公开(公告)号：CN119730428A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202410708794.0

申请日：2024-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李卿德 ,  郑泰燮 ,  藤田雅人 ,  罗允何 ,  白承起 ,  薛斗植 ,  安成珉 ,  郑胜基

IPC: H10F39/18 ,  H04N25/77 ,  H04N25/771

Abstract: 一种图像传感器包括：像素，所述像素各自包括在第一方向上并排布置的两个光电二极管；深沟槽隔离结构；浮置扩散区；以及传输栅极。所述深沟槽隔离结构包括：内部结构，所述内部结构在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸并且在所述第一方向上将每个像素的所述两个PD彼此分离；以及外部结构，所述外部结构在所述第一方向和第二方向上延伸并且在所述第一方向和第二方向上将所述像素彼此分离。所述浮置扩散区布置在沿所述第一方向延伸的所述外部结构的中心部分和所述内部结构的边缘之间。所述传输栅极设置为与所述浮置扩散区相邻，使得一个或更多个传输栅极设置在每个光电二极管上。对于每个像素，所述两个光电二极管共享所述浮置扩散区。

公开(公告)号：CN115241216A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210343113.6

申请日：2022-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑闵至 ,  薛斗植 ,  安成珉 ,  李卿德 ,  李景镐 ,  郑胜基 ,  郑有珍 ,  郑泰燮 ,  赵鼎镇 ,  藤田雅人

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有与第二表面相对的第一表面；像素隔离图案，在基底中限定彼此相邻的第一单位像素和第二单位像素；以及第一分离图案和第二分离图案，在基底中。第一单位像素包括沿着第一方向的第一光电转换部和第二光电转换部。第二单位像素包括沿着与第一方向相交的第二方向的第三光电转换部和第四光电转换部。第一分离图案在第一光电转换部与第二光电转换部之间在第二方向上延伸。第二分离图案在第三光电转换部与第四光电转换部之间在第一方向上延伸。像素隔离图案的宽度、第一分离图案的宽度和第二分离图案的宽度均从基底的第二表面朝向基底的第一表面减小。