公开(公告)号：CN1578023A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200310122278.8

申请日：2003-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/00 ,  G02F1/00 ,  H04B10/02

CPC classification number: G02B6/124 ,  G02B6/42 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/141 ,  H01S5/146

Abstract: 一种波长可调激光器设备包括半导体基片、Fabry－Perot(FP)激光器和平面光波电路。该FP激光器形成的半导体基片的一端，具有多个纵模。该平面光波电路形成在半导体基片的另一端，并包括波导和围绕波导的包层，光栅刻成波导的一部分。从FP激光器输出的光耦合到波导，该光栅反射不同波长的多个光束，且FP激光器通过从光栅反射的光束中的一个来锁定波长。

公开(公告)号：CN1175295C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN99124832.5

申请日：1999-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 章絑宁 ,  金善旭 ,  金世润 ,  金玟成

IPC: G02B6/34 ,  G02B6/16

CPC classification number: G02B6/02095 ,  G02B6/0219 ,  H01S3/0675 ,  H01S3/1055

Abstract: 提供有一种长周期光纤光栅滤光器装置。包括：在其中每隔预定周期形成长周期光纤光栅的纤芯，包围纤芯的包层，覆盖没有长周期光纤光栅之包层部分的涂层，覆盖具有长周期光纤光栅之包层部分的再涂层，根据加到纤芯之掺杂剂总量相对于温度变化其耦合波长具有负波长漂移范围的纤芯/包层折射率变化部分，以及其折射率在温度增加时下降并且耦合波长具有正波长漂移范围的包层/再涂层折射率变化部分。因此，纤芯展示了负的耦合波长漂移。

公开(公告)号：CN1292500A

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：CN00119988.9

申请日：2000-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  辛相吉 ,  金玟成

IPC: G02B6/124 ,  G02B5/18

CPC classification number: G02B6/02138 ,  G02B6/02085

Abstract: 变迹光纤光栅制造设备包括:紫外激光器;分束器;多个反射镜;相位掩模,它让反射的光束通过,以便以预定的周期在光纤内形成光栅;第一遮断装置,它位于相位掩模和反射镜之一之间,逐渐遮断两束光束之一,使之不能从一个方向投射在光纤上而向形成的光栅提供变迹;相对于光纤位于第一遮断装置对面的第二遮断装置,它逐渐遮断另一束光束,使之不能从另一个方向投射在光纤上;于是向形成的光栅提供变迹,使得在整个光栅上平均折射率的变化是恒定的。

公开(公告)号：CN119497400A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411081011.7

申请日：2024-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金裕珉 ,  金世润 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  杨承烈 ,  玄昇潭

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 公开可变电阻存储器件和包括其的电子装置。所述可变电阻存储器件包括：沟道层；设置在所述沟道层上的电阻变化层，所述电阻变化层具有基于施加的电压而变化的电阻特性并且具有第一氧扩散激活能；以及设置在所述沟道层和所述电阻变化层之间的界面层，所述界面层具有比所述电阻变化层的第一氧扩散激活能大的第二氧扩散激活能。

公开(公告)号：CN116639827A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310135642.1

申请日：2023-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴恩惠 ,  朴宙熙 ,  金世润 ,  李知娟

IPC: C02F9/00 ,  C02F1/00 ,  C02F103/04 ,  C02F1/32 ,  C02F1/20 ,  C02F1/44 ,  C02F1/42

Abstract: 一种超纯水生产设施包括：连接至纯水储水罐的供应线，并且在其中依次布置有多个纯水处理装置；分支在供应线的下游并且连接至纯水储水罐的支线；以及连接至支线并且被配置为由双作用致动器致动的第一自动阀门。

公开(公告)号：CN114824065A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111560133.0

申请日：2021-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹永真 ,  金世润 ,  金裕珉 ,  金度润 ,  金真弘 ,  水崎壮一郎

IPC: H01L45/00 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：包括绝缘材料的支撑层；可变电阻层，在支撑层上并且包括可变电阻材料；盖层，在支撑层和可变电阻层之间，并且保护可变电阻层；在可变电阻层上的沟道层；在沟道层上的栅极绝缘层；以及多个栅电极和多个绝缘体，在平行于沟道层的第一方向上交替且重复地布置在栅极绝缘层上。盖层可以保持在可变电阻层中形成的氧空位。

公开(公告)号：CN107025952B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201610911911.9

申请日：2016-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄成宇 ,  金世润 ,  卢钟旭 ,  李宇镇 ,  李钟敏 ,  丁度源 ,  郭灿

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/08 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00

Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。电导体包括：包括多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少一个钌氧化物纳米片在所述钌氧化物纳米片的表面上包括卤素、硫属元素、第15族元素、或其组合。

公开(公告)号：CN105321591B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201510275760.8

申请日：2015-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文庚奭 ,  金相壹 ,  金世润 ,  朴喜正 ,  李孝锡 ,  崔在荣

IPC: H01B1/10 ,  H01B1/06 ,  C01B19/04 ,  H01L51/52

Abstract: 公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Ru、Os、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag、或者Au，和Ch为硫、硒、碲、或其组合。化学式1MeCh2。

公开(公告)号：CN107039101A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610851418.2

申请日：2016-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  卢钟旭 ,  李钟敏 ,  丁度源 ,  黄成宇 ,  郭灿 ,  黄珍荣

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08

Abstract: 公开电导体、一维‑二维混杂结构体、和包括其的电子器件。所述电导体包括：包括多个金属纳米线的第一导电层；和设置在第一导电层的表面上的第二导电层，其中第二导电层包括多个金属氧化物纳米片；其中在第一导电层中的所述多个金属纳米线的金属纳米线接触所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片；和其中所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片彼此接触以提供电连接。

公开(公告)号：CN107025952A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610911911.9

申请日：2016-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄成宇 ,  金世润 ,  卢钟旭 ,  李宇镇 ,  李钟敏 ,  丁度源 ,  郭灿

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/08 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00

Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。电导体包括：包括多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少一个钌氧化物纳米片在所述钌氧化物纳米片的表面上包括卤素、硫属元素、第15族元素、或其组合。