公开(公告)号：CN111220887B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN201911113487.3

申请日：2019-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贞九 ,  金大汉 ,  金智允 ,  李真烨

IPC: G01R31/26

Abstract: 提供一种半导体装置以及操作方法。半导体装置包括测试电路，该测试电路包括：测试晶体管，其用于使用应力电压测试时间相关的介电击穿(TDDB)特性；输入开关，其被设置在被施加了应力电压的电压施加节点与将应力电压传输到测试晶体管的输入节点之间；以及保护开关，其被设置在输入节点和接地节点之间。

公开(公告)号：CN111220887A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201911113487.3

申请日：2019-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贞九 ,  金大汉 ,  金智允 ,  李真烨

IPC: G01R31/26

Abstract: 提供一种半导体装置以及操作方法。半导体装置包括测试电路，该测试电路包括：测试晶体管，其用于使用应力电压测试时间相关的介电击穿(TDDB)特性；输入开关，其被设置在被施加了应力电压的电压施加节点与将应力电压传输到测试晶体管的输入节点之间；以及保护开关，其被设置在输入节点和接地节点之间。