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公开(公告)号：CN106044727B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610367841.5
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L63/00 , C08L101/00 , C09D7/40 , C09D201/00
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN105947997A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610370621.8
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C01B35/14 , C08G59/40 , C08L63/00 , C08K3/38
CPC classification number: C09K5/14 , C01B21/064 , C01B21/0648 , C01B35/146 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/32 , C01P2006/80 , C08G59/4042 , C08K3/38 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L21/77 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , Y10T156/10 , Y10T428/25 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN106044727A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610367841.5
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L63/00 , C08L101/00 , C09D7/12 , C09D201/00
CPC classification number: C09K5/14 , C01B21/064 , C01B21/0648 , C01B35/146 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/32 , C01P2006/80 , C08G59/4042 , C08K3/38 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L21/77 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , Y10T156/10 , Y10T428/25 , Y10T428/2982 , H01L2924/00 , C08L101/00 , C09D201/00
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN105073883A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480018168.3
申请日：2014-03-28
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C09D163/00 , C08G59/5033 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/36 , C08K3/38 , C08K5/18 , C08K5/42 , C08K2003/222 , C08K2003/2227 , C08K2003/282 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/83201 , H01L2224/83948 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明涉及层积型半导体装置的层间填充材料用组合物、层积型半导体装置以及层积型半导体装置的制造方法。本发明提供一种能够形成层积型半导体装置用的层间填充材料层的组合物，所述层间填充材料层兼顾高K1c值、高玻璃化转变温度、及低粘度，即使在环境变化时也可维持稳定的接合。本发明的组合物含有在25℃的粘度为50Pa·s以下的环氧化合物(A)、熔点或软化点为80℃以上的胺化合物(B)、以及熔点或软化点小于80℃的胺化合物(C)，设上述胺化合物(B)与上述胺化合物(C)的合计为100重量份时，该胺化合物(C)的比例为1重量份以上且小于40重量份。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105073883B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201480018168.3
申请日：2014-03-28
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C09D163/00 , C08G59/5033 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/36 , C08K3/38 , C08K5/18 , C08K5/42 , C08K2003/222 , C08K2003/2227 , C08K2003/282 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/83201 , H01L2224/83948 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明涉及层积型半导体装置的层间填充材料用组合物、层积型半导体装置以及层积型半导体装置的制造方法。本发明提供一种能够形成层积型半导体装置用的层间填充材料层的组合物，所述层间填充材料层兼顾高K1c值、高玻璃化转变温度、及低粘度，即使在环境变化时也可维持稳定的接合。本发明的组合物含有在25℃的粘度为50Pa·s以下的环氧化合物(A)、熔点或软化点为80℃以上的胺化合物(B)、以及熔点或软化点小于80℃的胺化合物(C)，设上述胺化合物(B)与上述胺化合物(C)的合计为100重量份时，该胺化合物(C)的比例为1重量份以上且小于40重量份。
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公开(公告)号：CN103958400B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201280058680.1
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L63/00 , C08L101/00 , C09D7/12 , C09D201/00
CPC classification number: C09K5/14 , C01B21/064 , C01B21/0648 , C01B35/146 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/32 , C01P2006/80 , C08G59/4042 , C08K3/38 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L21/77 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , Y10T156/10 , Y10T428/25 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN105947997B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201610370621.8
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C01B35/14 , C08G59/40 , C08L63/00 , C08K3/38
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN103958400A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280058680.1
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L63/00 , C08L101/00 , C09D7/12 , C09D201/00
CPC classification number: C09K5/14 , C01B21/064 , C01B21/0648 , C01B35/146 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/32 , C01P2006/80 , C08G59/4042 , C08K3/38 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L21/77 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , Y10T156/10 , Y10T428/25 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN103443919A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280016243.3
申请日：2012-03-30
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/56 , H01L21/563 , H01L23/29 , H01L23/295 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181 , H01L2224/11334 , H01L2224/11462 , H01L2224/13025 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/2937 , H01L2224/29386 , H01L2224/29387 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , Y10T428/2991 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种由兼备高导热性和低线膨胀性的层间填充材料组合物填充的三维集成电路叠层体。本发明的三维集成电路叠层体具有半导体基板叠层体，该半导体基板叠层体是将至少2层以上形成有半导体器件层的半导体基板叠层而得到的，其中，在该半导体基板之间具有第一层间填充材料层，所述第一层间填充材料层含有树脂(A)及无机填料(B)，并且导热系数为0.8W/(m·K)以上。
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