公开(公告)号：CN1716633A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200410075895.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78654 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。通过均匀控制晶化催化剂的低浓度和控制晶化位置使得在薄膜晶体管的沟道层中不存在籽晶并且不存在晶界或只存在一个晶界，从而开发出一种具有改进的特性和均匀性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：衬底；在衬底上形成的半导体层图案，该半导体层图案具有不存在籽晶且不存在晶界的沟道层；在半导体层图案上形成的栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成的栅电极。一种用于制造薄膜晶体管的方法包括：在衬底上形成非晶硅层；通过晶化并构图非晶硅层，形成具有其中不存在籽晶且不存在晶界的沟道层的半导体层图案；在半导体层图案上形成栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。

公开(公告)号：CN100448029C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200410075887.7

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  李基龙 ,  梁泰勋 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1296 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种薄膜晶体管及其制造方法。在薄膜晶体管中，在半导体层图案而不是在结区中存在晶种或晶粒边界。该法包括形成半导体层图案。该形成的半导体层图案，包括：在非晶硅层上形成和图案化第一覆盖层；在第一覆盖层图案上形成第二覆盖层；在第二覆盖层上形成金属催化剂层；扩散金属催化剂；以及结晶非晶硅层以形成多晶硅层。因此，可以阻止在结区中产生阱，从而获得改善的和均匀特性的器件。

公开(公告)号：CN101315883A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810108798.6

申请日：2008-06-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远 ,  李基龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供制作多晶硅层的方法，包括：在衬底上形成非晶硅层；利用结晶诱导金属使非晶硅层结晶为多晶硅层；形成与多晶硅层中沟道区之外的区域相对应的多晶硅层的上方和下方接触的金属层图案或者金属硅化物层图案；以及退火该衬底以将存在于多晶硅层沟道区中的结晶诱导金属吸到具有金属层图案或者金属硅化物层图案的多晶硅层区域。此外，存在于多晶硅沟道区中的结晶诱导金属可以有效地去除，并且从而可以制作具有改良泄露电流特性的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的OLED显示装置。

公开(公告)号：CN101252150A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200710307439.9

申请日：2007-12-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  朴炳建 ,  梁泰勋 ,  李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种薄膜晶体管，包括：衬底；设置在衬底上的半导体层，包括源极区域、漏极区域和沟道区域，并且由多晶硅层构成；设置成与半导体层的沟道区域对应的栅极电极；设置在半导体层和栅极电极之间的栅极绝缘层；以及分别电连接到半导体层的源极区域和漏极区域的源极电极和漏极电极，其中，多晶硅层包括相互具有不同拉曼谱峰值的多个区域。

公开(公告)号：CN101211963A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710300854.1

申请日：2007-12-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  朴炳建 ,  李基龙 ,  丁世桓

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/544 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1285 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2300/0861 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1296 ,  H01L2251/566

Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示器及其制造方法，在该有机发光显示器中，在非显示区中形成对准标记。该有机发光显示器包括：基底，具有显示区和非显示区；缓冲层，形成在整个基底上；有源层；栅极绝缘层；栅电极，对应于有源层形成在栅极绝缘层上；层间介电层，形成在栅极绝缘层上；源/漏电极，形成在层间介电层上，并电结合到有源层；绝缘层，形成在源/漏电极上；有机发光二极管，形成在绝缘层上，并电结合到源/漏电极。此外，该有机发光显示器包括形成在基底和缓冲层中的一个上的对准标记。

公开(公告)号：CN1983571A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610166982.7

申请日：2006-12-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明公开了一种多晶硅层，一种使用所述多晶硅层的平板显示器及其制造方法。所述多晶硅层通过使用超晶粒硅结晶(SGS)技术结晶非晶硅层的籽晶区而形成。所述籽晶区的结晶度扩散入籽晶区之外的结晶区。所述结晶区形成为可以被结合以制成驱动平板显示器的薄膜晶体管的半导体层。用本发明的方法制成的所述半导体层提供了一致的晶界的生长，并且改善了由所述半导体层制成的薄膜晶体管的特性。

公开(公告)号：CN1734787A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200410094226.9

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  李基龙 ,  梁泰勋 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种底栅极薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管具有通过特大晶粒硅(SGS)晶化方法晶化的沟道区，该方法包括：在绝缘基板上形成栅极电极和栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成非晶硅层，继而形成覆盖层和金属催化剂层；进行热处理使非晶硅层晶化成为多晶硅层；以及形成蚀刻停止层、源极和漏极区及源极和漏极电极。该薄膜晶体管包括：绝缘基板；栅极电极，其形成在所述绝缘基板上；栅极绝缘层，形成在所述栅极电极上；多晶硅层，其形成在所述栅极绝缘层上，并且通过特大晶粒硅(SGS)晶化法进行晶化；以及源极和漏极区、源极和漏极电极，它们形成在所述基板的预定区域中。

公开(公告)号：CN1719615A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200410075888.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/923

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管特征在于，在半导体层图案中的沟道中形成的低角度晶界相对于电流流动方向倾斜－15到15°。该方法包括：在衬底上形成非晶硅层；在非晶硅层上形成第一盖层；在第一盖层上形成第二盖层，且构图第二盖层使得籽晶形成为线形；在构图的第二盖层上形成金属催化剂层；扩散金属催化剂；以及晶化并构图非晶硅层来形成半导体层图案。因而，具有与电流流动方向近似平行的角度的沟道层可以通过形成和晶化线形籽晶而在低角度晶界形成。换句话说，器件特性可以通过调整晶体生长的位置和方向来改善并均匀化。

公开(公告)号：CN101325220A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810125129.X

申请日：2008-06-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管(TFT)、TFT的制造方法和包括TFT的显示装置。TFT包括具有沟道区域的半导体层，并且源极和漏极区域采用晶化诱导金属晶化。晶化诱导金属通过不同于晶化诱导金属的金属或者不同于晶化诱导金属的金属的金属硅化物吸除。半导体层的沟道区域的长度和宽度与半导体层的泄漏电流满足下面的等式：Ioff/W＝3.4×10－15L2+2.4×10－12L+c，其中Ioff(A)是该半导体层的泄漏电流，W(mm)是该沟道区域的宽度，L(μm)是该沟道区域的长度，而″c″是常数，范围为2.5×10－13至6.8×10－13。

公开(公告)号：CN101211979A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710301181.1

申请日：2007-12-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  丁世桓 ,  李基龙 ,  马克西姆·莉萨契克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种晶体管及其制造方法以及具有该晶体管的平板显示器。所述晶体管包括：基底；有源区，包括源区、沟道区和漏区，所述源区、沟道区和漏区利用SGS结晶方法结晶，并且形成在基底上，使得第一退火部分和第二退火部分的晶粒尺寸彼此不同；栅极绝缘层，形成在有源区上；栅电极，形成在栅极绝缘层上。