公开(公告)号：CN120018493A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411602570.8

申请日：2024-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大善 ,  金锡来 ,  金千培 ,  朴荣奭 ,  朴台镇 ,  尹炫喆 ,  李贤奎 ,  林晟洙 ,  崔贤根

IPC: H10B12/00

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：顺序排列的第一连接区域、第一存储块区域和第二连接区域；第一外围电路区域，所述第一外围电路区域与所述第一存储块区域垂直地交叠；第一存储单元，其位于所述第一存储块区域中；第一字线，其穿越所述第一存储块区域延伸到所述第一连接区域和所述第二连接区域中，并且电连接到所述第一存储单元；第一子字线驱动器，其位于所述第一外围电路区域中；以及第一字线信号路径，其电连接所述第一字线和所述第一子字线驱动器。所述第一字线信号路径包括在所述第一连接区域中耦接到所述第一字线的至少一个第一布线接触和在所述第二连接区域中耦接到所述第一字线的至少一个第二布线接触。

公开(公告)号：CN117316207A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310265448.5

申请日：2023-03-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌永 ,  姜奎彰 ,  申东学 ,  尹炫喆

IPC: G11C7/06 ,  G11C7/10 ,  G11C7/12

Abstract: 在感测放大器电路中，第一晶体管电连接在第一位线和第一节点之间，第一反相器包括连接至第一节点的第一输入端子和第一输出端子，并且第二反相器包括连接至第二节点的第二输入端子和第二输出端子。第二晶体管电连接在第一输出端子和第二节点之间，并且第三晶体管电连接在第二输出端子和第一节点之间。预充电电路在第一时间段期间将第一电压传输至第一节点和第二节点，并在第二时间段期间将高于第一电压的第二电压传输至第一节点和第二节点。

公开(公告)号：CN109559779B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201811109758.3

申请日：2018-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金经纶 ,  尹炫喆

IPC: G11C29/44

Abstract: 一种半导体存储器装置可包括存储单元阵列及存取控制电路。所述存储单元阵列可包括第一单元区及第二单元区。所述存取控制电路可响应于命令、存取地址及用于识别第一单元区及第二单元区的熔丝信息而以不同的方式存取所述第一单元区及所述第二单元区。所述命令及地址可从外部装置提供。也提供一种操作半导体存储器装置的方法。