公开(公告)号：CN1918698B

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200580004481.2

申请日：2005-02-02

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 池本慎 ,  森永均

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C11D3/30 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/3409 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供半导体装置用基板的洗涤液及洗涤方法，所述半导体装置用基板的洗涤液能够同时去除微粒污染、有机物污染及金属污染而不腐蚀基板表面，并且水冲洗性良好，可以在短时间内高度清洁基板表面。所述半导体装置用基板洗涤液含有：成分(a)有机酸、成分(b)有机碱成分、成分(c)表面活性剂及成分(d)水，该洗涤液的pH大于等于1.5而小于6.5。所述半导体装置用基板的洗涤方法使用该半导体装置用基板洗涤液对表面具有铜膜和低介电常数绝缘膜并且经CMP处理的半导体装置用基板进行洗涤。

公开(公告)号：CN1639846A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03804802.7

申请日：2003-01-27

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 池本慎 ,  河瀬康弘 ,  森永均

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/08 ,  C11D1/72

CPC classification number: C11D3/042 ,  C11D1/72 ,  C11D3/2075 ,  C11D11/0047

Abstract: 至少含有以下的成分(A)、(B)及(C)的半导体器件用基板的清洗液和使用该清洗液的清洗方法。成分(A)：含有可有取代基(除苯基外)的烃基和聚氧化乙烯基，且烃基中的碳原子数(m)与聚氧化乙烯基中的氧化乙烯基数(n)的比(m/n)是1～1.5、碳原子数(m)是9或9以上、氧化乙烯基数(n)是7或7以上的环氧乙烷型表面活性剂。成分(B)：水。成分(C)：碱或有机酸。上述的清洗液不腐蚀基板表面，通过清洗除去粘在基板表面上的微粒或有机污染，将基板表面高度地清洁化。

公开(公告)号：CN106044727A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610367841.5

申请日：2012-11-29

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 山崎正典 ,  阿部麻理 ,  村瀬友英 ,  河瀬康弘 ,  池本慎 ,  桐谷秀纪 ,  松下泰典

IPC: C01B21/064 ,  C08K3/38 ,  C08L63/00 ,  C08L101/00 ,  C09D7/12 ,  C09D201/00

CPC classification number: C09K5/14 ,  C01B21/064 ,  C01B21/0648 ,  C01B35/146 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/30 ,  C01P2004/45 ,  C01P2004/50 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/11 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/14 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/80 ,  C08G59/4042 ,  C08K3/38 ,  C08K2003/385 ,  C08L63/00 ,  H01L21/77 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L27/04 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/2982 ,  H01L2924/00 ,  C08L101/00 ,  C09D201/00

Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。

公开(公告)号：CN105073883A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480018168.3

申请日：2014-03-28

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 杉山雅哉 ,  河濑康弘 ,  池本慎 ,  桐谷秀纪 ,  山崎正典

IPC: C08L63/00 ,  C08K3/00 ,  C08K5/17

CPC classification number: C09D163/00 ,  C08G59/5033 ,  C08K3/22 ,  C08K3/28 ,  C08K3/36 ,  C08K3/38 ,  C08K5/18 ,  C08K5/42 ,  C08K2003/222 ,  C08K2003/2227 ,  C08K2003/282 ,  C08K2003/385 ,  C08L63/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明涉及层积型半导体装置的层间填充材料用组合物、层积型半导体装置以及层积型半导体装置的制造方法。本发明提供一种能够形成层积型半导体装置用的层间填充材料层的组合物，所述层间填充材料层兼顾高K1c值、高玻璃化转变温度、及低粘度，即使在环境变化时也可维持稳定的接合。本发明的组合物含有在25℃的粘度为50Pa·s以下的环氧化合物(A)、熔点或软化点为80℃以上的胺化合物(B)、以及熔点或软化点小于80℃的胺化合物(C)，设上述胺化合物(B)与上述胺化合物(C)的合计为100重量份时，该胺化合物(C)的比例为1重量份以上且小于40重量份。

公开(公告)号：CN101681824A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880015508.1

申请日：2008-05-16

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 河瀬康弘 ,  池本慎 ,  伊藤笃史 ,  石川诚

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/0206 ,  C11D3/2075 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明提供一种半导体器件用基板清洗液，其对基板表面附着的颗粒或有机物的污染、金属污染以及有机物和金属导致的复合污染的去除性和防止再附着性优异，不会腐蚀基板表面，能够高度洁净化。特别是提供低介电常数(Low-k)材料的清洗性优异的清洗液，低介电常数(Low-k)材料因疏水性而容易排斥试剂，并且颗粒去除性差。所述半导体器件用基板清洗液的特征在于，其含有(A)有机酸和(B)HLB值为5以上且小于13的非离子型表面活性剂。

公开(公告)号：CN1918698A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200580004481.2

申请日：2005-02-02

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 池本慎 ,  森永均

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C11D3/30 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/3409 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供半导体装置用基板的洗涤液及洗涤方法，所述半导体装置用基板的洗涤液能够同时去除微粒污染、有机物污染及金属污染而不腐蚀基板表面，并且水冲洗性良好，可以在短时间内高度清洁基板表面。所述半导体装置用基板洗涤液含有：成分(a)有机酸、成分(b)有机碱成分、成分(c)表面活性剂及成分(d)水，该洗涤液的pH大于等于1.5而小于6.5。所述半导体装置用基板的洗涤方法使用该半导体装置用基板洗涤液对表面具有铜膜和低介电常数绝缘膜并且经CMP处理的半导体装置用基板进行洗涤。