控制等离子体处理装置的方法和等离子体处理装置

    公开(公告)号:CN117594406A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202310532831.2

    申请日:2023-05-11

    Abstract: 本公开涉及一种控制等离子体处理装置的方法、以及用于执行该方法的等离子体处理装置。根据本公开的一个实施例,一种控制等离子体处理装置的方法包括:从高频电源向下电极供应具有正弦波的电力以产生等离子体;以及从高频电源向下电极供应电力,以控制所产生的等离子体中的离子,并且当设置在下电极上的晶片的电压在相位区域中具有负峰值时,通过DC电源将负DC电压输入到聚焦环。

    基板处理设备和基板支撑单元
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114628215A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202111384124.0

    申请日:2021-11-15

    Abstract: 本发明构思涉及一种设置在用于使用等离子体处理基板的设备中的基板支撑单元。在一个实施例中,所述基板支撑单元包括:其上放置所述基板的电介质板、设置在所述电介质板下方并具有第一直径的下电极、将RF功率施加到所述下电极并具有第二直径的电源杆、以及设置在所述下电极下方并通过绝缘构件与所述下电极间隔开第一间隙的接地构件,所述接地构件包括板部分,在所述板部分中形成有供所述电源杆所穿过的通孔,其中所述通孔具有第三直径。

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