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公开(公告)号：CN100447572C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200510130200.X
申请日：2005-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1409 , B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/04
Abstract: 提供一种具有高灵敏度和分辨能力的电子读取头和操作该电子读取头的方法。该电子读取头包括：磁心部分，用于将数据记录在记录介质上/从该记录介质读取数据；和电极垫片，将磁心部分连接到电源。磁心部分的面向记录介质的表面是平坦表面，磁心部分的侧面垂直于所述平坦表面。
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公开(公告)号：CN100433127C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610001114.3
申请日：2006-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/187
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/1278 , G11B5/1871
Abstract: 本发明提供一种磁记录头及其制造方法。磁记录头包括包含主极和返回极的堆积体。堆积体包括：第一磁层，具有形成在其中的凹槽；绝缘层，覆盖凹槽的表面；第二磁层图案，填充由绝缘层覆盖的凹槽。
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公开(公告)号：CN1822097A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610001114.3
申请日：2006-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/187
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/1278 , G11B5/1871
Abstract: 本发明提供一种磁记录头及其制造方法。磁记录头包括包含主极和返回极的堆积体。堆积体包括：第一磁层，具有形成在其中的凹槽；绝缘层，覆盖凹槽的表面；第二磁层图案，填充由绝缘层覆盖的凹槽。
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公开(公告)号：CN1819024A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610007314.X
申请日：2006-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/1278 , G11B5/1871
Abstract: 本发明提供了一种不对称的垂直磁记录头及其制造方法。该垂直磁记录头包括用于从磁记录层读取数据的读头和用于将数据写在磁记录层上的写头。主磁极具有：第一表面，面向磁记录层的内侧；第二表面，与磁记录层的数据记录表面相对；第三表面，面向磁记录层的外侧，并且第一表面与第三表面不对称。第一表面和第三表面中的一个表面与第二表面可成大于90度的角度。
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公开(公告)号：CN1815242A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510130200.X
申请日：2005-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1409 , B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/04
Abstract: 提供一种具有高灵敏度和分辨能力的电子读取头和操作该电子读取头的方法。该电子读取头包括：磁心部分，用于将数据记录在记录介质上/从该记录介质读取数据；和电极垫片，将磁心部分连接到电源。磁心部分的面向记录介质的表面是平坦表面，磁心部分的侧面垂直于所述平坦表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1332444A
公开(公告)日：2002-01-23
申请号：CN01116266.X
申请日：2001-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/23
CPC classification number: G11B5/02 , G11B5/012 , G11B5/09 , G11B5/1278 , G11B5/1871 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/596 , G11B2005/0029
Abstract: 本发明包括一种用于磁化盘片表面的方法和装置。具体地说,该装置包括利用垂直记录方法向磁盘表面写入的写入磁头。该磁头包括前磁极和后磁极,在此,后磁极沿其后边缘具有凹陷部分。该凹陷部分改善了穿过写入磁头的磁场梯度,从而在写入过程中能够产生较高的位密度。
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公开(公告)号：CN101114693B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200610168680.3
申请日：2006-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/14 , G11C19/0841 , Y10S977/933
Abstract: 本发明提供一种使用磁畴壁移动的半导体器件。该半导体器件包括具有多个磁畴的磁线，其中该磁线包括通过脉冲场和脉冲电流之一被移动的磁畴壁。该半导体器件的磁线不需要额外的切口，因为该磁线包括磁畴壁，其移动距离通过脉冲场或脉冲电流来控制。
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公开(公告)号：CN100426380C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200610076427.5
申请日：2006-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/11
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录头。该垂直磁记录头包括：数据记录模块，包括主极、返回极和在所述主极周围缠绕的线圈；数据再现模块，包括磁屏蔽层和位于磁屏蔽层之间的读取器件，其中，主极的下端的宽度在其向下的方向上逐渐减小，主极的下端包括第一部分和从第一部分延伸的第二部分，第一部分具有第一曲率的曲面，第二部分具有第二曲率的曲面。第一曲率可以等于第二曲率，或者也可以与第二曲率不同，在主极的下端的两侧还可包括磁屏蔽器件。
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公开(公告)号：CN101017667A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610148660.X
申请日：2006-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3929
Abstract: 本发明涉及一种磁致电阻器件，具有衬底、衬层、磁致电阻结构、以及扩散阻挡层。该衬层形成在该衬底上。该磁致电阻结构形成在该衬层上。该扩散阻挡层形成在该衬层和该磁致电阻结构之间。
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公开(公告)号：CN1897119A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101511.8
申请日：2006-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种垂直磁记录媒质。所述垂直磁记录媒质包括：下部结构；以及形成于所述下部结构上的记录层，其中，所述记录层具有0.5或更低的平衡力2πMr2/K1以及0.8或更低的因子4πMr/Hc，其中，Mr表示残余磁化强度，K1表示垂直磁各向异性能量常数，Hc表示矫顽力。因此，即使构成记录层的晶粒之间的晶粒边界在宽度上有些不均匀，所述晶粒也能够具有几乎相同的成核场。因此，所述垂直磁记录媒质能够确保高记录密度和所记录信息的稳定性。
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