPD上，将能够连接两匹配电路的虚拟接地点(VE)用作对RF特性敏感的接地点。

公开(公告)号：CN1391354A

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN02104678.6

申请日：2002-02-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 太田彰 ,  井上晃

IPC: H04B1/02 ,  H03F3/193

CPC classification number: H01P1/2039 ,  H03F1/56 ,  H03F3/601 ,  H03F2200/387 ,  H03H7/0115

Abstract: 功率放大组件(100)内的高频放大器(101)，在其被形成的基板上，备有用于接收输入信号并进行放大的第1级和第2级放大器(105和107)、用于对第2级放大器(107)的输出信号中所包含的高次谐波进行匹配的高次谐波处理电路(109)、用于接收上述高次谐波处理电路(109)的输出并将规定的频率作为截止频率而有选择地使用于供给不可逆电路元件(103)的信号通过的低通滤波器(108’)。

公开(公告)号：CN118176562A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202180103719.6

申请日：2021-11-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上晃 ,  弓削政郎 ,  太田幸治 ,  野村亚加音

IPC: H01J65/04

Abstract: 本申请的微波激发光源装置(1)具备：中心电极(2)，沿轴向延伸；环状电极(3)，相对于中心电极(2)配置为同心；长条状的发光管(4)，配置于形成在中心电极(2)与环状电极(3)之间的环状空间，并沿轴向延伸；连接端板(6)，与微波产生源(10)的另一方的极电连接；连接件(5)，将环状电极(3)与连接端板(6)电连接；以及缓冲机构，在发光管(4)受到外力时进行弹性变形，而抑制施加到环状电极(3)与连接件(5)的接触面的应力。

公开(公告)号：CN103098368A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201080068918.X

申请日：2010-10-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 堀口健一 ,  松永直子 ,  大塚浩志 ,  中山正敏 ,  弥政和宏 ,  井上晃

IPC: H03F3/24 ,  H03F1/02 ,  H03F1/08 ,  H03F3/189 ,  H03F3/60

CPC classification number: H03F3/04 ,  H03F1/0277 ,  H03F3/19 ,  H03F3/245 ,  H03F3/60 ,  H03F3/72 ,  H03F2203/7239

Abstract: 一种输出模式切换放大器，具备：信号放大用的晶体管（3），连接在输入侧的第1节点（10）与输出侧的第2节点（12）之间；旁通路径（10、8、13），在所述第1节点与第2节点之间绕过所述晶体管；电压控制电路（9），对所述晶体管施加偏置电压，来切换是通过所述晶体管放大发送信号、还是不通过所述晶体管放大发送信号而经由所述旁通路径输出发送信号；以及二次谐波反射电路（16），反射与所述旁通路径连接的发送信号的二次谐波。

公开(公告)号：CN101540589B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200810173373.3

申请日：2008-11-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 后藤清毅 ,  井上晃 ,  金谷康 ,  渡边伸介

IPC: H03F3/60

CPC classification number: H03F3/604 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19051 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H03F2200/237 ,  H03F2200/255 ,  H03F2200/423 ,  H03F2200/429 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及一种能够改善失真特性的高频功率放大器。通过将多个晶体管单元(11)并联电连接从而形成多指型晶体管。多个晶体管单元(11)的栅电极连接到输入侧匹配电路(13)上。在各晶体管单元(11)的栅电极和输入侧匹配电路(13)之间分别连接有谐振电路(17)。谐振电路(17)以晶体管的工作频率的二次谐波频率或者在以二次谐波频率为中心的规定范围内进行谐振，相对于二次谐波成为高阻抗负载或者成为开路负载。

公开(公告)号：CN100594667C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200610121370.6

申请日：2006-08-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 天清宗山 ,  松塚隆之 ,  井上晃

IPC: H03F1/22 ,  H03F3/189 ,  H01L27/02

CPC classification number: H03F1/223 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0629 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/75

Abstract: 本发明旨在得到一种能够抑制从最优工作电容发生偏离并且能够降低制造成本的串叠放大器连接电路。它是以串叠放大方式连接有2个场效应晶体管(以下记作“FET”)的串叠放大器连接电路，具有：源极接地的第1FET；源极与第1FET的漏极连接的第2FET；阳极与第1FET的源极连接且阴极与第2FET的栅极连接的肖特基势垒二极管。

公开(公告)号：CN1287514C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200410028735.1

申请日：2004-03-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上晃 ,  太田彰 ,  后藤清毅

IPC: H03F3/60 ,  H01L23/50 ,  H01L23/525 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H03F1/565 ,  H03F3/602 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明的课题是，提供一种不受接地用导线的离散性影响、实现了小型-轻量化及低成本化的半导体装置，该半导体装置配备平衡型匹配电路。放大用半导体芯片(FET4)被连接在输入匹配电路(12)与输出匹配电路(15)之间，各匹配电路被设置在配备了从输入信号产生的信号的相位相差180度的平衡型电路的IPD上，将能够连接两匹配电路的虚拟接地点(VE)用作对RF特性敏感的接地点。

公开(公告)号：CN1274989A

公开(公告)日：2000-11-29

申请号：CN99126708.7

申请日：1999-12-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 长明健一郎 ,  森一富 ,  井上晃 ,  奥田敏雄

IPC: H03F3/19 ,  H03F3/68

CPC classification number: H03F1/302 ,  H03F3/19 ,  H03F3/72

Abstract: 提供能够抑制由进行高频信号功率放大的HBT构成的多级功率放大器中输出功率降低时的Rx噪声增加的多级功率放大器的偏置电路及其偏置供给方法。对于构成功率放大器2的初级放大器的HBT11a,把从外部控制电路17输入的信号Vapc输出到基极,在构成功率放大器2的其它放大器的各HBT11b以及11c的各基极上,从由信号Vapc进行动作控制的恒定电压电路22b以及22c供给偏置电流。