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公开(公告)号:CN1962997A
公开(公告)日:2007-05-16
申请号:CN200610077261.9
申请日:2006-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: D06F37/203
Abstract: 一种洗衣机,所述洗衣机使用不平衡值和不平衡值的根据时间的变化确定衣物的不平衡状态,以减小振动和噪声的产生;和一种用于探测其中衣物的不平衡状态的方法。所述洗衣机包括:容纳衣物的旋转筒;用于旋转旋转筒的洗涤电机;探测洗涤电机的速度并输出电机速度信号的电机速度探测单元;和控制器,所述控制器使用电机速度信号计算衣物的不平衡值和不平衡值的变化,使用不平衡值和不平衡值的变化确定衣物的不平衡状态,并且根据确定的结果控制洗涤电机。
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公开(公告)号:CN108538786B
公开(公告)日:2022-10-11
申请号:CN201710943288.X
申请日:2017-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在制造半导体装置的方法中,在衬底上形成第一有源鳍片至第三有源鳍片。第一有源鳍片至第三有源鳍片中的每一个在第一方向上延伸,且第二有源鳍片、第一有源鳍片及第三有源鳍片在第二方向上以此顺序设置,第二方向与第一方向交叉。使用第一蚀刻掩模来移除第二有源鳍片,第一蚀刻掩模覆盖第一有源鳍片及第三有源鳍片。使用第二蚀刻掩模来移除第三有源鳍片,第二蚀刻掩模覆盖第一有源鳍片及衬底的被移除第二有源鳍片的一部分。在第一有源鳍片上形成第一栅极结构。在与第一栅极结构相邻的第一有源鳍片的一部分上形成第一源极/漏极层。本发明的半导体装置可具有高的集成度及小的面积。
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公开(公告)号:CN102654551B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201210055036.0
申请日:2012-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R31/08
CPC classification number: G01R31/02 , G01R19/16547 , G01R31/025 , G01R31/2825 , G01R31/3012
Abstract: 提供一种故障检测装置、电器以及故障检测方法。故障检测装置包括:接口,电连接到电器以将商业电传送给电器,将用于驱动包括在电器中的多个负载中的一个负载的命令发送到电器,并检测在电器的多个负载中的一个负载中流动的电流;终端,被构造为从接口接收与在多个负载中的一个负载中流动的电流相应的电流信号,基于接收的电流信号确定所述一个负载是否具有故障,并显示所述负载是否具有故障,当在电器中产生了故障时,仅通过检测被怀疑具有故障的负载的电流来确定故障负载,从而提高故障检测精度。
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公开(公告)号:CN105336584A
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:CN201510474350.6
申请日:2015-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种细微图案化方法以及一种制造半导体器件的方法。所述细微图案化方法包括步骤:在底层上形成具有下掩模层和上掩模层的掩模层;在掩模层上形成一对牺牲图案;形成牺牲图案之间的连接间隔件和通过介于它们之间的所述一对牺牲图案彼此间隔开并覆盖牺牲图案的侧表面的第一间隔件;利用第一间隔件和连接间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻上掩模层,以形成上掩模图案;形成第二间隔件,以覆盖上掩模图案的侧表面;利用第二间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻下掩模层,以形成下掩模图案;以及利用下掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻底层。
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公开(公告)号:CN103633127A
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201310345516.5
申请日:2013-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/764 , H01L27/0886 , H01L27/1116 , H01L27/1211 , H01L27/1104 , H01L21/28 , H01L29/42364
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置包括:第一栅极图案,设置在基板的外围区域中;第二栅极图案,设置在基板的单元区域中;第一绝缘件,形成在第一栅极图案的侧壁上;以及第二绝缘件,形成在第二栅极图案的侧壁上,其中,第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同,以及其中,第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。
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公开(公告)号:CN102654551A
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN201210055036.0
申请日:2012-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R31/08
CPC classification number: G01R31/02 , G01R19/16547 , G01R31/025 , G01R31/2825 , G01R31/3012
Abstract: 提供一种故障检测装置、电器以及故障检测方法。故障检测装置包括:接口,电连接到电器以将商业电传送给电器,将用于驱动包括在电器中的多个负载中的一个负载的命令发送到电器,并检测在电器的多个负载中的一个负载中流动的电流;终端,被构造为从接口接收与在多个负载中的一个负载中流动的电流相应的电流信号,基于接收的电流信号确定所述一个负载是否具有故障,并显示所述负载是否具有故障,当在电器中产生了故障时,仅通过检测被怀疑具有故障的负载的电流来确定故障负载,从而提高故障检测精度。
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公开(公告)号:CN102565622A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110303865.1
申请日:2011-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R31/08
CPC classification number: H02H1/0015 , H02H1/04
Abstract: 电子装置和用于在电子装置中检测电弧故障的方法。所述电子装置包括多个负载和电弧故障检测装置,所述电弧故障检测装置用于当已从连接到所述多个负载的线束输入电弧信号时输出电弧信号检测信息。所述方法包括:当已从电弧故障检测装置输入电弧信号检测信息时,在预设时间期间将交流(AC)电顺序供应给所述多个负载中的每个,并在所述多个负载中检测已发生电弧故障的负载。因此已发生电弧故障的位置(负载)被正确地检测,从而适当地解决(修复)电弧故障。
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公开(公告)号:CN101241842B
公开(公告)日:2011-06-29
申请号:CN200810009731.7
申请日:2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 一种形成半导体器件的精细图案的方法,包括双蚀刻,其通过改变生成聚合体副产物的量来蚀刻在具有不同图案密度的区域中的具有不同厚度的膜。在第一蚀刻中,利用掩模图案作为蚀刻掩模,在第一蚀刻环境中在低密度图案区和高密度图案区中的缓冲层和硬掩模层上都执行反应性离子蚀刻(RIE),直至在低密度图案区中暴露出蚀刻膜。在用来形成硬掩模图案的第二蚀刻中,利用掩模图案作为蚀刻掩模,蚀刻硬掩模层直至在高密度图案区中暴露出蚀刻膜,同时在具有比第一蚀刻环境中生成更多聚合体副产物的第二蚀刻环境下,使聚合体副产物聚积在低密度图案区中的蚀刻膜上。
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公开(公告)号:CN101654856A
公开(公告)日:2010-02-24
申请号:CN200810169067.2
申请日:2008-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: D06F37/304 , Y02B40/52
Abstract: 一种控制洗衣机和电动机的方法,所述方法确定BLDC电动机的软件而不是在硬件是否处于正常状态,且如果BLDC电动机处于不正常状态,则将BLDC电动机的不正常状态通知给使用者,从而保证安全。当电动机旋转时,电动机的状态通过将谐波施加到将施加到电动机的电压,并分析输出频率的特征,确定电动机的状态。当电动机停止时,电动机的状态通过估算电动机的温度确定。
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公开(公告)号:CN101546693A
公开(公告)日:2009-09-30
申请号:CN200810149291.5
申请日:2008-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/308 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31058 , H01L21/312 , H01L21/32139 , H01L27/105 , H01L27/1052
Abstract: 本发明提供了一种在集成电路制作过程中的构图方法,包括在半导体衬底上的第一区域中形成至少一个间隔物支持结构,并在所述间隔物支持结构的暴露表面和所述半导体衬底的第二区域上沉积掩模材料。从所述掩模材料位于所述第二区域中的部分上形成掩模结构,并且构图所述掩模材料,以在所述间隔物支持结构的侧壁形成间隔物,并且在所述掩模结构下形成掩模图案。所述间隔物支持结构和所述掩模结构由旋涂的相应的高碳含量材料组成,其具有基本相同的蚀刻选择性。
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