公开(公告)号：CN111048388B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201910957784.X

申请日：2019-10-10

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 肖特拉克尔言 ,  具滋明 ,  安宗焕

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种基板处理装置及基板处理方法，基板处理装置的特征在于，包括：处理腔室，提供基板处理空间；卡盘部件，设置于所述处理腔室内并支承基板；环部件，以围绕所述卡盘部件的方式提供；边缘电极，使与所述卡盘部件电绝缘的方式布置于所述环部件；边缘阻抗控制器，与所述边缘电极电连接并调节所述边缘电极的电位；以及耦合补偿器，连接于所述卡盘部件与所述边缘电极之间，并以能够抵消或调节所述卡盘部件与所述边缘电极之间的耦合的方式提供。

公开(公告)号：CN119694965A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202311647574.3

申请日：2023-12-04

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 裵容浚 ,  阿萨图尔库尔舒迪安 ,  朴埈奭 ,  肖特拉克尔言 ,  具滋明

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够预防基板的剧烈的温度变化并保持一定温度的静电卡盘、等离子体处理方法以及等离子体处理装置。在根据本发明的等离子体处理装置中支承基板的静电卡盘包括：定位盘，安放用于等离子体处理的基板且在内部内置有加热器；以及底板，位于所述定位盘的下方，并在内部形成有供用于冷却的流体流动的冷却流路。在所述底板的内部形成由相变材料(phase change material)构成的温度保持层。

公开(公告)号：CN112151344B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202010451032.9

申请日：2020-05-25

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 具滋明 ,  肖特拉克尔言 ,  具重谟 ,  赵台勋

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置的特征在于，包括：处理腔室，提供等离子体产生空间；卡盘部件，设置于处理腔室内，并支承基板；两个以上的RF电源，向卡盘部件提供彼此不同频率的RF电力；环部件，提供成围绕卡盘部件；边缘电极，在环部件布置成与卡盘部件电绝缘；边缘阻抗控制器，包括与边缘电极电连接而调节边缘电极的电位的阻抗控制电路；以及高频截止部，包括在边缘阻抗控制器中，并进行向阻抗控制电路不输送高频电力的截止。

公开(公告)号：CN112151344A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010451032.9

申请日：2020-05-25

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 具滋明 ,  肖特拉克尔言 ,  具重谟 ,  赵台勋

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置的特征在于，包括：处理腔室，提供等离子体产生空间；卡盘部件，设置于处理腔室内，并支承基板；两个以上的RF电源，向卡盘部件提供彼此不同频率的RF电力；环部件，提供成围绕卡盘部件；边缘电极，在环部件布置成与卡盘部件电绝缘；边缘阻抗控制器，包括与边缘电极电连接而调节边缘电极的电位的阻抗控制电路；以及高频截止部，包括在边缘阻抗控制器中，并进行向阻抗控制电路不输送高频电力的截止。