公开(公告)号：CN119013443A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380027130.1

申请日：2023-03-10

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 矶宪司 ,  德满洋司

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明涉及GaN外延基板，其包含GaN基板、和在上述GaN基板上外延生长而成的GaN缓冲层，上述GaN外延基板包含存在于上述GaN基板中或上述GaN缓冲层中的点A、和存在于上述GaN缓冲层中且Fe浓度为上述点A的Fe浓度的1/100的点B，上述点A与上述点B的距离为0.2μm以下。

公开(公告)号：CN116288724A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310347233.8

申请日：2019-07-24

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 矶宪司 ,  高桥达也 ,  望月多惠 ,  江夏悠贵

IPC: C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供n型GaN结晶、GaN晶片以及GaN结晶、GaN晶片和氮化物半导体器件的制造方法，若能够利用量产性优异的HVPE生长出具有与利用氨热法生长的GaN结晶相匹敌的20arcsec以下的(004)XRD摇摆曲线FWHM的GaN结晶，则期待能够有助于将c面GaN晶片用于基板而生产出的氮化物半导体器件的开发促进和低成本化。n型GaN结晶中，以最高浓度含有的供体杂质为Ge，具有小于0.03Ω·cm的室温电阻率，其(004)XRD摇摆曲线FWHM小于20arcsec。该n型GaN结晶具有面积分别为3cm2以上的2个主面，其一者为Ga极性，相对于(0001)结晶面的倾斜可以为0度以上10度以下。该n型GaN结晶可以进一步具有20mm以上的直径。

公开(公告)号：CN113906169A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202080040338.3

申请日：2020-05-28

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 矶宪司 ,  江夏悠贵 ,  下山谦司

IPC: C30B7/10 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明提供具有适宜作为半导体器件用的基板的结晶性和得到了改善的生产性的GaN基板晶片及其制造方法。该GaN基板晶片为发生了(0001)取向的GaN基板晶片，其夹着再生长界面具有设置于N极性侧的第一区域、和设置于Ga极性侧的第二区域，该第二区域的最小厚度为20μm以上，该第一区域中的选自Li、Na、K、F、Cl、Br及I的元素中的至少一种元素的浓度为1×1015atoms/cm3以上，并且，该第二区域满足选自以下(a)～(c)中的一个以上条件：(a)Si浓度为5×1016atoms/cm3以上；(b)O浓度为3×1016atoms/cm3以下；(c)H浓度为1×1017atoms/cm3以下。

公开(公告)号：CN113692459A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202080025770.5

申请日：2020-03-25

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 矶宪司

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供GaN基板晶片及其制造方法，其可优选用于在具有通过掺杂而增加的载流子浓度的GaN基板上设有器件结构的氮化物半导体器件的制造，具有改良的生产率。一种GaN基板晶片，其是(0001)取向的GaN晶片，其具有设于N极性侧的第一区域以及设于Ga极性侧的第二区域且该第一区域与该第二区域之间夹着再生长界面，该第二区域的最小厚度为20μm以上300μm以下，该第二区域包含供体杂质总浓度比该第一区域高的区域。第二区域中，将从该GaN基板晶片的Ga极性侧的主面起特定长度以内的区域定义为主掺杂区域，可以按照至少该主掺杂区域中的供体杂质的总浓度为1×1018atoms/cm3以上的方式对该第二区域进行掺杂。