公开(公告)号：CN105990444B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201610088274.X

申请日：2016-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  车东镐 ,  朴善钦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一有源鳍至第四有源鳍，它们彼此并排在第一方向上延伸；以及场绝缘膜，其覆盖第一有源鳍至第四有源鳍的下部，第一有源鳍和第二有源鳍从场绝缘膜突出第一高度，第三有源鳍从场绝缘膜突出与第一高度不同的第二高度，并且第一有源鳍与第二有源鳍之间的间隔不同于第三有源鳍与第四有源鳍之间的间隔。

公开(公告)号：CN104051270B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201410069205.5

申请日：2014-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  姜智秀 ,  李东奎 ,  车东镐

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种形成半导体结构的方法和半导体器件，该方法可以包括在其上具有硬掩模层的在第一方向上延伸的硅鳍上形成光刻掩模。利用光刻掩模，在硅鳍中穿过硬掩模层可以形成沟槽，沟槽在第二方向上延伸以将硅鳍分离成在第一方向上端部对端部地延伸的第一和第二鳍结构。相对于沟槽的由第一和第二鳍结构限定的下部，可以将沟槽的由硬掩模层形成的部分加宽。

公开(公告)号：CN107170741A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710130993.8

申请日：2017-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  严命允 ,  车东镐 ,  刘庭均 ,  朴起宽

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7854 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846 ,  H01L21/823481

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区延伸成一行；以及在鳍分离区中的鳍分离绝缘结构，其中所述一对鳍形有源区包括第一鳍形有源区，第一鳍形有源区具有限定部分的鳍分离区的第一拐角，并且其中鳍分离绝缘结构包括：下绝缘图案，覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁；以及上绝缘图案，在下绝缘图案上以覆盖第一拐角的至少部分，上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。

公开(公告)号：CN105990444A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610088274.X

申请日：2016-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  车东镐 ,  朴善钦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一有源鳍至第四有源鳍，它们彼此并排在第一方向上延伸；以及场绝缘膜，其覆盖第一有源鳍至第四有源鳍的下部，第一有源鳍和第二有源鳍从场绝缘膜突出第一高度，第三有源鳍从场绝缘膜突出与第一高度不同的第二高度，并且第一有源鳍与第二有源鳍之间的间隔不同于第三有源鳍与第四有源鳍之间的间隔。