公开(公告)号：CN119431638A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410962622.6

申请日：2024-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旻相 ,  高行德 ,  郭允铉 ,  文桢皓 ,  安性炫 ,  安赞在 ,  李在俊 ,  林圭铉 ,  蔡贞厦 ,  崔诚原

IPC: C08F120/20 ,  C08F220/20 ,  C08F220/06 ,  C08F220/18 ,  G03F7/004

Abstract: 提供聚合物、包括所述聚合物的含聚合物的组合物、以及通过使用所述含聚合物的组合物形成图案的方法，所述聚合物包括由式1表示的第一重复单元且具有50℃或更低的玻璃化转变温度，其中，在式1中，L11至L13、a11至a13、A11、R11、R12、b12和p1的描述在本说明书中提供。式1#imgabs0#

公开(公告)号：CN103099781A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210392230.8

申请日：2012-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旻相 ,  金泫伶 ,  朴宣玟 ,  朴在钻 ,  蔡洙荣

IPC: A61K9/127 ,  A61K49/18 ,  A61K47/42

CPC classification number: A61K41/0052 ,  A61K41/0028 ,  A61K47/62 ,  A61K47/6911

Abstract: 本发明提供脂质体、含其的药物组合物和通过用其递送活性剂的方法。所述脂质体包括弹性蛋白样多肽。

公开(公告)号：CN101123275B

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200710139981.8

申请日：2007-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹恩贞 ,  李成泳 ,  金旻相 ,  金成玟 ,  赵慧珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7831

Abstract: 一种晶体管，包括衬底上的第一和第二对垂直覆盖源/漏区。各第一和第二垂直沟道区在该第一和第二对覆盖源/漏区的各对覆盖源/漏区之间延伸。各第一和第二绝缘区被设置在各第一和第二对覆盖源/漏区的覆盖源/漏区之间并相邻于第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区。在第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区上设置各第一和第二栅绝缘体。在该第一和第二栅绝缘体之间设置栅电极。第一和第二垂直沟道区可以被设置在覆盖源/漏区的相邻边缘附近。

公开(公告)号：CN101582296A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910128693.1

申请日：2009-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旻相 ,  李志明 ,  裴贤俊 ,  金洞院 ,  徐俊 ,  张原玮 ,  赵槿汇

IPC: G11C23/00 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明公开了机电开关及其形成方法。本发明提供了一种存储器装置，该存储器装置包括形成在存储器单元中的贮存节点、第一电极和第二电极，贮存节点贮存电荷，第一电极包括电连接到第二部分的第一部分，当第二电极被赋予能量时，第一部分移动以连接到贮存节点。

公开(公告)号：CN105315666B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201510409015.8

申请日：2015-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全贤贞 ,  金旻相 ,  高允锡 ,  孙炳熙

IPC: C08L79/08 ,  C08J5/18 ,  C08G73/10

Abstract: 本申请公开透明聚合物膜、包括其的电子器件、和组合物。所述膜包括包含由化学式1表示的重复单元的聚酰亚胺‑聚苯并唑共聚物，其中在化学式1中，A1、A1’、A2、A3、m、和n与说明书中描述的相同。化学式1

公开(公告)号：CN106009664B

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201610184508.0

申请日：2016-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全贤贞 ,  金旻相 ,  池尚洙 ,  孙炳熙

IPC: C08L79/08 ,  C08L83/04 ,  C08J5/18 ,  C08G73/10 ,  C08G77/04

Abstract: 公开组合物、由其制备的复合物、以及包括其的膜和电子器件。所述组合物包括用烷氧基硅烷基团改性的聚酰胺酸和低聚硅氧化合物，其中所述用烷氧基硅烷基团改性的聚酰胺酸包括如下的反应产物：(i)酸酐和二胺的缩合反应产物，和(ii)反应性有机硅烷化合物，所述低聚硅氧化合物包括有机硅烷二醇和烷氧基硅烷化合物的缩合反应产物，其中所述组合物中的硅原子的量小于或等于15重量％，基于所述组合物中的固含量的总重量。

公开(公告)号：CN105315666A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510409015.8

申请日：2015-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全贤贞 ,  金旻相 ,  高允锡 ,  孙炳熙

IPC: C08L79/08 ,  C08J5/18 ,  C08G73/10

Abstract: 本申请公开透明聚合物膜、包括其的电子器件、和组合物。所述膜包括包含由化学式1表示的重复单元的聚酰亚胺-聚苯并唑共聚物，其中在化学式1中，A1、A1’、A2、A3、m、和n与说明书中描述的相同。化学式1

公开(公告)号：CN101123256A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710139012.2

申请日：2007-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹恩贞 ,  李成泳 ,  金旻相 ,  金成玟

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C23/00 ,  H01H2059/0045 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供了一种存储器件及形成存储器件的方法，该器件包括：基底；第一电极，在相对于基底的垂直方向上延伸；第二电极，在相对于基底的垂直方向上延伸，第二电极通过电极间隙与第一电极分隔开。第三电极设置成在电极间隙中沿着垂直方向延伸，第三电极通过第一间隙与第一电极分隔开，第三电极通过第二间隙与第二电极分隔开，第三电极可弹性地变形，使得第三电极偏斜以穿过第一间隙在第一弯曲位置与第一电极电连接，穿过第二间隙在第二弯曲位置与第二电极电连接，并在静止位置与第一电极和第二电极隔离。

公开(公告)号：CN119219812A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410841016.9

申请日：2024-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金范锡 ,  金旻相 ,  高行德 ,  郭允铉 ,  安赞在 ,  李昶宪 ,  林圭铉 ,  崔诚原

IPC: C08F112/14 ,  C08F212/14 ,  C08F220/18 ,  C08F8/00 ,  G03F7/004

Abstract: 提供聚合物、包括所述聚合物的抗蚀剂组合物、以及使用所述抗蚀剂组合物形成图案的方法，所述聚合物包括由式1表示的第一重复单元，其中式1中的L11至L14、a11至a13、A11、X11、R11、R12、b12和p的描述提供在说明书中。式1#imgabs0#

公开(公告)号：CN118259546A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311459037.6

申请日：2023-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高行德 ,  郭允铉 ,  金美静 ,  金旻相 ,  李善英 ,  李昶宪 ,  林圭铉 ,  蔡贞厦 ,  韩盛现

IPC: G03F7/004

Abstract: 提供抗蚀剂组合物和通过使用其形成图案的方法，所述抗蚀剂组合物包括：由式1表示的有机金属化合物；和包括含有产生自由基的基团的重复单元、含有接受自由基的基团的重复单元、或其任意组合的聚合物。式1中的R11、R12和n的描述提供于说明书中。式1Sn(R11)n(OR12)(4‑n)。