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公开(公告)号：CN107665805B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710627791.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种基板处理装置，包括：处理室，在其内部具有处理空间；支撑单元，其布置在处理室中以支撑基板；供气单元，其被配置为将工艺气体提供到处理室中；等离子体产生单元，其被配置为由工艺气体产生等离子体。等离子体产生单元包括：上电极，其布置在基板上；下电极，其布置在基板下方以与上电极竖直相对；三个高频电源，其被配置为向下电极施加高频功率。这三个高频电源包括：频率为10MHz以下的第一频率电源和第二频率电源；和频率为10MHz以上的第三频率电源。
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公开(公告)号：CN112151344B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010451032.9
申请日：2020-05-25
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置的特征在于，包括：处理腔室，提供等离子体产生空间；卡盘部件，设置于处理腔室内，并支承基板；两个以上的RF电源，向卡盘部件提供彼此不同频率的RF电力；环部件，提供成围绕卡盘部件；边缘电极，在环部件布置成与卡盘部件电绝缘；边缘阻抗控制器，包括与边缘电极电连接而调节边缘电极的电位的阻抗控制电路；以及高频截止部，包括在边缘阻抗控制器中，并进行向阻抗控制电路不输送高频电力的截止。
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公开(公告)号：CN114566418A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202111426087.5
申请日：2021-11-25
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供当利用具有多个脉冲电平的射频信号产生等离子体时，使电力反射最小化的用于多电平脉冲的装置和包括其的基板处理装置。所述装置包括：射频信号产生器，生成包括彼此不同的第一脉冲电平和第二脉冲电平的射频信号；以及匹配网络，接收所述射频信号，并向负载提供对应的输出信号，其中，所述射频信号产生器以所述第一脉冲电平的第一目标阻抗和所述第二脉冲电平的第二目标阻抗彼此不同的方式生成射频信号。
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公开(公告)号：CN112151344A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010451032.9
申请日：2020-05-25
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置的特征在于，包括：处理腔室，提供等离子体产生空间；卡盘部件，设置于处理腔室内，并支承基板；两个以上的RF电源，向卡盘部件提供彼此不同频率的RF电力；环部件，提供成围绕卡盘部件；边缘电极，在环部件布置成与卡盘部件电绝缘；边缘阻抗控制器，包括与边缘电极电连接而调节边缘电极的电位的阻抗控制电路；以及高频截止部，包括在边缘阻抗控制器中，并进行向阻抗控制电路不输送高频电力的截止。
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公开(公告)号：CN115295386A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210928718.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及支承单元和包括该支承单元的基板处理装置。基板处理装置包括：腔室，在该腔室内部具有处理空间；支承单元，其配置为支承基板；气体供应单元，其配置为将气体供应到处理空间中；和等离子体源，其配置为生成等离子体，其中，支承单元包括：支承板，基板定位在该支承板上；环组件，其围绕支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向环形电极施加电压来控制等离子体到基板上的入射角，且其中，电压施加单元包括：导电材料的底板；直流电源，其配置为向底板施加直流电压；和多个连接体，其连接底板和环形电极，由导电材料形成。
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公开(公告)号：CN109727839B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201811276800.0
申请日：2018-10-30
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 基板处理装置包括：腔室，在该腔室内部具有处理空间；支承单元，其配置为支承基板；气体供应单元，其配置为将气体供应到处理空间中；和等离子体源，其配置为生成等离子体，其中，支承单元包括：支承板，基板定位在该支承板上；环组件，其围绕支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向环形电极施加电压来控制等离子体到基板上的入射角，且其中，电压施加单元包括：导电材料的底板；直流电源，其配置为向底板施加直流电压；和多个连接体，其连接底板和环形电极，由导电材料形成。
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公开(公告)号：CN109727839A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811276800.0
申请日：2018-10-30
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 基板处理装置包括：腔室，在该腔室内部具有处理空间；支承单元，其配置为支承基板；气体供应单元，其配置为将气体供应到处理空间中；和等离子体源，其配置为生成等离子体，其中，支承单元包括：支承板，基板定位在该支承板上；环组件，其围绕支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向环形电极施加电压来控制等离子体到基板上的入射角，且其中，电压施加单元包括：导电材料的底板；直流电源，其配置为向底板施加直流电压；和多个连接体，其连接底板和环形电极，由导电材料形成。
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公开(公告)号：CN107665805A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710627791.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种基板处理装置，包括：处理室，在其内部具有处理空间；支撑单元，其布置在处理室中以支撑基板；供气单元，其被配置为将工艺气体提供到处理室中；等离子体产生单元，其被配置为由工艺气体产生等离子体。等离子体产生单元包括：上电极，其布置在基板上；下电极，其布置在基板下方以与上电极竖直相对；三个高频电源，其被配置为向下电极施加高频功率。这三个高频电源包括：频率为10MHz以下的第一频率电源和第二频率电源；和频率为10MHz以上的第三频率电源。
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