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公开(公告)号：CN112118404A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010277632.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369
Abstract: 一种深度传感器包括：第一像素，包括多个第一光电晶体管，每第一光电晶体管接收第一光电栅极信号；第二像素，包括多个第二光电晶体管，每个第二光电晶体管接收第二光电栅极信号；第三像素，包括多个第三光电晶体管，每个第三光电晶体管接收第三光电栅极信号；第四像素，包括多个第四光电晶体管，每个第四光电晶体管接收第四光电栅极信号；以及光电转换元件，由多个第一至第四光电晶体管中的第一至第四光电晶体管共享。
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公开(公告)号：CN111010516A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910664816.7
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369
Abstract: 一种图像传感器，包括：光源，被配置为向目标对象发射光信号；和像素阵列，包括第一像素，第一像素被配置为基于从目标对象反射的光信号产生像素信号，其中，第一像素包括第一光栅极组和第二光栅极组，第一光栅极组包括被配置用于接收在时间间隔内与光信号具有第一相位差的第一栅极信号的至少两个光栅极，第二光栅极组包括被配置用于接收在时间间隔内与光信号具有第二相位差的第二栅极信号的至少两个光栅极。
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公开(公告)号：CN110708483A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910178164.6
申请日：2019-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , G01S17/08 , H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：单元像素，在单元像素中，彼此相邻的第一单元像素和第二单元像素均包括：第一抽头，具有第一光栅极，第一抽头施加有相对于光学信号具有第一相位差的第一信号；以及第二抽头，具有第二光栅极，第二抽头施加有相对于所述光学信号具有第二相位差的第二信号。第一单元像素中的第一抽头的位置和第二单元像素中的第一抽头的位置以及第一单元像素中的第二抽头的位置和第二单元像素中的第二抽头的位置基于第一单元像素与第二单元像素之间的一点或一条直线彼此对称。
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公开(公告)号：CN119730428A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410708794.0
申请日：2024-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10F39/18 , H04N25/77 , H04N25/771
Abstract: 一种图像传感器包括：像素，所述像素各自包括在第一方向上并排布置的两个光电二极管；深沟槽隔离结构；浮置扩散区；以及传输栅极。所述深沟槽隔离结构包括：内部结构，所述内部结构在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸并且在所述第一方向上将每个像素的所述两个PD彼此分离；以及外部结构，所述外部结构在所述第一方向和第二方向上延伸并且在所述第一方向和第二方向上将所述像素彼此分离。所述浮置扩散区布置在沿所述第一方向延伸的所述外部结构的中心部分和所述内部结构的边缘之间。所述传输栅极设置为与所述浮置扩散区相邻，使得一个或更多个传输栅极设置在每个光电二极管上。对于每个像素，所述两个光电二极管共享所述浮置扩散区。
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公开(公告)号：CN110970452B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201910710726.7
申请日：2019-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/702 , H04N25/705
Abstract: 一种3D图像传感器包括深度像素和与深度像素相邻的至少两个偏振像素。深度像素包括在基板中的电荷产生区域。深度像素配置为基于检测从物体反射的光来生成与3D场景中的从3D图像传感器起的物体的深度相关联的深度信息。每个偏振像素包括在基板中的光电二极管和在基板上在光入射方向上的偏振器。偏振像素配置为基于检测从物体反射的光而生成与3D场景中的物体的表面形状相关联的形状信息。偏振像素和深度像素共同地限定单位像素。各偏振器与不同的偏振方向相关联。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111741238B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010522206.6
申请日：2018-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N1/028 , H01L27/146
Abstract: 提供了包括阻光图案的光学传感器以及包括该光学传感器的电子设备。光学传感器可以包括多个光电转换区域、在所述多个光电转换区域上的多个透镜、以及在所述多个光电转换区域与所述多个透镜之间延伸的阻光层。阻光层可以包括在所述多个光电转换区域中的第一光电转换区域与所述多个透镜中的第一透镜之间的开口。光学传感器可以配置为与显示面板组装，使得所述多个透镜设置在阻光层与显示面板之间。
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公开(公告)号：CN115241216A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210343113.6
申请日：2022-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有与第二表面相对的第一表面；像素隔离图案，在基底中限定彼此相邻的第一单位像素和第二单位像素；以及第一分离图案和第二分离图案，在基底中。第一单位像素包括沿着第一方向的第一光电转换部和第二光电转换部。第二单位像素包括沿着与第一方向相交的第二方向的第三光电转换部和第四光电转换部。第一分离图案在第一光电转换部与第二光电转换部之间在第二方向上延伸。第二分离图案在第三光电转换部与第四光电转换部之间在第一方向上延伸。像素隔离图案的宽度、第一分离图案的宽度和第二分离图案的宽度均从基底的第二表面朝向基底的第一表面减小。
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公开(公告)号：CN114639692A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111530784.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：衬底，其具有第一表面和第二表面；像素区域，其在平行于第一表面的方向上布置；第一光电二极管和第二光电二极管，它们在像素区域中的每一个中彼此隔离；第一装置隔离膜，其位于像素区域之间；成对的第二装置隔离膜，其位于第一光电二极管与第二光电二极管之间，并且从第一装置隔离膜延伸；掺杂层，其与成对的第二装置隔离膜相邻，并且从第二表面延伸到预定深度，并且与第一表面间隔开，掺杂层与第一装置隔离膜隔离；以及势垒区域，其位于成对的第二装置隔离膜之间，并且具有大于衬底的与势垒区域相邻的部分的电势的电势。
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公开(公告)号：CN114566512A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202111411689.3
申请日：2021-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：(1)具有在第一方向上彼此相对的第一和第二表面以及多个单位像素的基板，(2)设置在基板中的、多个单位像素中的每一个中并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此隔离的第一光电二极管和第二光电二极管，(3)设置在多个单位像素之间的第一器件隔离膜，以及(4)设置在多个单位像素中的至少一个中的像素内部隔离膜。第二器件隔离膜在第一方向上与第一光电二极管和第二光电二极管中的至少一个重叠。一对第三器件隔离膜：(a)在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上从第一器件隔离膜延伸到单位像素中，并且(b)彼此相对。
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