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公开(公告)号：CN106684230A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610832204.0
申请日：2016-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/50 , F21K9/233 , F21V23/003 , F21W2131/103 , F21Y2105/10 , F21Y2113/00 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L2224/16225 , H05B33/0857
Abstract: 公开了一种发光装置，其包括至少一个第一光源和至少一个第二光源。至少一个第一光源和至少一个第二光源可以分别被构造为发射白光和蓝绿光，从而基于施加到至少一个第一光源和至少一个第二光源中每个的共同幅值的电流，白光的光通量与蓝绿光的光通量的比在19:1到370:1的范围。
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公开(公告)号：CN103594578A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310351232.7
申请日：2013-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件，包括基材；设置在所述基材上的缓冲层，该缓冲层包含铝氮化物；设置在所述缓冲层上的组成分级层，该组成分级层包含第一铝氮化物和第二铝氮化物；设置在所述组成分级层上的覆盖层；和设置在所述覆盖层上的包层。所述第一铝氮化物的组成和所述第二铝氮化物的组成可以以交替的方式渐进性变化。本发明的半导体发光器件能够降低层堆叠时由层与层之间的晶格失配而导致的穿透位错和各种缺陷，并且能够改善晶片上的半导体材料的均匀性。
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公开(公告)号：CN107086226B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201710066413.3
申请日：2017-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 发光二极管模块、显示面板或其它设备的像素可以包括不同颜色的子像素，子像素之一包括诸如磷光体的波长转换材料，以便将从子像素的关联发光二极管发射的光转换为除了从子像素发射的光的主色之外的颜色。波长转换材料可以具有为调谐像素的颜色坐标而选择的量。可以响应于对其上要形成波长转换材料的子像素或类似制造的子像素的发光二极管所发射的光的光谱强度接近性测量，来确定波长转换材料的量。还公开了其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106653965B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201610881598.9
申请日：2016-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/06
Abstract: 提供了一种半导体发光器件，其包括：第一导电型半导体层；有源层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括多个量子垒层和包含In的多个量子阱层，所述多个量子垒层和所述多个量子阱层彼此交替地堆叠，所述多个量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；第二导电型半导体层，设置在有源层上，其中，第一量子阱层设置成比第二量子阱层较接近于第一导电型半导体层，第二量子阱层设置成比第一量子阱层较接近于第二导电型半导体层，其中，第二量子阱层的厚度大于第一量子阱层的厚度，其中，第一量子阱层和第二量子阱层中的每个包括In成分的量变化的至少一个分级层，第二量子阱层的至少一个分级层具有比第一量子阱层的至少一个分级层大的厚度。
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公开(公告)号：CN106653965A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610881598.9
申请日：2016-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/54 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种半导体发光器件，其包括：第一导电型半导体层；有源层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括多个量子垒层和包含In的多个量子阱层，所述多个量子垒层和所述多个量子阱层彼此交替地堆叠，所述多个量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；第二导电型半导体层，设置在有源层上，其中，第一量子阱层设置成比第二量子阱层较接近于第一导电型半导体层，第二量子阱层设置成比第一量子阱层较接近于第二导电型半导体层，其中，第二量子阱层的厚度大于第一量子阱层的厚度，其中，第一量子阱层和第二量子阱层中的每个包括In成分的量变化的至少一个分级层，第二量子阱层的至少一个分级层具有比第一量子阱层的至少一个分级层大的厚度。
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公开(公告)号：CN105765741B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201480065440.3
申请日：2014-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/0079 , H01L33/24
Abstract: 本发明的一个实施例提供了一种纳米结构半导体发光器件，其包括：基础层，其由第一导电类型的半导体构成；绝缘层，其形成在基础层上并且具有暴露出基础层的部分区域的多个开口；纳米核，其形成在基础层的暴露的区域中的每一个上，由第一导电类型的半导体构成，并且具有晶面与其侧表面的晶面不同的上端部分；在纳米核的表面上接连形成的有源层和第二导电类型的半导体层；以及电流阻挡中间层，其形成在纳米核的上端部分上，以位于有源层与纳米核之间。
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公开(公告)号：CN107134469A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710126385.X
申请日：2017-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L33/504 , H01L33/60 , H01L27/156 , H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管装置和发光设备。所述发光二极管装置构造为提供多颜色显示，该发光二极管装置包括至少部分地被划分层限定的多个发光单元。该发光二极管装置可构造为减小发光单元之间的光学干扰。该发光二极管装置包括：彼此间隔开的多个发光结构；位于发光结构各自的第一表面上的多个电极层；构造为将发光结构彼此电绝缘的分隔层；位于发光结构各自的第二表面上并且与不同颜色相关联的荧光体层；以及位于荧光体层之间以将荧光体层彼此分离的划分层。每个发光单元可包括单独的发光结构、单独一组一个或多个电极以及单独的荧光体层。
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公开(公告)号：CN103035804A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210308002.8
申请日：2012-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L21/02573 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了氮化物半导体发光器件及其制造方法。该氮化物半导体发光器件的制造方法包括：在衬底上形成第一导电类型氮化物半导体层；在第一导电类型氮化物半导体层上形成有源层；以及在有源层上形成第二导电类型氮化物半导体层。高的输出能够通过在生长第一导电类型的氮化物半导体层期间提高掺杂效率来获得。
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