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公开(公告)号:CN101211963A
公开(公告)日:2008-07-02
申请号:CN200710300854.1
申请日:2007-12-29
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L23/544 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/1285 , G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1296 , H01L2251/566
Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示器及其制造方法,在该有机发光显示器中,在非显示区中形成对准标记。该有机发光显示器包括:基底,具有显示区和非显示区;缓冲层,形成在整个基底上;有源层;栅极绝缘层;栅电极,对应于有源层形成在栅极绝缘层上;层间介电层,形成在栅极绝缘层上;源/漏电极,形成在层间介电层上,并电结合到有源层;绝缘层,形成在源/漏电极上;有机发光二极管,形成在绝缘层上,并电结合到源/漏电极。此外,该有机发光显示器包括形成在基底和缓冲层中的一个上的对准标记。
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公开(公告)号:CN101211979A
公开(公告)日:2008-07-02
申请号:CN200710301181.1
申请日:2007-12-26
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/04 , H01L21/336 , H01L21/20
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种晶体管及其制造方法以及具有该晶体管的平板显示器。所述晶体管包括:基底;有源区,包括源区、沟道区和漏区,所述源区、沟道区和漏区利用SGS结晶方法结晶,并且形成在基底上,使得第一退火部分和第二退火部分的晶粒尺寸彼此不同;栅极绝缘层,形成在有源区上;栅电极,形成在栅极绝缘层上。
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