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公开(公告)号：CN101799628A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010121441.9
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y30/00 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。
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公开(公告)号：CN101087009A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710106593.X
申请日：2007-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0068 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H05B33/14 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 公开了有机半导体材料，其包括相对低分子量芳环化合物的混合物，其中在芳环化合物中存在至少一个氮原子或氧原子作为杂原子，用来在杂原子和相邻分子之间形成氢键并由此增加分子间堆积。使用这种有机半导体材料形成的有机半导体层将因此显示出增加的分子间堆积和半导体层的一种或多种电性质的关联改进。结合该有机半导体层的有机薄膜晶体管往往会显示出提高的晶体管性质，其包括例如增加的载流子迁移率和降低的断路状态泄漏电流。另外，可使用常规的室温方法例如旋涂或印刷制造有机半导体层，由此简化制造方法。
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公开(公告)号：CN118284093A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311839416.8
申请日：2023-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/12 , H10K101/30
Abstract: 发光器件和包括其的电子设备。发光器件包括第一电极、面对第一电极的第二电极、以及布置在第一电极和第二电极之间的中间层，中间层包括第一发射层和第二发射层，第一发射层包括能够发射第一光的第一掺杂剂和第一主体，第一主体包括m1种主体，m1为1或更大的整数，和当m1为2或更大时，两种或更多种主体存在于第一发射层中且彼此不同，第二发射层包括能够发射第二光的第二掺杂剂和第二主体，第二主体包括m2种主体，m2为1或更大的整数，和当m2为2或更大时，两种或更多种主体存在于第二发射层中且彼此不同，第一掺杂剂包括第一过渡金属，第二掺杂剂包括不同于第一过渡金属的第二过渡金属，并且满足表达式1和表达式2并且其提供于本说明书中。
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公开(公告)号：CN115073529A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210251124.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中M为过渡金属，L1为由式2‑1表示的配体，L2为由式2‑2表示的配体，n1和n2各自独立地为1或2，n1与n2之和为2或3，且L1和L2彼此不同，其中Y1、Y4、X1、X21、环CY1、环CY21、环CY22、环CY14、A1、a1、a2、b1、c1、R11‑R14、R21‑R23、和Z1‑Z5如本说明书中所定义的，式2‑1和2‑2中的*和*'各自表示与M的结合位点，且式3中的＊表示与式2‑1中的环CY1的结合位点。式1M(L1)n1(L2)n2
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113135961A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110073591.5
申请日：2021-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括有机金属化合物的有机发光器件和包括有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M、L1、L2、n1和n2可通过参照分别如本文中公开的M、L1、L2、n1和n2的描述而理解。式1M(L1)n1(L2)n2。
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公开(公告)号：CN112480180A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010950227.8
申请日：2020-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的有机发光器件和包括所述有机发光器件的电子设备，所述有机金属化合物由式1表示，其中式1中的M、L1、L2、n1和n2与在详细说明书中描述的相同。 M(L1)n1(L2)n2。
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公开(公告)号：CN101691420B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910009844.1
申请日：2009-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08G61/126 , C08G61/123 , H01B1/127 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0545 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及有机半导体共聚物和包括其的有机电子器件。根据示例性实施方式的有机半导体共聚物可由下式1表示。有机电子器件可包括上述有机半导体共聚物。根据示例性实施方式的有机半导体共聚物可提供改善的溶解性、加工性能和薄膜性能。因此，该有机半导体共聚物可用在多种电子器件中。合适的电子器件可为有机薄膜晶体管。当有机薄膜晶体管的有源层包含该有机半导体共聚物时，可获得更高的电荷迁移率和更低的断路泄漏电流。(式1)
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公开(公告)号：CN1891754B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200610093726.X
申请日：2006-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/122 , C08G61/126 , H01L51/0035 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种有机聚合物半导体化合物，使用该化合物形成有机聚合物半导体薄膜的方法，和使用该化合物的有机薄膜晶体管。本发明的实施方式涉及侧链含有可除去的取代基的有机聚合物半导体化合物，同时涉及使用该有机聚合物半导体化合物作为有机活性层的有机薄膜晶体管，其具有较低的泄漏电流、较高的电荷载流子迁移率，和/或较高的开-关比。
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公开(公告)号：CN100514696C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610003637.1
申请日：2006-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , C08L101/04
CPC classification number: H01L21/0212 , H01L21/02282 , H01L21/3127 , H01L21/31691 , H01L51/0036 , H01L51/052 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管可以包括形成在基板上的的栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，其中氟类聚合物薄膜可以在栅绝缘层和有机半导体层之间的界面处形成(或沉积)。该有机薄膜晶体管可以具有更高电荷载流子迁移率和/或更高开关电流比(I开/I关)。此外，聚合物有机半导体可以用于通过湿法工艺形成绝缘层和有机半导体层，因此可以通过简化的过程以降低的成本制造有机薄膜晶体管。
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