公开(公告)号：CN117135899A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310524591.1

申请日：2023-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇珉 ,  金孝真 ,  赵敬熙

IPC: H10B10/00

Abstract: 公开了半导体器件。所述半导体器件包括：基底；下部有源图案，与基底间隔开并且在第一方向上延伸；上部有源图案，在下部有源图案上，上部有源图案与下部有源图案间隔开并且在第一方向上延伸；栅极结构，在基底上，栅极结构在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及切割图案，在基底上，切割图案在第一方向上延伸以切割栅极结构。栅极结构包括：下部栅电极，下部有源图案穿透下部栅电极；上部栅电极，连接到下部栅电极，并且上部有源图案穿透上部栅电极；以及绝缘图案，在切割图案的一侧上，绝缘图案沿着第二方向与上部栅电极一起布置。

公开(公告)号：CN120035211A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411189852.X

申请日：2024-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬美 ,  金孝珍 ,  黄东勋 ,  杨永镇 ,  赵敬熙

IPC: H10D84/83

Abstract: 一种半导体装置包括：第一下图案，沿第一方向延伸并包括沿第二方向相对的第一和第二侧壁及沿第三方向相对的上表面和下表面；沟道分离结构，沿第一方向延伸并接触第一下图案的第一侧壁；场绝缘膜，接触第一下图案的第二侧壁；第一沟道图案，在第一下图案的上表面上并包括沿第三方向彼此间隔开且接触沟道分离结构的第一片状图案；第一源极/漏极图案，接触第一沟道图案和沟道分离结构；接触阻挡图案，在第一源极/漏极图案上且由绝缘材料形成并具有与沟道分离结构的上表面处于同一平面的上表面；第一背侧源极/漏极接触件，在第一下图案内并连接到第一源极/漏极图案；以及背侧布线，在第一下图案的下表面上并连接到第一背侧源极/漏极接触件。

公开(公告)号：CN119730367A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202410828022.0

申请日：2024-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵敬熙 ,  文炳镐 ,  黄东勋

IPC: H10D84/83

Abstract: 提供一种集成电路器件，包括：基底衬底层；片状分离壁，在基底衬底层上沿第一水平方向延伸；一对纳米片堆叠结构，包括介于其间的片状分离壁并且在第二水平方向上彼此分开，第二水平方向不同于第一水平方向，该对纳米片堆叠结构各自包括多个纳米片；多个包覆图案，在该对纳米片堆叠结构中的每一个纳米片堆叠结构中包括的多个纳米片中的每一个纳米片的第一端与片状分离壁之间；以及一对栅电极，在该对纳米片堆叠结构上沿第二水平方向延伸。

公开(公告)号：CN119653854A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411220743.X

申请日：2024-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文炳镐 ,  黄东勋 ,  金孝珍 ,  赵敬熙

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；下沟道层，在垂直于衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开，并且沿第一方向延伸；上沟道层，分别在下沟道层上，并且在竖直方向上彼此间隔开；中间介电隔离结构，在下沟道层之中的最上面的下沟道层与上沟道层之中的最下面的上沟道层之间；下栅极结构，在下沟道层上；上栅极结构，在上沟道层上且在下栅极结构上，并且沿垂直于第一方向的第二方向延伸；栅极隔离绝缘层，在下栅极结构与上栅极结构之间，与中间介电隔离结构的侧表面接触，并且围绕下栅极结构延伸。

公开(公告)号：CN117995837A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311449834.6

申请日：2023-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庚浩 ,  姜明一 ,  张星旭 ,  赵敬熙 ,  崔道永

IPC: H01L27/06

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案，其设置在所述衬底上；第二有源图案，其堆叠在所述第一有源图案上；第一栅极结构，其延伸以与所述第一有源图案和所述第二有源图案相交；第二栅极结构，其与所述第一栅极结构间隔开，并且延伸以与所述第一有源图案和所述第二有源图案相交；第一外延图案，其介于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，并且连接到所述第一有源图案；第二外延图案，其介于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，并且连接到所述第二有源图案；绝缘图案，其介于所述第一外延图案与所述第二外延图案之间；和半导体膜，其介于所述绝缘图案与所述第二外延图案之间，所述半导体膜沿着所述绝缘图案的顶表面延伸。

公开(公告)号：CN117936580A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311350373.7

申请日：2023-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庚浩 ,  姜明一 ,  赵敬熙 ,  崔道永 ,  黄东勳

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：有源图案，在第一方向上延伸；多个沟道层，在有源图案上在竖直方向上彼此间隔开，并且包括下沟道层和上沟道层；中间绝缘层，在最上面的下沟道层与最下面的上沟道层之间；栅极结构，与有源图案相交，围绕多个沟道层，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；下源/漏区，在栅极结构的第一侧上并且连接到下沟道层；阻挡结构，在栅极结构的第二侧上并且连接到下沟道层；以及上源/漏区，在栅极结构的至少一侧上。