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公开(公告)号：CN118366525A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410062856.5
申请日：2024-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供非易失性存储器装置及其恢复方法、以及半导体装置，所述非易失性存储器装置包括：存储器块，包括多个单元串、第一串选择线和第二串选择线，所述多个单元串中的每个包括多个串选择晶体管和多个存储器单元，第一串选择线连接到所述多个单元串中的第一单元串的串选择晶体管，第二串选择线连接到所述多个单元串中的第二单元串的串选择晶体管；以及控制电路，被配置为控制恢复操作以不同的驱动强度将恢复电压施加到第一串选择线和第二串选择线。
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公开(公告)号：CN116828858A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211630158.8
申请日：2022-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：CSL驱动器，在衬底上；CSP，在CSL驱动器上；栅电极结构，在CSP上并且包括在垂直于衬底上表面的第一方向上彼此间隔开的栅电极，每一个栅电极在平行于衬底上表面第二方向上延伸；存储器沟道结构，在CSP上并且延伸穿过栅电极结构并连接到CSP；第一上布线结构，接触CSP的上表面；第一贯通过孔，沿第一方向延伸穿过CSP并电连接到第一上布线结构和CSL驱动器，但不接触CSP；以及虚设布线结构，接触CSP的上表面，但不电连接到CSL驱动器。
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公开(公告)号：CN116153366A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211413041.4
申请日：2022-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置及其操作方法。非易失性存储器装置的操作方法，非易失性存储器装置包括各自包括第一堆叠件和邻近于第一堆叠件的第二堆叠件的多个单元串，操作方法包括步骤：通过将包括第一多个电压电平的编程电压施加至连接至多个单元串中的每一个的第一堆叠件的选择字线，在其中多个编程循环被执行的时间段期间执行第一编程操作；在该时间段期间，将包括第二多个电压电平的第二电压施加至连接至多个单元串中的每一个的第一堆叠件的非选择字线；以及在该时间段期间，将第三电压保持在第一电平，第三电压施加至连接至多个单元串中的每一个的第二堆叠件的非选择字线。
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公开(公告)号：CN116137176A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211431295.9
申请日：2022-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种存储器件的操作方法、编程方法及存储器系统的操作方法。公开了一种包括沿与衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元的存储器件的操作方法。所述方法包括：基于第一编程参数来对来自所述多个存储单元当中的连接到选定字线的选定存储单元执行第一编程循环至第(n‑1)编程循环；以及在所述第(n‑1)编程循环被执行之后，基于与所述第一编程参数不同的第二编程参数来对所述选定存储单元执行第n编程循环至第k编程循环。在此，n是大于1的整数并且k是大于或等于n的整数。所述第一编程参数和所述第二编程参数中的每一者包括在所述第一编程循环至所述第k编程循环中使用的编程电压增量、2级验证范围和位线强制电压中的至少两者。
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公开(公告)号：CN108288485A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810017036.9
申请日：2018-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/12
CPC classification number: G11C16/08 , G11C16/0483 , G11C16/12 , G11C16/3495 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 一种非易失性存储器件的高压开关电路包括高压晶体管、逻辑和高压开关。高压晶体管基于编程启动电压而导通，并且向第一存储块传送编程电压。所述逻辑基于使能信号和开关控制信号来产生路径选择信号，所述开关控制信号基于非易失性存储器件的操作参数或针对第一存储块的至少一部分的存取地址之一。在第一存储块上的编程操作期间激活所述使能信号。高压开关基于路径选择信号经由多个传送路径之一来向高压晶体管的栅极传送编程启动电压。结果，消除了由编程启动电压产生的负偏置温度不稳定性(NBTI)的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118553292A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410005602.X
申请日：2024-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储装置和控制非易失性存储装置的方法。该控制非易失性存储装置的方法包括：基于写入地址确定与写入地址相对应的非易失性存储装置的选定存储单元是否被包括在过擦除群组中；基于选定存储单元被包括在过擦除群组中，执行预编程操作以增大选定存储单元的过擦除状态的阈值电压；以及在预编程操作完成之后，执行数据编程操作以将写入数据存储在选定存储单元中。
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公开(公告)号：CN118538254A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410185758.0
申请日：2024-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C13/00 , G11C16/08 , G11C16/14 , G11C16/30 , G11C16/24
Abstract: 一种存储器件包括：存储单元阵列，包括多个存储块；电压发生器，被配置为生成擦除电压和行线电压，以提供给多个存储块中要对其执行擦除操作的目标块；以及控制逻辑电路，被配置为控制存储单元阵列和电压发生器，其中，在擦除操作期间，在预充电电压被施加到与目标块连接的多条串选择线之后，控制逻辑电路还被配置为向连接到多条串选择线的多条位线提供擦除电压，其中，多条串选择线包括第一串选择线和第二串选择线，其中，第一串选择线与连接到目标块的多条字线的端部之间的第一距离小于第二串选择线与多条字线的端部之间的第二距离，并且其中，连接到第一串选择线的第一晶体管的第一阈值电压高于连接到第二串选择线的第二晶体管的第二阈值电压。
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公开(公告)号：CN118298879A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410005838.3
申请日：2024-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/08
Abstract: 提供了一种操作存储器装置的方法和存储器装置，所述方法包括：在字线设置时段中将通过电压施加至多条字线；在字线设置时段中在第一时间点将导通电压施加至未选择的地选择线；在字线设置时段中在第二时间点通过将预充电电压施加至公共源极线来增大所述多条字线的电压；在字线设置时段中在第三时间点将截止电压施加至未选择的地选择线；以及在字线设置时段中在第四时间点将地电压施加至公共源极线。
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公开(公告)号：CN116110478A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211397065.5
申请日：2022-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 提供了一种闪存设备。该闪存设备包括：第一存储器单元；第一存储器单元上的第二存储器单元；和第一存储器单元和第二存储器单元之间的第三存储器单元。第一存储器单元、第二存储器单元和第三存储器单元共享通道。第三存储器单元被配置为基于在第一至第k编程循环中提供的通道分离电压来阻挡第一存储器单元和第二存储器单元之间的通道共享。第三存储器单元被配置为基于在第(k+1)编程循环中提供给第三存储器单元的通道连接电压来连接第一存储器单元和第二存储器单元之间的通道共享。
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