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公开(公告)号：CN107978581A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710945679.5
申请日：2017-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/49 , H01L25/18
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种多芯片封装件，所述多芯片封装件包括：封装基底，包括第一基底焊盘；第一组半导体芯片，堆叠在封装基底上，第一组半导体芯片中的每个包括结合焊盘；第一螺柱凸部，布置在第一组半导体芯片的除了第一组中的最下侧半导体芯片之外的结合焊盘上；第一导电布线，从第一组中的最下侧半导体芯片的结合焊盘向下地延伸，并且连接到第一基底焊盘；第二导电布线，从第一组中的最下侧半导体芯片的结合焊盘向上地延伸，并且顺序地连接到第一螺柱凸部。
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公开(公告)号：CN1140904C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN99109547.2
申请日：1999-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/22
Abstract: 一种包括内部时钟发生电路的同步存储器件。内部时钟发生电路包括输入缓冲电路，复位电路和动态倒相器电路。输入缓冲电路缓冲外部时钟信号以输出与外部时钟信号互补的输入信号。在输入信号被激活并经过一段时间后，复位电路生成脉冲形式的复位信号。动态倒相器电路将输入信号倒相以输出经倒相的输入信号作为用于数据输出的内部时钟信号。动态倒相器电路根据生成的复位信号被去激活。按照所述电路结构，可以加速内部时钟信号的激活。
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公开(公告)号：CN119521565A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411144475.8
申请日：2024-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 布线供应模块可包括多个线轴和接线机。布线可缠绕在线轴上。接线机可布置在线轴之间以将布线彼此连接。接线机可包括外壳、接线器和切割器。外壳可具有被配置为容纳布线的端部的接线通道。接线器可布置在外壳中以将布线的端部彼此连接。切割器可布置在外壳中，以部分地切割布线的连接的端部。因此，当当前使用的线轴上的所有布线可能用尽时，另一线轴上的布线可连接至当前使用的线轴上的布线，使得布线可连续供应而不用更换线轴。
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公开(公告)号：CN118368900A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311449990.2
申请日：2023-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：衬底；堆叠结构，其包括交替堆叠在衬底上的层间绝缘层和栅电极；沟道层，其在与衬底交叉的方向上延伸穿过堆叠结构；以及在栅电极和沟道层之间的栅极介电层，该栅极介电层包括顺序地在沟道层上的隧穿层、电荷存储层和阻挡层，其中，隧穿层包括含碳的含碳层，并且隧穿层定位成更靠近沟道层而不是更靠近电荷存储层。
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公开(公告)号：CN118215301A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202310902716.X
申请日：2023-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了垂直非易失性存储器件及其制造方法。所述垂直非易失性存储器件可以包括：模制结构，其包括第一绝缘图案及第二绝缘图案和第一栅电极；半导体图案，其在第一方向上延伸通过模制结构；第一电荷绝缘层，其位于第一绝缘图案与半导体图案之间；第二电荷绝缘层，其与第一电荷绝缘层间隔开并且位于第二绝缘图案与半导体图案之间；电荷存储层，其位于第一电荷绝缘层与第二电荷绝缘层之间并且位于第一栅电极与半导体图案之间；以及第一阻挡绝缘层，其位于第一栅电极与电荷存储层之间，并且第一栅电极在第一方向上的第一长度短于电荷存储层的与第一阻挡绝缘层接触的第一表面在第一方向上的第二长度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117715432A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311159640.2
申请日：2023-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件和包括其的电子系统。该半导体器件包括：多个栅电极，在基板上在垂直方向上彼此间隔开；多个沟道结构，分别穿透多个栅电极并且在垂直方向上延伸，每个沟道结构包括沟道层和栅极绝缘层，沟道层具有第一氧化物半导体沟道层和第二氧化物半导体沟道层的堆叠结构，第一氧化物半导体沟道层和第二氧化物半导体沟道层具有不同导电性，栅极绝缘层设置在沟道层与所述多个栅电极中的每个之间；以及多条位线，设置在所述多个沟道结构上并且分别连接到所述多个沟道结构，栅极绝缘层、第一氧化物半导体沟道层和第二氧化物半导体沟道层被依次设置。
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公开(公告)号：CN117651413A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202310980564.5
申请日：2023-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：形成外围电路结构的操作，该外围电路结构包括衬底、衬底上的电路元件和电路元件上的互连。该方法包括：在外围电路结构上形成板层；通过在垂直于板层的上表面的第一方向上在板层上交替地堆叠牺牲层和层间绝缘层来形成初步堆叠结构；以及图案化初步堆叠结构以形成阶梯结构，以形成图案化的牺牲层和图案化的层间绝缘层。该方法包括：在图案化的层间绝缘层的暴露的表面上形成沉积抑制层；在图案化的牺牲层的暴露的表面上形成选择性沉积层；形成在第一方向上穿透初步堆叠结构并接触板层的沟道结构。
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公开(公告)号：CN106303919B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201610480191.5
申请日：2016-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种使用信标的服务提供方法及其电子设备，所述方法包括：从服务器接收包括第一功能信息的信标信息。第一功能信息与第一功能相关联，并且响应于检测到从信标发送器接收的信标信号与信标信息匹配，第一功能被执行。
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公开(公告)号：CN110858623A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910782346.4
申请日：2019-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种可变电阻存储器件可以包括：沿第一方向延伸的多条第一导线；沿第二方向延伸的多条第二导线；多个存储单元，相对于自上而下的视图，每个存储单元在第一导线中的相应一条与第二导线中的相应一条之间的各交叉点处，每个存储单元包括夹在顶部电极和底部电极之间的可变电阻结构和开关元件；和第一电介质层，填充存储单元的开关元件之间的空间。第一电介质层的顶表面设置在存储单元的顶部电极的底表面和顶表面之间。
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公开(公告)号：CN110858619A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910534229.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件可以包括：存储单元，包括设置在衬底上的第一电极、设置在第一电极上的可变电阻图案和设置在可变电阻图案上的第二电极；选择图案，设置在存储单元上；以及覆盖结构，覆盖选择图案的侧壁。覆盖结构可以包括顺序堆叠在选择图案的至少一个侧壁上的第一覆盖图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案可以是硅图案，第二覆盖图案可以包括氮化物。
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