公开(公告)号：CN119730428A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202410708794.0

申请日：2024-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李卿德 ,  郑泰燮 ,  藤田雅人 ,  罗允何 ,  白承起 ,  薛斗植 ,  安成珉 ,  郑胜基

IPC: H10F39/18 ,  H04N25/77 ,  H04N25/771

Abstract: 一种图像传感器包括：像素，所述像素各自包括在第一方向上并排布置的两个光电二极管；深沟槽隔离结构；浮置扩散区；以及传输栅极。所述深沟槽隔离结构包括：内部结构，所述内部结构在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸并且在所述第一方向上将每个像素的所述两个PD彼此分离；以及外部结构，所述外部结构在所述第一方向和第二方向上延伸并且在所述第一方向和第二方向上将所述像素彼此分离。所述浮置扩散区布置在沿所述第一方向延伸的所述外部结构的中心部分和所述内部结构的边缘之间。所述传输栅极设置为与所述浮置扩散区相邻，使得一个或更多个传输栅极设置在每个光电二极管上。对于每个像素，所述两个光电二极管共享所述浮置扩散区。