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公开(公告)号：CN1051854C
公开(公告)日：2000-04-26
申请号：CN93119678.7
申请日：1993-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金荣俊
CPC classification number: G06N7/04
Abstract: 一种用于模糊控制器的最大－最小处理电路，包括使用了流水线结构。该电路包括：被第一维信息的输入值初始化的第一存贮器(31)；被第二维信息的标号矩阵初始化的第二存储器(32)；和用来产生由第一存贮器(31)和第二存贮器(32)的信号确定的标号的隶属度信号的第三存贮器(33)。该电路产生最小值和最大值，采用较少的部件改善处理速度，并有效处理更多的输入和输出、更宽的输入范围及更多的控制规则。
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公开(公告)号：CN113711492B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202080029374.X
申请日：2020-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了根据各种实施例的定向耦合器和具有该定向耦合器的电子装置。所述定向耦合器包括：第一层，所述第一层具有至少一个导电部分；第二层，所述第二层在第一方向上与所述第一层相邻地设置，并具有与所述第一层的所述导电部分对应的至少一个导电板；第三层，所述第三层在所述第一方向上与所述第二层相邻地设置，并包括RF信号传输线；第四层，所述第四层在所述第一方向上与所述第三层相邻地设置，并具有缠绕至少一圈的导电线；以及至少一个导电通路，所述至少一个导电通路电连接所述第二层的所述至少一个导电板和所述第四层的缠绕至少一圈的所述导电线。
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公开(公告)号：CN109148327B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201810623331.9
申请日：2018-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 公开了一种基板干燥装置、制造半导体器件的设备以及干燥基板的方法。基板干燥装置包括：腔室，其被配置为以第一温度干燥基板；第一贮存器，其被配置为储存处于小于第一温度的第二温度的第一超临界流体；第二贮存器，其被配置为储存处于大于第一温度的第三温度的第二超临界流体；以及供应单元，其连接在腔室与第一贮存器和/或第二贮存器之间。供应单元被配置为向腔室供应第一超临界流体和第二超临界流体。
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公开(公告)号：CN113966635A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202080042741.X
申请日：2020-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于会聚第五代(5G)通信系统或第六代(6G)通信系统以支持超过第四代(4G)系统的较高数据速率的通信方法和系统。提供了一种在移动通信系统中通过使用第二移动通信提供商的频率资源与用户设备进行通信的方法，该方法由第一移动通信提供商的第一基站执行。该方法包括请求许可第一基站使用第二移动通信提供商的第二频率资源，通过第一移动通信提供商的第一频率资源向用户设备发送设置信息，用于使用第二移动通信提供商的第二频率资源建立通信，以及通过第二频率资源与用户设备通信。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110473804A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910381619.4
申请日：2019-05-08
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L21/67
Abstract: 清洁设备包括气体供应线路和清洁液体供应线路。喷嘴连接到气体供应线路和清洁液体供应线路。喷嘴将清洁液体施加到基板上。位于喷嘴的主体的顶部处的气体注入口连接到气体供应线路。第一清洁液体注入口设置在喷嘴主体的侧壁上并连接到清洁液体供应线路。流体排出口设置在喷嘴主体的底部，并排出气体和清洁液体。喷嘴主体的内部通道将气体注入口和第一清洁液体注入口中的每一个连接到流体排出口。流体排出口的直径大于第一清洁液体注入口的直径。
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公开(公告)号：CN109148327A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810623331.9
申请日：2018-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67034 , B08B3/08 , B08B2203/007 , F26B3/00 , F26B5/005 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/67173 , H01L21/67219 , H01L21/67248
Abstract: 公开了一种基板干燥装置、制造半导体器件的设备以及干燥基板的方法。基板干燥装置包括：腔室，其被配置为以第一温度干燥基板；第一贮存器，其被配置为储存处于小于第一温度的第二温度的第一超临界流体；第二贮存器，其被配置为储存处于大于第一温度的第三温度的第二超临界流体；以及供应单元，其连接在腔室与第一贮存器和/或第二贮存器之间。供应单元被配置为向腔室供应第一超临界流体和第二超临界流体。
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公开(公告)号：CN113966635B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202080042741.X
申请日：2020-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W56/00 , H04W72/0453 , H04W16/14
Abstract: 本发明涉及一种用于会聚第五代(5G)通信系统或第六代(6G)通信系统以支持超过第四代(4G)系统的较高数据速率的通信方法和系统。提供了一种在移动通信系统中通过使用第二移动通信提供商的频率资源与用户设备进行通信的方法，该方法由第一移动通信提供商的第一基站执行。该方法包括请求许可第一基站使用第二移动通信提供商的第二频率资源，通过第一移动通信提供商的第一频率资源向用户设备发送设置信息，用于使用第二移动通信提供商的第二频率资源建立通信，以及通过第二频率资源与用户设备通信。
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公开(公告)号：CN116018765A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202180054781.0
申请日：2021-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B17/345
Abstract: 本公开涉及用于支持比诸如LTE的4G通信系统更高的数据传输速率的5G或6G通信系统。本公开提供了一种用于由第一节点测量自干扰的方法和用于执行该方法的装置，该方法包括以下步骤：获取自干扰信道测量配置；基于自干扰信道测量配置发送用于自干扰测量的测量信号；以及基于自干扰信道测量配置，通过用于自干扰信道测量的测量信号来测量发生的自干扰。
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公开(公告)号：CN114762426A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080082245.7
申请日：2020-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种由第一基站执行的方法包括：向信道测量目标终端发送指示向第二基站发送用于信道测量的信号的信息，信道测量目标终端是从使用第一频率资源与第一基站通信的终端中确定的；向第二基站发送指示将要从信道测量目标终端发送用于信道测量的信号的信息；从第二基站接收关于第二基站与信道测量目标终端之间的信道的测量信息；基于关于第二基站与信道测量目标终端之间的信道的测量信息，从第一频率资源中确定将要与第二基站共享的共享频率资源；以及向第二基站发送关于共享频率资源的信息。
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