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公开(公告)号：CN1758370A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510092346.X
申请日：2005-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在这里公开的发明是一种非易失性存储设备。该非易失性存储设备包括：第一晶体管，其连接在第一电压和控制节点之间，并由第二电压控制；第二晶体管，其连接在第一电压和控制节点之间，并由第三电压控制；以及字线驱动器，用于响应控制节点的电压来驱动字线。在擦除操作期间，第二电压被设置为地电压。在擦除操作期间，第三电压被设置为电源电压。
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公开(公告)号：CN1452176B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN03110370.7
申请日：2003-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/34 , G11C11/4076
CPC classification number: G11C8/18 , H03K5/082 , H03K5/1534
Abstract: 一种电路，包括：输入端，用于接收输入信号；延迟链，连接到输入端，用于延迟输入信号；以及电路结构，连接到输入端下游的延迟链，用于响应输入信号将电压提供给延迟链。
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公开(公告)号：CN100505100C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200510052527.X
申请日：2005-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3454 , G11C2211/5621
Abstract: 公开了一种多级闪存设备和编程方法。该多级闪存设备包括：多个存储单元，每个单元存储指示多于两个可能状态的电荷量；以及连接到存储单元的控制电路。该控制电路将编程电压与校验电压交替地施加到所述存储单元，直到所有单元处于期望的状态，并且施加至少一个额外的编程电压到处于最高状态的单元，而不施加校验电压。该方法包括：施加至少一个编程脉冲到单元；校验每个单元已达到期望的状态；选择被编程到最高状态的单元；并施加至少一个额外的编程脉冲到所选择的单元，而不进一步校验这些单元的状态。
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公开(公告)号：CN1661727A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510052527.X
申请日：2005-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3454 , G11C2211/5621
Abstract: 公开了一种多级闪存设备和编程方法。该多级闪存设备包括：多个存储单元，每个单元存储指示多于两个可能状态的电荷量；以及连接到存储单元的控制电路。该控制电路将编程电压与校验电压交替地施加到所述存储单元，直到所有单元处于期望的状态，并且施加至少一个额外的编程电压到处于最高状态的单元，而不施加校验电压。该方法包括：施加至少一个编程脉冲到单元；校验每个单元已达到期望的状态；选择被编程到最高状态的单元；并施加至少一个额外的编程脉冲到所选择的单元，而不进一步校验这些单元的状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1822227A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200510131616.3
申请日：2005-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/02 , G11C16/06 , G11C11/34 , G11C7/00 , H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 一种NOR闪存存储器器件包括适合于存储至少两个比特数据的存储器单元。通过生成检测最高有效比特(MSB)的值的、具有第一幅值的基准电流，以及生成检测最低有效比特(LSB)的值的、具有第二幅值的基准电流，在存储器单元上执行读操作。在读操作期间，通过把第一和第二基准电流与流过存储器单元的电流量进行比较，检测MSB和LSB的各自的值。根据基准电压生成器所生成的不同的基准电压确定第一和第二基准电流的各自的幅值。
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公开(公告)号：CN1591689A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410084950.3
申请日：2004-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06 , G11C16/26 , H01L27/115
Abstract: 根据本发明实施例的存储器件包括：参考单元阵列和多个存储体。每个存储体包括存储单元。多个电流复制器电路分别对应于存储体。每个电流复制器电路复制流经参考单元阵列的参考电流来产生参考电压。多个读取块分别对应于存储体。每个读取块包括多个读取放大器，用于响应于来自相应电流复制器电路的参考电压，从相应存储体读取数据。减小了存储单元的布局面积并提高了读取速度。
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公开(公告)号：CN1551226A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410047758.7
申请日：2004-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/00
CPC classification number: G11C7/1027 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C2207/005
Abstract: 公开一种闪速存储器装置，其中包括多个列，每个列都同多个存储器单元相连。列选择器电路根据列地址选择一部分列，并且多个读出放大器组同由列选择器电路选中的列相连。该列选择器电路根据是否是按4N排列该列地址，以可变方式选择列，其中N的值为等于或大于1的整数。例如，当列地址按4N排列时，列选择器电路选择该列地址的列，而当列地址不按4N排列时，列选择器电路选择高位列地址的列。
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公开(公告)号：CN100593820C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200510092346.X
申请日：2005-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在这里公开的发明是一种非易失性存储设备。该非易失性存储设备包括：第一晶体管，其连接在第一电压和控制节点之间，并由第二电压控制；第二晶体管，其连接在第一电压和控制节点之间，并由第三电压控制；以及字线驱动器，用于响应控制节点的电压来驱动字线。在擦除操作期间，第二电压被设置为地电压。在擦除操作期间，第三电压被设置为电源电压。
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公开(公告)号：CN1452176A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03110370.7
申请日：2003-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/34 , G11C11/4076
CPC classification number: G11C8/18 , H03K5/082 , H03K5/1534
Abstract: 一种电路，包括：输入端，用于接收输入信号；延迟链，连接到输入端，用于延迟输入信号；以及电路结构，连接到输入端下游的延迟链，用于响应输入信号将电压提供给延迟链。
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