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公开(公告)号：CN107919263B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201710905447.7
申请日：2017-09-29
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明构思的目的是通过减少设置在基板支撑件的圆周处的环形件的磨损程度来延长更换周期。一种基板处理装置包括：腔室，其内部具有处理空间；支撑单元，支撑处理空间内的基板；气体供应单元，配置为将处理气体供应到处理空间；和等离子体源，配置为从处理气体产生等离子体。支撑单元包括：静电吸盘，其上放置基板；第一环形件，围绕放置在静电吸盘上的基板的圆周；第二环形件，围绕静电吸盘的圆周，并由绝缘材料制成；插入体，设置于第二环形件中，并由导电材料制成；和阻抗控制单元，配置为调节插入体的阻抗。
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公开(公告)号：CN110828275A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910725903.9
申请日：2019-08-07
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 一种基板处理装置包括：腔室，腔室中具有在其中处理基板的空间；支承腔室中的基板的支承单元；将气体供应到腔室中的气体供应单元；以及将腔室中的气体激发至等离子体状态的等离子体生成单元。等离子体生成单元包括：高频电源；连接至高频电源的一端的第一天线；与第一天线并联连接的第二天线；以及将电流分配至第一天线和第二天线的分流器。分流器包括：设置在第一天线和第二天线之间的第一电容器；与第二天线并联连接的第二电容器；以及与第二天线串联连接的第三电容器。第二电容器和第三电容器用可变电容器来实施。
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公开(公告)号：CN109727840A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811277582.2
申请日：2018-10-30
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 公开了一种基板处理装置。基板处理装置包括：腔室，在其内部具有处理空间；支承单元，其配置为在处理空间中支承基板；气体供应单元，其配置为向处理空间中供应气体；以及等离子体产生单元，其配置为从气体产生等离子体，其中，该支承单元包括：静电卡盘，所述静电卡盘包括具有吸附基板的支承表面的上主体以及从上主体延伸至下侧的下主体，其中，下主体具有从上主体侧向延伸的延伸部；聚焦环，其设置在所述静电卡盘的延伸部上；以及金属环，其设置在所述静电卡盘的所述上主体与所述聚焦环之间并配置为控制所述基板的末端边缘中的等离子体。
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公开(公告)号：CN109727839A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811276800.0
申请日：2018-10-30
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 基板处理装置包括：腔室，在该腔室内部具有处理空间；支承单元，其配置为支承基板；气体供应单元，其配置为将气体供应到处理空间中；和等离子体源，其配置为生成等离子体，其中，支承单元包括：支承板，基板定位在该支承板上；环组件，其围绕支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向环形电极施加电压来控制等离子体到基板上的入射角，且其中，电压施加单元包括：导电材料的底板；直流电源，其配置为向底板施加直流电压；和多个连接体，其连接底板和环形电极，由导电材料形成。
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公开(公告)号：CN107665805A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710627791.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种基板处理装置，包括：处理室，在其内部具有处理空间；支撑单元，其布置在处理室中以支撑基板；供气单元，其被配置为将工艺气体提供到处理室中；等离子体产生单元，其被配置为由工艺气体产生等离子体。等离子体产生单元包括：上电极，其布置在基板上；下电极，其布置在基板下方以与上电极竖直相对；三个高频电源，其被配置为向下电极施加高频功率。这三个高频电源包括：频率为10MHz以下的第一频率电源和第二频率电源；和频率为10MHz以上的第三频率电源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112151348B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202010607960.X
申请日：2020-06-29
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及用于处理基板的装置和方法。一种基板处理装置包括：腔室，该腔室中具有工艺空间；基板支承单元，其在工艺空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应至工艺空间；和等离子体生成单元，其从气体生成等离子体。其中，基板支承单元包括：基板支承部件，其支承基板；聚焦环，其围绕基板支承部件；绝缘体，其位于聚焦环的下方，且具有形成在其中的凹槽；电极，其设置在形成于绝缘体中的凹槽中；以及阻抗控制器，阻抗控制器与电极连接，且调节电极的阻抗，并且阻抗控制器包括：共振控制电路，其调节施加到电极的电流的最大值；以及阻抗控制电路，其控制基板的边缘区域的等离子体离子的入射角。
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公开(公告)号：CN111048388B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201910957784.X
申请日：2019-10-10
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种基板处理装置及基板处理方法，基板处理装置的特征在于，包括：处理腔室，提供基板处理空间；卡盘部件，设置于所述处理腔室内并支承基板；环部件，以围绕所述卡盘部件的方式提供；边缘电极，使与所述卡盘部件电绝缘的方式布置于所述环部件；边缘阻抗控制器，与所述边缘电极电连接并调节所述边缘电极的电位；以及耦合补偿器，连接于所述卡盘部件与所述边缘电极之间，并以能够抵消或调节所述卡盘部件与所述边缘电极之间的耦合的方式提供。
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公开(公告)号：CN114695057A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111628152.2
申请日：2021-12-28
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间中支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述处理空间中；以及等离子体产生单元，所述等离子体产生单元将所述处理空间内的所述气体激发成等离子体状态，其中所述等离子体产生单元包括：RF电源，所述RF电源供应RF信号；以及第一天线和第二天线，所述第一天线和第二天线被供以所述RF信号以从供应到所述处理空间内的所述气体产生所述等离子体，并且其中所述第一天线设置在所述第二天线的内侧，并且其中所述第二天线中包括的线圈的总高度高于所述第一天线中包括的线圈的总高度。
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公开(公告)号：CN114628215A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111384124.0
申请日：2021-11-15
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明构思涉及一种设置在用于使用等离子体处理基板的设备中的基板支撑单元。在一个实施例中，所述基板支撑单元包括：其上放置所述基板的电介质板、设置在所述电介质板下方并具有第一直径的下电极、将RF功率施加到所述下电极并具有第二直径的电源杆、以及设置在所述下电极下方并通过绝缘构件与所述下电极间隔开第一间隙的接地构件，所述接地构件包括板部分，在所述板部分中形成有供所述电源杆所穿过的通孔，其中所述通孔具有第三直径。
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