公开(公告)号：CN111315836B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201880072308.3

申请日：2018-07-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  郑荣哲 ,  金廷熙 ,  姜东宪

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供了包含二氧化铈、含铈的二氧化铈活化剂和无机膜表面保护剂的有机膜CMP浆料组合物，以及使用其的有机膜抛光方法。

公开(公告)号：CN109153907B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201680068602.8

申请日：2016-10-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜东宪 ,  金廷熙 ,  崔正敏 ,  兪龙植

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种CMP研浆组成物及使用其研磨有机膜的方法，所述CMP研浆组成物包含：含有含铁组分的氧化剂；具有一个羧基的有机酸；以及水。本发明的CMP研浆组成物不包含研磨颗粒，藉此有效地阻止研磨颗粒引起的过度研磨和/或在研磨有机膜时出现刮痕。

公开(公告)号：CN112680109A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011111565.9

申请日：2020-10-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金亨默 ,  张根三 ,  姜东宪 ,  李锺元

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06

Abstract: 本发明涉及一种用于铜膜的化学机械抛光浆料组合物和使用其来抛光铜膜的方法。化学机械抛光浆料组合物包含：自极性溶剂和非极性溶剂当中选出的至少一溶剂；以及硅烷改性的抛光颗粒，其中硅烷由式1表示。

公开(公告)号：CN110819237A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910732050.1

申请日：2019-08-08

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李泳基 ,  金亨默 ,  辛奈律 ,  姜东宪 ,  朴泰远

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/04

Abstract: 本发明提供一种用于抛光铜膜的CMP浆液组合物和使用其抛光铜膜的方法。CMP浆液组合物包含：选自极性溶剂和非极性溶剂当中的至少一种；金属氧化物磨料；甘氨酸；组氨酸；以及咪唑化合物。

公开(公告)号：CN112680109B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202011111565.9

申请日：2020-10-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金亨默 ,  张根三 ,  姜东宪 ,  李锺元

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06

Abstract: 本发明涉及一种用于铜膜的化学机械抛光浆料组合物和使用其来抛光铜膜的方法。化学机械抛光浆料组合物包含：自极性溶剂和非极性溶剂当中选出的至少一溶剂；以及硅烷改性的抛光颗粒，其中硅烷由式1表示。

公开(公告)号：CN108138029B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201680056927.4

申请日：2016-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  都均奉 ,  姜东宪 ,  金东珍 ,  兪龙植 ,  郑荣哲 ,  赵炫洙

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法。所述CMP浆料组成物包含氧化铈及硝酸铈，其中由方程式(1)所计算的选择性比为约100或大于100：[方程式(1)]选择性比＝α/β(其中α是对有机膜的研磨速率(埃/分钟)且β是对无机膜的研磨速率(埃/分钟))。本发明的有机膜CMP浆料组成物具有有机膜相对于无机膜的高选择性比。

公开(公告)号：CN109153907A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201680068602.8

申请日：2016-10-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜东宪 ,  金廷熙 ,  崔正敏 ,  兪龙植

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种CMP研浆组成物及使用其研磨有机膜的方法，所述CMP研浆组成物包含：含有含铁组分的氧化剂；具有一个羧基的有机酸；以及水。

公开(公告)号：CN107109135A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580073046.9

申请日：2015-10-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 卢钟一 ,  姜东宪 ,  郑正焕 ,  崔渶楠

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种用于抛光铜线的CMP浆料组合物，CMP浆料组合物包含胶态二氧化硅、氧化剂、络合剂、腐蚀抑制剂、pH调节剂、以及超纯水。胶态二氧化硅具有72.9至88.5m2/g的比表面积(BET)，并且CMP浆料组合物中包括0.1至2wt％的胶态二氧化硅。CMP浆料组合物具有优异的铜线抛光速率，具有少量的缺陷，并且最小化抛光之后的刮痕，并且可以最小化凹陷。

公开(公告)号：CN106687553A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580049063.9

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 俞龙植 ,  崔正敏 ,  姜东宪 ,  金泰完 ,  金古恩 ,  金容国

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1472 ,  H01L21/31058

Abstract: 本发明涉及用于抛光有机膜的用于有机膜的CMP浆料组合物以及使用其的有机膜抛光方法，所述CMP浆料组合物包含：极性溶剂和/或非极性溶剂；金属氧化物研磨剂；氧化剂；和杂环化合物，其中作为杂原子的杂环化合物包含氧(O)原子、硫(S)原子和氮(N)原子中的一种或两种并且具有50‑95原子％的碳含量。

公开(公告)号：CN105143390A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480021926.7

申请日：2014-04-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  能条治辉 ,  朴容淳 ,  兪龙植 ,  姜东宪 ,  金高恩 ,  金泰完

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B1/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/00 ,  C09G1/04 ,  C09G1/06 ,  C09K3/1454 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472 ,  C09K13/06 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及一种用于研磨有机膜的有机膜CMP浆料组成物，其包含至少极性溶剂或非极性溶剂以及金属氧化物研磨剂，其中所述组成物为酸性，且所述有机膜具有约50原子％至95原子％的碳含量，且本发明涉及使用其的研磨方法。