公开(公告)号：CN100421263C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN03132786.9

申请日：2003-07-08

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李基龙 ,  朴志容 ,  苏宇永

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明涉及用于TFT的多晶硅薄膜和采用它制造的器件，使用该用于TFT的多晶硅薄膜的器件，通过提供TFT的多晶硅薄膜，TFT和器件的均匀性得到改进。

公开(公告)号：CN100379025C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200410092219.5

申请日：2004-11-03

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，不仅改善了电学特性，如电子迁移率，而且还改善了整个衬底的电学特性的均匀性。薄膜晶体管包括具有MILC区的半导体层，该MILC区具有通过MILC法结晶的第一晶粒和设置在第一晶粒之间的第二晶粒，所述第二晶粒具有不同于所述第一晶粒的晶体特性，并通过固相结晶法形成。薄膜晶体管的制造方法包括：在衬底上沉积非晶硅并对沉积的非晶硅构图以形成半导体层；在所述半导体层的多个区域上沉积诱导结晶金属层；对衬底上沉积所述诱导结晶金属层的地方进行第一热处理，在所述半导体层中形成金属诱导横向结晶区；和在衬底上形成所述金属诱导横向结晶区的地方以高于所述第一热处理的温度进行第二热处理。

公开(公告)号：CN1324696C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200410071242.6

申请日：2004-07-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴志容 ,  具在本 ,  朴惠香 ,  李基龙 ,  李乙浩

IPC: H01L21/84 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性，在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且，由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀，所以在象素部分中具有更好的电流一致性。

公开(公告)号：CN1716633A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200410075895.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78654 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。通过均匀控制晶化催化剂的低浓度和控制晶化位置使得在薄膜晶体管的沟道层中不存在籽晶并且不存在晶界或只存在一个晶界，从而开发出一种具有改进的特性和均匀性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：衬底；在衬底上形成的半导体层图案，该半导体层图案具有不存在籽晶且不存在晶界的沟道层；在半导体层图案上形成的栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成的栅电极。一种用于制造薄膜晶体管的方法包括：在衬底上形成非晶硅层；通过晶化并构图非晶硅层，形成具有其中不存在籽晶且不存在晶界的沟道层的半导体层图案；在半导体层图案上形成栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。

公开(公告)号：CN1577457A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410034645.3

申请日：2004-04-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴商一 ,  朴志容 ,  李基龙 ,  李乙浩

IPC: G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  G09F9/30

CPC classification number: G09G3/3275 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开一种具有长使用寿命的高速平板显示器，其中设置有多个像素的像素阵列部分和用于驱动像素阵列部分的像素的驱动电路部分中的薄膜晶体管彼此具有不同的电阻值或者彼此具有不同的几何结构。该平板显示器包括像素阵列部分，具有多个设置在其上的像素；以及驱动电路部分，用于驱动所述像素阵列部分的像素。像素阵列部分和驱动电路部分中的薄膜晶体管在它们的栅区或漏区彼此具有不同的电阻值或者彼此具有不同的几何结构。像素阵列部分和驱动电路部分中的薄膜晶体管中的一个在它的栅区或漏区中具有锯齿形形状或者具有偏置区域。

公开(公告)号：CN1499457A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310102978.0

申请日：2003-10-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金沃炳 ,  李基龙 ,  朴志容

IPC: G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种具有优良特性的显示器件，其具有多晶硅衬底，使得Vth和迁移率特性以及亮度特性更均匀。该显示器件包括：一显示区；位于显示区中的多个第一薄膜晶体管；和位于显示区的多晶硅衬底中的主晶粒边界；其中主晶粒边界以－30°～30°的角度向自多个第一薄膜晶体管的每一个的源极流向漏极的第一电流方向倾斜。

公开(公告)号：CN1433084A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03101694.4

申请日：2003-01-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78696

Abstract: 用于TFT(薄膜晶体管)的多晶硅薄膜以及使用TFT的显示装置，其中晶界的数目对载流子的运动施加重大影响，提供工作通道之间的距离“S”满足S＝mGs·secθ－L的关系的双通道或多通道TFT，并且提供通过同步化双通道或多通道的每个通道中所包含的晶界数目而提高TFT特征均匀性的显示器件S＝mGs·secθ－L在上式中，Gs为多晶硅薄膜的晶粒尺寸，m为1或更大的整数，θ为倾斜角，即主晶界(“初级”晶界)沿垂直于工作通道的方向倾斜的角度，L为每个具有双通道或多通道的TFT的工作通道的长度。

公开(公告)号：CN100411194C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200410089964.4

申请日：2004-06-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L29/42384

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及平板显示装置。该薄膜晶体管具有布置于基底上的半导体层、布置于基底上和半导体层上的栅极绝缘层、以及布置于栅极绝缘层上的栅极，栅极绝缘层布置成厚度为从等于半导体层厚度至半导体厚度的1.5倍。栅极绝缘层可仅是氮化物层、仅是氧化物层、或由氮化物层和氧化物层两者构成的叠层膜。该薄膜晶体管能结合在用于平板显示装置的构造中。

公开(公告)号：CN100401531C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200410099717.2

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  李基龙 ,  梁泰勋 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管和其制造方法。薄膜晶体管包括：形成在衬底上的金属催化剂层，和依次形成在金属催化剂层上的第一帽盖层和第二帽盖层图案。方法包括：在金属催化剂层上形成第一帽盖层，在第一帽盖层上形成并构图第二帽盖层，在已构图的第二帽盖层上形成非晶硅层，扩散金属催化剂，以及结晶非晶硅层形成多晶硅层。以均匀的低浓度扩散结晶催化剂以控制催化剂形成的籽晶的位置，以使得在多晶硅层中的沟道区接近于单晶。因此，薄膜晶体管器件的特性可以得到提高并变得均匀。

公开(公告)号：CN101165881A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710106343.6

申请日：2007-05-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种制造CMOS薄膜晶体管的方法，包括：提供衬底；在衬底上形成无定形硅层；在衬底上执行第一退火处理以及使无定形硅层结晶成多晶硅层；形成多晶硅层的图案以形成第一和第二半导体层；把第一杂质植入第一和第二半导体层；把第二杂质植入第一或第二半导体层；以及在半导体层上执行第二退火处理以除去残留在植入有第二杂质的第一或第二半导体层中的金属催化剂，其中按6×1013/cm2到5×1015/cm2的剂量植入第一杂质，并且按1×1011/cm2到3×1015/cm2的剂量植入第二杂质。