公开(公告)号：CN112447621A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010595487.8

申请日：2020-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宣澈 ,  吴琼硕 ,  金泰勳 ,  金坪完

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/367

Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；第一半导体芯片，在封装基底上；第二半导体芯片，在第一半导体芯片的上表面上；绝缘层，在第一半导体芯片的表面和第二半导体芯片的表面上；散热构件，在绝缘层上，使得散热构件包括处于第一半导体芯片的上表面上的未设置第二半导体芯片的区域以及处于第二半导体芯片的上表面上的区域；模制构件，在封装基底上并且包封第一半导体芯片、第二半导体芯片和散热构件，使得模制构件暴露散热构件的上表面的至少一部分；以及加强构件，在散热构件和模制构件上。

公开(公告)号：CN111092067A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201911009480.7

申请日：2019-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宣澈 ,  金泰勋 ,  黄智焕

IPC: H01L23/538

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，包括主体部分、设置在所述主体部分的第一表面上的第一结合层和穿过所述主体部分的至少一部分的贯穿通路；以及第一再分布部分，设置在所述第一半导体芯片中以通过所述第一结合层连接到所述第一半导体芯片，所述第一再分布部分包括电连接到所述第一半导体芯片的第一再分布层、设置在所述第一再分布层之间的第一布线绝缘层以及连接到所述第一结合层的第二结合层。所述第一结合层包括第一金属焊盘和围绕所述第一金属焊盘的第一绝缘层，所述第二结合层包括第二金属焊盘和围绕所述第二金属焊盘的第二结合绝缘层，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘设置为彼此对应并且彼此结合。

公开(公告)号：CN109273368A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201810779981.2

申请日：2018-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相昱 ,  金宣澈 ,  薛珍暻 ,  张炳旭

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开一种制造半导体封装件的方法。至少一个半导体芯片安装在封装衬底上。绝缘模制层在其中形成有导电连接构件的区中形成在具有至少一个凹槽的半导体芯片的两侧处，所述凹槽在模制层内界定一个或多个突出部。中间层定位在具有导电连接构件的突出部上，所述导电连接构件在封装的上表面上的导电垫与封装衬底的下表面上的导电垫之间进行连接并提供电连接。突出部可通过在中间层的下表面与封装衬底的上表面之间界定垂直间距来将中间层定位在垂直方向上。突出部还可将中间层定位在一个或多个水平方向上及/或在将中间层连接到封装衬底期间防止实质性移动。底部填充树脂层可被注入到中间层与封装衬底之间的其余空间中。

公开(公告)号：CN111092067B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN201911009480.7

申请日：2019-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宣澈 ,  金泰勋 ,  黄智焕

IPC: H01L23/538

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，包括主体部分、设置在所述主体部分的第一表面上的第一结合层和穿过所述主体部分的至少一部分的贯穿通路；以及第一再分布部分，设置在所述第一半导体芯片中以通过所述第一结合层连接到所述第一半导体芯片，所述第一再分布部分包括电连接到所述第一半导体芯片的第一再分布层、设置在所述第一再分布层之间的第一布线绝缘层以及连接到所述第一结合层的第二结合层。所述第一结合层包括第一金属焊盘和围绕所述第一金属焊盘的第一绝缘层，所述第二结合层包括第二金属焊盘和围绕所述第二金属焊盘的第二结合绝缘层，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘设置为彼此对应并且彼此结合。

公开(公告)号：CN112447621B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202010595487.8

申请日：2020-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宣澈 ,  吴琼硕 ,  金泰勳 ,  金坪完

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/367

Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；第一半导体芯片，在封装基底上；第二半导体芯片，在第一半导体芯片的上表面上；绝缘层，在第一半导体芯片的表面和第二半导体芯片的表面上；散热构件，在绝缘层上，使得散热构件包括处于第一半导体芯片的上表面上的未设置第二半导体芯片的区域以及处于第二半导体芯片的上表面上的区域；模制构件，在封装基底上并且包封第一半导体芯片、第二半导体芯片和散热构件，使得模制构件暴露散热构件的上表面的至少一部分；以及加强构件，在散热构件和模制构件上。

公开(公告)号：CN117116897A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310552682.6

申请日：2023-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宣澈 ,  朴埈祐 ,  白亨吉 ,  李镕官 ,  李周炯

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/24

Abstract: 一种半导体封装，包括：下衬底；半导体芯片，设置在下衬底上；上衬底，设置在半导体芯片上，具有面向半导体芯片的下表面，并且包括设置在下表面下方的阶梯结构；连接结构，设置在半导体芯片周围，并且将下衬底连接到上衬底；以及密封物，填充下衬底和上衬底之间的空间，并且将半导体芯片和连接结构中的每一个的至少一部分密封。该上衬底的下表面具有第一表面部和第二表面部，第一表面部上设置有阶梯结构，第二表面部具有相对于阶梯结构的下表面的阶梯，并且第二表面部在上衬底的相对边缘之间延伸。

公开(公告)号：CN109273368B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201810779981.2

申请日：2018-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相昱 ,  金宣澈 ,  薛珍暻 ,  张炳旭

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开一种制造半导体封装件的方法。至少一个半导体芯片安装在封装衬底上。绝缘模制层在其中形成有导电连接构件的区中形成在具有至少一个凹槽的半导体芯片的两侧处，所述凹槽在模制层内界定一个或多个突出部。中间层定位在具有导电连接构件的突出部上，所述导电连接构件在封装的上表面上的导电垫与封装衬底的下表面上的导电垫之间进行连接并提供电连接。突出部可通过在中间层的下表面与封装衬底的上表面之间界定垂直间距来将中间层定位在垂直方向上。突出部还可将中间层定位在一个或多个水平方向上及/或在将中间层连接到封装衬底期间防止实质性移动。底部填充树脂层可被注入到中间层与封装衬底之间的其余空间中。

公开(公告)号：CN112420628A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010599860.7

申请日：2020-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宣澈 ,  吴琼硕 ,  金泰勳 ,  金坪完 ,  李洙焕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L25/07

Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；第一半导体芯片，设置在封装基底上；至少一个第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片的上表面的一个区域上；散热构件，设置在第一半导体芯片的上表面的另一区域和第二半导体芯片的上表面的至少一个区域中，并且具有形成有至少一个沟槽的上表面；以及模制构件，覆盖第一半导体芯片、第二半导体芯片、封装基底的上表面和散热构件的侧表面，并且填充所述至少一个沟槽并同时暴露散热构件的上表面。