公开(公告)号：CN109545641B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201811105255.9

申请日：2018-09-21

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 奥格森·加尔斯蒂安 ,  哈鲁特温·梅利基扬 ,  金荣斌 ,  安宗奂

IPC: H01J37/32

Abstract: 公开了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：工艺腔室，工艺腔室在其内部具有处理空间；支承单元，支承单元配置为在处理空间中支承基板；气体供应单元，气体供应单元配置将处理气体供应至处理空间；以及等离子体生成单元，等离子体生成单元配置为由处理空间中的气体生成等离子体。其中，等离子体生成单元包括：高频电源；高频天线，将电流从高频电源施加至高频天线；和附加天线，附加天线设置为与高频天线间隔开，并将耦合电流从高频天线施加至附加天线。

公开(公告)号：CN113690123B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202110545351.0

申请日：2021-05-19

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 奥格森·加尔斯蒂安 ,  李峻杓 ,  朴君昊 ,  金铉镇 ,  金荣斌 ,  安宗焕

IPC: H01J37/32

Abstract: 公开了基板处理装置和控制铁氧体芯的温度的方法。该基板处理装置包括：腔室，该腔室在其内部具有用于处理基板的空间；基板支承组件，该基板支承组件包括支承板，该支承板位于该腔室中并支承该基板；气体供应单元，该气体供应单元将气体供应到该腔室的内部中；等离子体生成单元，该等离子体生成单元将该腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和基板温度控制单元，该基板温度控制单元控制该基板的温度，且该基板温度控制单元包括：多个加热器，该多个加热器安装在该支承板的不同区域中；电源部，该电源部向该多个加热器供应电力；铁氧体芯，该铁氧体芯中断引入至该电源部的低频信号；和多个空气芯，该多个空气芯中断引入至该电源部的高频信号。

公开(公告)号：CN113690123A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110545351.0

申请日：2021-05-19

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 奥格森·加尔斯蒂安 ,  李峻杓 ,  朴君昊 ,  金铉镇 ,  金荣斌 ,  安宗焕

IPC: H01J37/32

Abstract: 公开了基板处理装置和控制铁氧体芯的温度的方法。该基板处理装置包括：腔室，该腔室在其内部具有用于处理基板的空间；基板支承组件，该基板支承组件包括支承板，该支承板位于该腔室中并支承该基板；气体供应单元，该气体供应单元将气体供应到该腔室的内部中；等离子体生成单元，该等离子体生成单元将该腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和基板温度控制单元，该基板温度控制单元控制该基板的温度，且该基板温度控制单元包括：多个加热器，该多个加热器安装在该支承板的不同区域中；电源部，该电源部向该多个加热器供应电力；铁氧体芯，该铁氧体芯中断引入至该电源部的低频信号；和多个空气芯，该多个空气芯中断引入至该电源部的高频信号。

公开(公告)号：CN114695057A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202111628152.2

申请日：2021-12-28

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： O·嘉尔斯蒂安 ,  李赫真 ,  金荣斌 ,  奉允根 ,  安宗焕

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间中支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述处理空间中；以及等离子体产生单元，所述等离子体产生单元将所述处理空间内的所述气体激发成等离子体状态，其中所述等离子体产生单元包括：RF电源，所述RF电源供应RF信号；以及第一天线和第二天线，所述第一天线和第二天线被供以所述RF信号以从供应到所述处理空间内的所述气体产生所述等离子体，并且其中所述第一天线设置在所述第二天线的内侧，并且其中所述第二天线中包括的线圈的总高度高于所述第一天线中包括的线圈的总高度。

公开(公告)号：CN109545641A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811105255.9

申请日：2018-09-21

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 奥格森·加尔斯蒂安 ,  哈鲁特温·梅利基扬 ,  金荣斌 ,  安宗奂

IPC: H01J37/32

Abstract: 公开了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：工艺腔室，工艺腔室在其内部具有处理空间；支承单元，支承单元配置为在处理空间中支承基板；气体供应单元，气体供应单元配置将处理气体供应至处理空间；以及等离子体生成单元，等离子体生成单元配置为由处理空间中的气体生成等离子体。其中，等离子体生成单元包括：高频电源；高频天线，将电流从高频电源施加至高频天线；和附加天线，附加天线设置为与高频天线间隔开，并将耦合电流从高频天线施加至附加天线。

公开(公告)号：CN114597110A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111515968.4

申请日：2021-12-03

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： O·嘉尔斯蒂安 ,  S·阿拉克良 ,  金荣斌 ,  奉允根 ,  安宗焕

IPC: H01J37/32

Abstract: 公开了一种用于处理基板的设备，该设备可以包括：其中具有用于处理基板的空间的腔室；在腔室中支撑基板的支撑单元；将气体供应到腔室中的气体供应单元；以及将腔室中的气体激发成等离子体状态的等离子体产生单元，其中所述等离子体产生单元可以包括：高频电源；第一天线；第二天线；以及匹配器，所述匹配器连接在高频电源与第一及第二天线之间，其中所述匹配器可以包括向第一和第二天线分配电流的电流分配器，并且所述电流分配器包括：设置在第一天线与第二天线之间的第一电容器；与第二天线串联连接的第二电容器；以及与第二天线并联连接的第三电容器，其中第一电容器和第二电容器可以被提供为可变电容器。

公开(公告)号：CN110828275A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910725903.9

申请日：2019-08-07

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 奥格森·加尔斯蒂安 ,  金荣斌 ,  具滋明 ,  安宗焕

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种基板处理装置包括：腔室，腔室中具有在其中处理基板的空间；支承腔室中的基板的支承单元；将气体供应到腔室中的气体供应单元；以及将腔室中的气体激发至等离子体状态的等离子体生成单元。等离子体生成单元包括：高频电源；连接至高频电源的一端的第一天线；与第一天线并联连接的第二天线；以及将电流分配至第一天线和第二天线的分流器。分流器包括：设置在第一天线和第二天线之间的第一电容器；与第二天线并联连接的第二电容器；以及与第二天线串联连接的第三电容器。第二电容器和第三电容器用可变电容器来实施。

公开(公告)号：CN109727840A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811277582.2

申请日：2018-10-30

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 哈鲁琼·梅利基扬 ,  安宗焕 ,  具滋明 ,  李相起 ,  金荣斌 ,  南信佑

IPC: H01J37/32

Abstract: 公开了一种基板处理装置。基板处理装置包括：腔室，在其内部具有处理空间；支承单元，其配置为在处理空间中支承基板；气体供应单元，其配置为向处理空间中供应气体；以及等离子体产生单元，其配置为从气体产生等离子体，其中，该支承单元包括：静电卡盘，所述静电卡盘包括具有吸附基板的支承表面的上主体以及从上主体延伸至下侧的下主体，其中，下主体具有从上主体侧向延伸的延伸部；聚焦环，其设置在所述静电卡盘的延伸部上；以及金属环，其设置在所述静电卡盘的所述上主体与所述聚焦环之间并配置为控制所述基板的末端边缘中的等离子体。