公开(公告)号：CN1822227B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200510131616.3

申请日：2005-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大汉 ,  李升根

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/06 ,  G11C11/34 ,  G11C7/00 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 一种NOR闪存存储器器件包括适合于存储至少两个比特数据的存储器单元。通过生成检测最高有效比特(MSB)的值的、具有第一幅值的基准电流，以及生成检测最低有效比特(LSB)的值的、具有第二幅值的基准电流，在存储器单元上执行读操作。在读操作期间，通过把第一和第二基准电流与流过存储器单元的电流量进行比较，检测MSB和LSB的各自的值。根据基准电压生成器所生成的不同的基准电压确定第一和第二基准电流的各自的幅值。

公开(公告)号：CN111220887B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN201911113487.3

申请日：2019-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贞九 ,  金大汉 ,  金智允 ,  李真烨

IPC: G01R31/26

Abstract: 提供一种半导体装置以及操作方法。半导体装置包括测试电路，该测试电路包括：测试晶体管，其用于使用应力电压测试时间相关的介电击穿(TDDB)特性；输入开关，其被设置在被施加了应力电压的电压施加节点与将应力电压传输到测试晶体管的输入节点之间；以及保护开关，其被设置在输入节点和接地节点之间。

公开(公告)号：CN111719119A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010003671.9

申请日：2020-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起园 ,  金大汉 ,  李珉炅

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种用于制造半导体装置的设备和方法。该设备包括：室；蒸发器，蒸发有机源以在室中的基底上提供源气体；真空泵，将源气体和空气从室泵出；排气管线，在真空泵与室之间；以及分析器，连接到排气管线。分析器检测由有机源产生的衍生分子，并确定蒸发器的更换时间。

公开(公告)号：CN111220887A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201911113487.3

申请日：2019-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贞九 ,  金大汉 ,  金智允 ,  李真烨

IPC: G01R31/26

Abstract: 提供一种半导体装置以及操作方法。半导体装置包括测试电路，该测试电路包括：测试晶体管，其用于使用应力电压测试时间相关的介电击穿(TDDB)特性；输入开关，其被设置在被施加了应力电压的电压施加节点与将应力电压传输到测试晶体管的输入节点之间；以及保护开关，其被设置在输入节点和接地节点之间。

公开(公告)号：CN101814319B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201010109501.5

申请日：2010-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金寿翰 ,  金大汉

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/06 ,  G11C16/08

CPC classification number: G11C11/5642 ,  G11C16/26

Abstract: 一种非易失性存储设备，包括：单元阵列，含有被排列在字线和位线的交叉点上的存储单元；地址译码器，被配置为根据地址选择一个字线；写电路，被配置为将编程数据写入与所选择字线相连的存储单元；以及控制电路，被配置为控制地址译码器和写电路，以便在写操作期间顺序地执行多个条带编程(写)操作，其中，所述控制电路进一步被配置为在每个条带写操作期间选择下一个条带写操作的最优写条件。将多个可利用的写条件作为微调信息存储在多个寄存器中。所述控制电路选择存储有信息的所述寄存器，以便在最优写条件下进行编程。

公开(公告)号：CN101241760A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200710306291.7

申请日：2007-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李政禹 ,  金大汉

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/16

Abstract: 提供了在闪存器件中擦除存储单元的闪存器件和方法。对具有比第一编程验证电压低的阈值电压的已擦除存储单元执行第一后编程操作。对具有比第二编程验证电压低的阈值电压的已擦除存储单元执行第二后编程操作。第二编程验证电压比第一编程验证电压低。