公开(公告)号：CN116110470A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211375167.7

申请日：2022-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴准镛 ,  金珉奭 ,  金志秀 ,  朴一汉 ,  金斗铉

IPC: G11C16/12 ,  G11C16/24 ,  G11C5/14

Abstract: 提供了一种用于提高编程操作的速度的存储器设备及其操作方法。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；电压生成器，被配置为生成用于对多个存储器单元执行的一个或多个编程操作和验证操作的电压；控制逻辑，被配置为在多个存储器单元上执行控制操作，使得执行第一编程和第二编程循环；第二编程操作基于补偿电压电平来执行，补偿电压电平是基于第一验证操作的结果确定的；以及连接到存储器单元阵列的多条位线，其中第一验证操作包括对偶数编号的位线的第一偶数感测和第二偶数感测，以及对奇数编号的位线的第一奇数感测和第二奇数感测。

公开(公告)号：CN114078536A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110882993.X

申请日：2021-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 方真培 ,  金斗铉 ,  金珉奭 ,  金志秀

IPC: G11C16/26

Abstract: 公开了非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的读取方法。非易失性存储器装置包括存储器单元阵列、行解码器电路以及包括第一锁存器和第二锁存器的页缓冲器电路。页缓冲器电路将基于存储在邻近的存储器单元中的数据的第一感测值分别锁存在第一锁存器并且将基于存储在选择的存储器单元中的数据的第二感测值分别锁存在第二锁存器至少两次。

公开(公告)号：CN110136764A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910057925.2

申请日：2019-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东珍 ,  金志秀 ,  边大锡 ,  李知尚 ,  孔骏镇 ,  吴银珠

IPC: G11C16/26

Abstract: 提供一种非易失性存储器装置及其读取方法。所述非易失性存储器装置包括：页缓冲器，被配置为对构成多个位页中的一个位页的多个页数据进行锁存，控制逻辑，被配置为比较响应于高优先级读取信号集而执行的多个读取操作的结果，以选择包括在高优先级读取信号集中的多个读取信号中的一个作为高优先级读取信号，并确定与高优先级读取信号对应的低优先级读取信号，其中，高优先级读取信号集是用于读取高优先级页数据，低优先级读取信号是用于读取低优先级页数据。

公开(公告)号：CN110010184A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811493156.2

申请日：2018-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志秀 ,  边大锡

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/34

Abstract: 一种操作存储设备来读取数据的方法可包括：在与第一读取操作有关的第一读取时间间隔中，确定包括在多个物理存储页之中的第一物理存储页中的目标逻辑存储页的最高有效编程状态的阈值电压分布，其中，第一读取操作是读取第一物理存储页的目标逻辑存储页的操作；向存储控制器发送分布确定结果，其中，分布确定结果与阈值电压分布有关；从存储控制器接收基于分布确定结果而校正的偏移电平；以及在对所述多个物理存储页之中的第二物理存储页执行第二读取操作之前基于偏移电平来调整读取电压。

公开(公告)号：CN109671462A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201810863665.3

申请日：2018-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿河 ,  康淑恩 ,  金志秀 ,  卢承京 ,  李东起 ,  李允宑 ,  李镇旭 ,  李熙元 ,  张俊锡 ,  崔永夏

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/10 ,  G06K9/6223 ,  G06K9/6226 ,  G11C5/063 ,  G11C8/12 ,  G11C16/08 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/3459 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50004 ,  G11C16/26

Abstract: 一种包括控制器的存储设备的操作方法：从非易失性存储器接收读取数据；基于接收到的读取数据测量分别对应于非易失性存储器的多个存储单元块的多个阈值电压分布；基于所测量的多个阈值电压分布来测量多个存储单元块之间的分布变化；基于所测量的分布变化来动态地确定用于非易失性存储器的操作参数；以及向非易失性存储器发送操作命令、地址和与该地址相对应的至少一个操作参数。