公开(公告)号：CN101819982A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010175802.8

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  H01L21/329 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。该多层交叉点电阻存储器包括：形成在半导体衬底上的导线；在该导线上由多晶硅形成的第一垂直二极管；形成在该第一垂直二极管上的第一下电极；第一堆叠线形图案，形成在该第一下电极上从而以直角交叉该导线，且包括其中第一电阻器和第一上电极顺序堆叠的结构；在该第一堆叠线形图案上由多晶硅形成的第二垂直二极管；该第二垂直二极管上的第二下电极；以及第二堆叠线形图案，形成在该第二下电极上从而以直角交叉该第一堆叠线形图案，且包括其中第二电阻器和第二上电极顺序堆叠的结构。

公开(公告)号：CN101246889A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810003879.X

申请日：2008-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L29/7854

Abstract: 本发明提供一种具有多晶硅鳍的非易失性存储器晶体管、一种具有该晶体管的堆叠式非易失性存储装置、一种制造该晶体管的方法以及一种制造该装置的方法。所述装置可以包括从半导体基底向上突出的有源鳍。至少一个第一电荷存储图案可以形成在有源鳍的顶表面和侧壁上。至少一条第一控制栅极线可以形成在至少一个第一电荷存储图案的顶表面上。至少一条第一控制栅极线可以与有源鳍交叉。层间介电层可以形成在至少一条第一控制栅极线上。多晶硅鳍可以形成在层间介电层上。至少一个第二电荷存储图案可以形成在多晶硅鳍的顶表面和侧壁上。至少一条第二控制栅极线可以形成在至少一个第二电荷存储图案的顶表面上，至少一条第二控制栅极线可以与多晶硅鳍交叉。

公开(公告)号：CN101114570A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710005924.0

申请日：2007-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  林赫 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/146 ,  G02B3/00

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/02327

Abstract: 本发明提供了一种形成微透镜的方法、包括微透镜的图像传感器和制造该图像传感器的方法。形成微透镜的方法包括：在具有下结构的半导体衬底上形成硅图案；在该半导体衬底上形成盖膜以覆盖硅图案；退火硅图案和盖膜以将硅图案变形为具有杆形状的多晶硅图案并将盖膜变形为圆型微透镜的壳部；和通过半导体衬底与将盖膜变形为壳部时产生的壳部边缘之间的开口，用透镜材料填充壳部的内部。图像传感器包括通过上述方法或类似方法形成的微透镜和在该微透镜中心之下具有杆形状并由多晶硅形成的光电二极管部分。

公开(公告)号：CN1770476A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510114007.7

申请日：2005-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 野口隆 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳 ,  殷华湘

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02598 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66772

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管(TFT)和一种制造所述薄膜晶体管的方法。所述TFT包括：透明衬底；覆盖所述透明衬底的预定区域的绝缘层；在所述绝缘层上形成的、包括源极区、漏极区和沟道区的单晶硅层；以及在所述单晶硅层的沟道区上依次形成的栅极绝缘膜和栅电极。所述TFT能够通过快速热辐射高速地稳定运行。并且能够使TFT的尺寸显著降低。

公开(公告)号：CN101086969A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710088997.0

申请日：2007-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林赫 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳 ,  殷华湘

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1281

Abstract: 本发明提供一种制造底栅型薄膜晶体管TFT的方法，其中具有大晶粒尺寸的多晶沟道区相对简单且容易地形成。制造底栅薄膜晶体管的该方法包括：在基板上形成底栅电极；在所述基板上形成栅极绝缘层从而覆盖所述栅电极；在所述栅极绝缘层上形成非晶半导体层；构图所述非晶半导体层从而在所述栅电极上形成非晶沟道区；利用激光退火方法熔化所述非晶沟道区；以及晶化所述熔化的非晶沟道区从而形成横向生长的多晶沟道区。