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公开(公告)号：CN104659096B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201410433124.9
申请日：2014-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法。石墨烯器件是其中石墨烯被用作沟道的场效应晶体管(FET)。源电极和漏电极不直接接触石墨烯沟道，通过掺杂半导体而形成的结接触分离地设置在石墨烯沟道和源电极之间以及石墨烯沟道和漏电极之间。因此，在其中电压不施加到栅电极的截止状态中，由于在石墨烯沟道和结接触之间的势垒，载流子不会移动。结果，石墨烯器件在截止状态可以具有低电流。
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公开(公告)号：CN102667941B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201080058615.X
申请日：2010-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B20/00086 , G06F12/0246 , G06F21/10 , G06F21/79 , G11B2220/60 , G11C7/24
Abstract: 存储在电子存储媒体中的许多书本数据本来应当受到版权保护，但是实际上对书本数据发生非法复制或破解，并且在电子存储媒体中包含的书本数据没有充分受到版权保护。因而，本发明提供一种用于存储媒体内容的具有安全功能的存储介质，以及用于输出在存储介质中存储的数据的输出装置。为了控制在存储单元中存储的媒体内容到输出设备的传输，存储介质包括：控制器，转换连接单元中的插脚位置和存储单元中的媒体内容的存储位置中的至少一个。
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公开(公告)号：CN102903753A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210090456.2
申请日：2012-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/221 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66621 , H01L29/66545 , H01L29/66969 , H01L29/685 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供包括可变电阻材料的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：绝缘衬底；沟道层，在绝缘衬底上；栅极，从沟道层的上表面至少部分地延伸到沟道层中；源极和漏极，在沟道层上分别在栅极的相对两侧；栅绝缘层，围绕栅极且将栅极与沟道层、源极和漏极电绝缘；以及可变电阻材料层，在绝缘衬底与栅极之间。
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公开(公告)号：CN102667941A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080058615.X
申请日：2010-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B20/00086 , G06F12/0246 , G06F21/10 , G06F21/79 , G11B2220/60 , G11C7/24
Abstract: 存储在电子存储媒体中的许多书本数据本来应当受到版权保护，但是实际上对书本数据发生非法复制或破解，并且在电子存储媒体中包含的书本数据没有充分受到版权保护。因而，本发明提供一种用于存储媒体内容的具有安全功能的存储介质，以及用于输出在存储介质中存储的数据的输出装置。为了控制在存储单元中存储的媒体内容到输出设备的传输，存储介质包括：控制器，转换连接单元中的插脚位置和存储单元中的媒体内容的存储位置中的至少一个。
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公开(公告)号：CN102194850A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110035623.9
申请日：2011-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
CPC classification number: H01L29/685 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/53
Abstract: 本发明公开了包括可变电阻材料的半导体器件、操作该半导体器件的方法、包括可变电阻材料的能够转换的存储器件、包括该半导体器件的存储卡和包括该半导体器件的电子系统。半导体器件使用具有根据施加的电压而变化的电阻的可变电阻材料作为沟道层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039453A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610829023.2
申请日：2016-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11521 , H01L27/11526
CPC classification number: G11C16/0466 , G11C16/0433 , G11C16/045 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , H01L21/28273 , H01L23/528 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L29/42324 , H01L27/11526 , H01L27/11573
Abstract: 一种非易失性逆变器可以被配置为执行存储器功能。该非易失性逆变器可以包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管可以包括第一栅电极、第一电极以及第二电极。第二晶体管可以包括第二栅电极和第三电极，并且可以与第一晶体管共享第二电极。第一晶体管可以包括第一切换层和电荷俘获层。第一切换层可以被配置为在高电阻态与低电阻态之间进行切换。电荷复活层可以被配置为根据切换层的电阻状态来俘获或释放电荷。第一切换层可以包括P‑N二极管。第二晶体管可以包括第二栅切换层和电荷俘获层。
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公开(公告)号：CN102737714B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210080500.1
申请日：2012-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/04
CPC classification number: G11C13/06 , G02B5/008 , G02F2203/10
Abstract: 本发明提供一种光学元件和包括该光学元件的信息存储器件。该光学元件可以包括用于将圆偏振光转变为等离子体激元并发射该等离子体激元的光波导结构。光波导结构可以发射圆偏振等离子体激元场。光学元件可以用在信息存储器件中。例如，信息存储器件可以包括记录介质和用于在记录介质上记录信息的记录元件，记录元件可以包括光学元件。通过利用由光学元件产生的圆偏振等离子体激元场，信息可以被记录在记录介质上。
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公开(公告)号：CN102024840A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010287385.6
申请日：2010-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/7827 , G11C2213/79 , H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L29/66666 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种包括垂直晶体管阵列的电阻性存储器器件和相关制造方法。该电阻性存储器器件的存储器包括垂直晶体管和可变电阻层。所述垂直晶体管包括衬底表面上的栅电极、沿着所述栅电极的侧壁延伸的栅绝缘层以及与所述栅绝缘层相邻的在所述衬底表面上的单晶硅层。所述单晶硅层的至少一部分限定在与所述衬底表面基本上垂直的方向上延伸的沟道区。在所述单晶硅层上设置可变电阻层。所述可变电阻层与所述栅电极电绝缘。本发明还讨论了相关的器件和制造方法。
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公开(公告)号：CN1195453C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN99106398.8
申请日：1999-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 柳寅敬 , 金泓植 , 洪泰民 , 李相喆 , 扎巴兹诺瓦·亚历山大 , 伊安努科维奇·亚历山大
CPC classification number: H01S3/005 , A61B18/22 , A61C1/0046
Abstract: 一种激光机头，包括：将来自激光产生装置的输出激光束射出的激光光纤；改变来自激光光纤的输出激光束的行进路径的第1光路改变部分；最终改变来自第1光路改变部分的输出激光束的行进路径的第2光路改变部分；把来自第2光路改变部分的输出激光束会聚于一点的聚焦透镜；以及容纳激光光纤、第1光路改变部分、第2光路改变部分和聚焦透镜的主体，且第1光路改变部分包括：对从激光光纤射出的激光束进行准直校正的准直校正透镜，以及改变来自准直校正透镜的输出激光束的行进路径的一个或多个棱镜。其光轴容易校正，激光束的行进路径在小空间内容易改变。
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