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公开(公告)号：CN1825613A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610005737.8
申请日：2006-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种操作包括开关器件和存储节点的相变随机存取存储器的方法，所述存储节点包括相变层。该方法包括对所述存储节点施加重置电流，所述重置电流从所述相变层的下部分朝向所述相变层的上部分流经所述相变层且小于1.6mA，从而将所述相变层的一部分变为非晶态。
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公开(公告)号：CN100555651C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510126836.7
申请日：2005-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1608
Abstract: 提供了一种PRAM，及其制造方法。所述PRAM包括晶体管和数据存储器。所述的数据存储器连接至所述晶体管。数据存储器包括顶部电极、底部电极和多孔PCM层。所述的多孔PCM层插入到所述顶部电极和底部电极之间。根据本发明，PRAM具有这样的结构，其能够增大PCM层的电流密度，并降低复位电流。
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公开(公告)号：CN1909239A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610121248.9
申请日：2006-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1286 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
Abstract: 本发明公开了一种相变材料、包括该相变材料的PRAM以及制造和操作这种PRAM的方法。绝缘杂质均匀分布在相变材料的整个或部分区域上。该PRAM包括含有相变材料的相变层。相变材料的绝缘杂质含量可小于相变材料体积的10％。相变材料绝缘杂质的含量可以通过控制施加到包括绝缘杂质的靶的电能调节。
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公开(公告)号：CN102822090B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180017150.8
申请日：2011-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , C01B19/007 , C01P2006/40 , C22C1/04 , C22C28/00 , H01L35/16
Abstract: 一种热电材料，包括以下式1表示的化合物：式1(R1-aR’a)(T1-bT’b)3±y，其中R和R’彼此不同，且各自包括选自稀土元素和过渡金属中的至少一种元素，T和T’彼此不同，且各自包括选自硫(S)、硒(Se)、碲(Te)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)、碳(C)、硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)和铟(In)中的至少一种元素，0≤a≤1，0≤b≤1，以及0≤y＜1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102132430A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980131220.5
申请日：2009-08-11
Applicant: 三星电子株式会社 , 加利福尼亚大学董事会
CPC classification number: H01L35/34 , B82Y30/00 , C04B35/547 , C04B2235/5436 , C04B2235/781 , H01L35/22 , H01L35/26
Abstract: 各向异性伸长的热电纳米复合材料包括热电材料。
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公开(公告)号：CN1825612A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510126836.7
申请日：2005-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1608
Abstract: 提供了一种PRAM，及其制造方法。所述PRAM包括晶体管和数据存储器。所述的数据存储器连接至所述晶体管。数据存储器包括顶部电极、底部电极和多孔PCM层。所述的多孔PCM层插入到所述顶部电极和底部电极之间。根据本发明，PRAM具有这样的结构，其能够增大PCM层的电流密度，并降低复位电流。
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公开(公告)号：CN102132430B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN200980131220.5
申请日：2009-08-11
Applicant: 三星电子株式会社 , 加利福尼亚大学董事会
CPC classification number: H01L35/34 , B82Y30/00 , C04B35/547 , C04B2235/5436 , C04B2235/781 , H01L35/22 , H01L35/26
Abstract: 各向异性伸长的热电纳米复合材料包括热电材料。
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公开(公告)号：CN102099937B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN200980128068.5
申请日：2009-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L35/16
CPC classification number: H01L35/16 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01P2002/50 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2006/10 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C04B35/547 , C04B35/65 , C04B2235/3232 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3296 , C04B2235/40 , C04B2235/77
Abstract: 本发明公开了热电材料。所述热电材料由下式表示：(A1-aA′a)4-x(B1-bB′b)3-y。A为XIII族元素，和A′可为XIII族元素、XIV族元素、稀土元素、过渡金属、或者其组合。A和A′彼此不同。B可为S、Se、Te，和B′可为XIV族、XV族、XVI族或者其组合。B和B′彼此不同。a等于或大于0且小于1。b等于或大于0且小于1。x在-1和1之间和其中y在-1和1之间。
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公开(公告)号：CN102822090A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180017150.8
申请日：2011-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , C01B19/007 , C01P2006/40 , C22C1/04 , C22C28/00 , H01L35/16
Abstract: 一种热电材料，包括以下式1表示的化合物：式1(R1-aR’a)(T1-bT’b)3±y，其中R和R’彼此不同，且各自包括选自稀土元素和过渡金属中的至少一种元素，T和T’彼此不同，且各自包括选自硫(S)、硒(Se)、碲(Te)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)、碳(C)、硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)和铟(In)中的至少一种元素，0≤a≤1，0≤b≤1，以及0≤y＜1。
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