-
公开(公告)号：CN104051270A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410069205.5
申请日：2014-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/3083 , H01L21/31144 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供一种形成半导体结构的方法和半导体器件，该方法可以包括在其上具有硬掩模层的在第一方向上延伸的硅鳍上形成光刻掩模。利用光刻掩模，在硅鳍中穿过硬掩模层可以形成沟槽，沟槽在第二方向上延伸以将硅鳍分离成在第一方向上端部对端部地延伸的第一和第二鳍结构。相对于沟槽的由第一和第二鳍结构限定的下部，可以将沟槽的由硬掩模层形成的部分加宽。
-
公开(公告)号：CN106356372B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201610474846.8
申请日：2016-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一鳍式图案和第二鳍式图案，它们从场绝缘膜的上表面向上突出，并且在第一方向上延伸。栅极结构与第一鳍式图案和第二鳍式图案交叉。第一外延层在栅极结构的至少一侧上位于第一鳍式图案上，并且第二外延层在栅极结构的至少一侧上位于第二鳍式图案上。金属接触部分覆盖第一外延层的外周围表面和第二外延层的外周围表面。第一外延层接触第二外延层。
-
公开(公告)号：CN106169496B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201610325750.5
申请日：2016-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一有源区和第二有源区，其设置在半导体基板中并具有彼此面对的侧表面；设置在第一有源区和第二有源区之间的隔离图案；设置在第一有源区和第二有源区之间的半导体延伸层；设置在第一有源区上的第一源/漏极半导体层；和设置在第二有源区上的第二源/漏极半导体层。与靠近隔离图案相比，第一有源区和第二有源区的面对的侧表面更靠近半导体延伸层。
-
公开(公告)号：CN104217959B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201410140427.1
申请日：2014-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：提供有源鳍和包括设置在有源鳍上的第一沟槽的场绝缘膜；通过执行设置在第一沟槽的侧壁和下部上的场绝缘膜的第一蚀刻而形成第二沟槽；通过执行设置在第二沟槽的侧壁和下部上的场绝缘膜的第二蚀刻而在场绝缘膜中形成第一区域和第二区域，第一区域邻近有源鳍设置并具有第一厚度，第二区域相比于第一区域与有源鳍间隔开设置并具有比第一厚度厚的第二厚度；以及在有源鳍和场绝缘膜上形成栅极结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117673119A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311143778.3
申请日：2023-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置包括：有源区，其包括第一有源区和第二有源区并在第一水平方向上延伸；隔离区，其限定有源区；栅极结构，其设置在隔离区上、并在第二水平方向上延伸以与有源区相交；以及分离结构，其穿透栅极结构，并在第一有源区和第二有源区之间设置在隔离区上。分离结构包括延伸到隔离区中的第一分离结构和设置在第一分离结构上并穿透第一分离结构的至少一部分的第二分离结构，第二分离结构的下部区域在第二水平方向上的宽度小于第一分离结构的上部区域在第二水平方向上的宽度。
-
公开(公告)号：CN104051270B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201410069205.5
申请日：2014-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种形成半导体结构的方法和半导体器件，该方法可以包括在其上具有硬掩模层的在第一方向上延伸的硅鳍上形成光刻掩模。利用光刻掩模，在硅鳍中穿过硬掩模层可以形成沟槽，沟槽在第二方向上延伸以将硅鳍分离成在第一方向上端部对端部地延伸的第一和第二鳍结构。相对于沟槽的由第一和第二鳍结构限定的下部，可以将沟槽的由硬掩模层形成的部分加宽。
-
公开(公告)号：CN106356372A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610474846.8
申请日：2016-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823871 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/665 , H01L29/7848 , H01L2029/7858 , H01L27/0886 , H01L21/823431
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一鳍式图案和第二鳍式图案，它们从场绝缘膜的上表面向上突出，并且在第一方向上延伸。栅极结构与第一鳍式图案和第二鳍式图案交叉。第一外延层在栅极结构的至少一侧上位于第一鳍式图案上，并且第二外延层在栅极结构的至少一侧上位于第二鳍式图案上。金属接触部分覆盖第一外延层的外周围表面和第二外延层的外周围表面。第一外延层接触第二外延层。
-
公开(公告)号：CN106169496A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610325750.5
申请日：2016-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L29/0653 , H01L29/1037 , H01L29/41791 , H01L29/785 , H01L29/7855 , H01L29/0657 , H01L29/0684
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一有源区和第二有源区，其设置在半导体基板中并具有彼此面对的侧表面；设置在第一有源区和第二有源区之间的隔离图案；设置在第一有源区和第二有源区之间的半导体延伸层；设置在第一有源区上的第一源/漏极半导体层；和设置在第二有源区上的第二源/漏极半导体层。与靠近隔离图案相比，第一有源区和第二有源区的面对的侧表面更靠近半导体延伸层。
-
公开(公告)号：CN104217959A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410140427.1
申请日：2014-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：提供有源鳍和包括设置在有源鳍上的第一沟槽的场绝缘膜；通过执行设置在第一沟槽的侧壁和下部上的场绝缘膜的第一蚀刻而形成第二沟槽；通过执行设置在第二沟槽的侧壁和下部上的场绝缘膜的第二蚀刻而在场绝缘膜中形成第一区域和第二区域，第一区域邻近有源鳍设置并具有第一厚度，第二区域相比于第一区域与有源鳍间隔开设置并具有比第一厚度厚的第二厚度；以及在有源鳍和场绝缘膜上形成栅极结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.023 seconds)
